높은 온도 (210 씨) 밀폐형 패키지로 제공되는 SiC 접합 트랜지스터

호환 가능한 산업 표준 패키지를 통해 실현된 SiC 트랜지스터의 고온 가능성은 다운홀 및 항공우주 액추에이터 및 전원 공급 장치를 결정적으로 향상시킬 것입니다.

덜레스, 여자 이름., 12 월 10, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 유통업체를 통해 즉각적인 가용성을 발표하고 직접 제품군 고온 패키지 600 V SiC 접합 트랜지스터 (SJT) 에서 3-50 JEDEC 업계 표준 스루홀 및 표면 실장 패키지의 전류 정격 전류. 이러한 고온을 통합하여, 낮은 저항, 밀폐형 패키지의 고주파 SiC 트랜지스터, 고온 솔더 및 캡슐화는 변환 효율을 높이고 고온 전력 변환 애플리케이션의 크기/무게/부피를 줄입니다..HiT_Schottky

현대 고온 전원 공급 장치, 오일/가스/다운홀 및 항공우주 애플리케이션에 사용되는 모터 제어 및 액추에이터 회로는 실행 가능한 고온 탄화규소 솔루션의 가용성 부족으로 어려움을 겪습니다.. 실리콘 트랜지스터는 누설 전류가 높고 스위칭 특성이 낮기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 큰 문제가 있습니다.. 이 두 매개변수는 접합 온도가 높을수록 악화됩니다.. 열적 제약이 있는 환경에서, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 밀폐 패키지된 SiC 트랜지스터는 다운홀 및 항공우주 애플리케이션의 기능을 혁신할 수 있는 고유한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 650 V/3-50A SiC 접합 트랜지스터는 온도에 따라 변하지 않는 거의 0에 가까운 스위칭 시간이 특징입니다.. 그만큼 210영형C 접합 온도 정격 장치는 극한 환경에서 작동하는 애플리케이션에 비교적 큰 온도 여유를 제공합니다..

GeneSiC가 제공하는 접합 트랜지스터는 초고속 스위칭 기능을 나타냅니다., 정사각형 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA), 온도와 무관한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 상업적으로 구동할 수 있습니다., 일반적으로 사용 가능한 15 V IGBT 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. SiC JFET 드라이버와의 호환성을 제공하면서, SiC 접합 트랜지스터는 과도 특성이 일치하므로 쉽게 병렬화할 수 있습니다..

“다운홀 및 항공우주 응용 프로그램 설계자가 작동 주파수의 한계를 계속해서 확장함에 따라, 여전히 높은 회로 효율을 요구하면서, 표준 성능을 제공할 수 있는 SiC 스위치가 필요합니다., 신뢰성 및 생산 균일성. 고유한 장치 및 제조 혁신 활용, GeneSiC의 SJT 제품은 설계자가 보다 강력한 솔루션에서 이 모든 것을 달성할 수 있도록 지원합니다.. 이 제품은 GeneSiC가 작년에 출시한 밀폐형 패키지 SiC 정류기를 보완합니다., 올해 초 출시된 베어 다이 제품, 고온을 제공할 수 있는 길을 열어주는 동안, 낮은 인덕턴스, 가까운 장래에 전원 모듈 ” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

절연 TO-257 600 V SJT:

  • 65 mOhms/20A (2N7639-GA); 170 mOhms/8A (2N7637-GA); 과 425 mOhms/4A (2N7635-GA)
  • jmax = 210영형
  • 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <50 일반적으로 나노초.
  • 해당 베어 다이 GA20JT06-CAL (2N7639-GA에서); GA10JT06-CAL (2N7637-GA에서); 및 GA05JT06-CAL (2N7635-GA에서)

비절연 TO-258 프로토타입 패키지 600 SJT

  • 25 mOhms/50A (GA50JT06-258 프로토타입 패키지)
  • jmax = 210영형
  • 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <50 일반적으로 나노초.
  • 해당 베어 다이 GA50JT06-CAL (GA50JT06-258에서)

표면 실장 TO-276 (SMD0.5) ~와 함께 600 SJT

  • 65 mOhms/20A (2N7640-GA); 170 mOhms/8A (2N7638-GA); 과 425 mOhms/4A (2N7636-GA)
  • jmax = 210영형
  • 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <50 일반적으로 나노초.

모든 장치는 100% 전체 전압/전류 정격에 대해 테스트되고 밀폐 패키지에 보관됨. 기술 지원 및 SPICE 회로 모델이 제공됩니다.. 장치는 GeneSiC에서 직접 및/또는 공인 대리점을 통해 즉시 구입할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 이 회사는 권위있는 R을 수상했습니다.&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

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