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전력 시스템 설계 인터뷰 GeneSiC

뉘른베르크, 독일 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor의 사장은 전력 시스템 설계의 Alix Paultre와 인터뷰했습니다. (http://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) 뉘른베르크 PCIM 쇼에서, 독일.

 

견고한 패키지에 통합된 SiC 트랜지스터-다이오드 조합, 외딴, 4-납, 미니 모듈 패키징은 턴온 에너지 손실을 줄이고 고주파 전력 변환기를 위한 유연한 회로 설계를 가능하게 합니다.

덜스, VA, 할 수있다 13, 2015 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체, 오늘 즉시 출시 발표 20 절연의 mOhm-1200V SiC 접합 트랜지스터-다이오드, 4-유연성을 제공하면서 매우 낮은 턴온 에너지 손실을 가능하게 하는 리드 미니 모듈 패키징, 고주파 전력 변환기의 모듈식 설계. 고주파 사용, 고전압 및 낮은 온 저항 가능 SiC 트랜지스터 및 정류기는 높은 작동 주파수에서 더 높은 전력 처리가 필요한 전자 애플리케이션의 크기/무게/체적을 줄입니다.. 이 장치는 유도 히터를 포함한 다양한 응용 분야에서 사용하도록 목표로 설정되어 있습니다., 플라즈마 발생기, 급속 충전기, DC-DC 컨버터, 및 스위치 모드 전원 공급 장치.

공동 패키지된 SiC 접합 트랜지스터 (SJT)-GeneSiC에서 제공하는 SiC 정류기는 SJT가 유일한 광대역 갭 스위치 제품이기 때문에 유도 스위칭 애플리케이션에 고유하게 적용할 수 있습니다. >10 마이크로초 반복 단락 기능, 심지어 80% 정격 전압의 (예. 960 V 1200 V 장치). 10nsec 미만의 상승/하강 시간 및 사각 역 바이어스 안전 작동 영역 외에도 (RBSOA), 새로운 구성의 게이트 리턴 터미널은 스위칭 에너지를 줄이는 능력을 크게 향상시킵니다.. 이 새로운 종류의 제품은 접합 온도와 무관한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간을 제공합니다.. GeneSiC의 SiC 접합 트랜지스터에는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 낮은 게이트 전압에서 구동 가능, 다른 SiC 스위치와 달리.
이 미니 모듈에 사용된 SiC 쇼트키 정류기는 낮은 온 상태 전압 강하를 나타냅니다., 고온에서 우수한 서지 전류 정격 및 업계 최저 누설 전류. 온도 독립, 제로에 가까운 역회복 스위칭 특성, SiC 쇼트키 정류기는 고효율 회로에 사용하기에 이상적인 후보입니다..
“GeneSiC의 SiC 트랜지스터 및 정류기 제품은 낮은 온 상태 및 스위칭 손실을 실현하도록 설계 및 제조되었습니다.. 혁신적인 패키지에서 이러한 기술의 조합은 넓은 밴드갭 기반 장치를 요구하는 전력 회로에서 모범적인 성능을 약속합니다.. 미니 모듈 패키징은 H-Bridge와 같은 다양한 전원 회로에서 사용할 수 있는 뛰어난 설계 유연성을 제공합니다., 플라이백 및 다단계 인버터” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.
오늘 출시된 제품에는 다음이 포함됩니다.
20 mOhm/1200V SiC 접합 트랜지스터/정류기 공동 팩 (GA50SICP12-227):
• 절연 SOT-227/미니 블록/Isotop 패키지
• 트랜지스터 전류 이득 (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (포장에 의해 제한)
• 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <10 일반적으로 나노초.

모든 장치는 100% 전체 전압/전류 정격으로 테스트됨. 장치는 GeneSiC에서 즉시 사용할 수 있습니다. 공인 대리점.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다: http://192.168.88.14/Commercial-sic/sic-modules-copack/

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 다이오드 모듈. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 다운홀 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. 에 2011, 이 회사는 권위있는 R을 수상했습니다.&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

높은 온도 (>210^영형씨) 소형 폼 팩터 금속 캔 패키지의 접합 트랜지스터 및 정류기는 증폭을 비롯한 다양한 응용 분야에 혁신적인 성능 이점을 제공합니다., 저소음 회로 및 다운홀 액추에이터 제어

덜스, VA, 행진 9, 2015 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 소형 제품군의 즉각적인 가용성을 발표했습니다., 고온 SiC 접합 트랜지스터 및 TO-46 금속 캔 패키지의 정류기 제품군. 이러한 개별 구성 요소는 다음보다 높은 주변 온도에서 작동하도록 설계 및 제조되었습니다. 215^영형씨. 고온의 사용, 고전압 및 낮은 온 저항 가능 SiC 트랜지스터 및 정류기는 고온에서 더 높은 전력 처리가 필요한 전자 애플리케이션의 크기/무게/체적을 줄입니다.. 이 장치는 다양한 다운홀 회로를 포함한 다양한 응용 분야에서 사용하도록 설계되었습니다., 지열 계측, 솔레노이드 작동, 범용 증폭, 및 스위치 모드 전원 공급 장치.

고온 SiC 접합 트랜지스터 (SJT) GeneSiC가 제공하는 10nsec 미만의 상승/하강 시간 >10 MHz 스위칭 및 사각 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA). 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간은 접합 온도와 무관. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 에 의해 구동될 수 있습니다. 0/+5 V TTL 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. 다른 SiC 스위치와 비교하여 SJT의 고유한 장점은 더 높은 장기 신뢰성입니다., >20 usec 단락 기능, 및 우수한 눈사태 기능. 이 장치는 다른 어떤 SiC 스위치보다 훨씬 높은 선형성을 약속하므로 효율적인 증폭기로 사용할 수 있습니다..

GeneSiC에서 제공하는 고온 SiC 쇼트키 정류기는 낮은 온 상태 전압 강하를 나타냅니다., 고온에서 업계 최저 누설 전류. 온도 독립, 제로에 가까운 역회복 스위칭 특성, SiC 쇼트키 정류기는 고효율에 사용하기에 이상적인 후보입니다., 고온 회로. TO-46 금속 캔 패키지 및 이러한 제품을 만드는 데 사용되는 관련 패키징 프로세스는 높은 신뢰성이 중요한 장기 사용을 가능하게 합니다..

“GeneSiC의 트랜지스터 및 정류기 제품은 처음부터 고온 작동이 가능하도록 설계 및 제조되었습니다.. 이 소형 TO-46 패키지 SJT는 높은 전류 이득을 제공합니다. (>110), 0/+5 V TTL 제어, 강력한 성능. 이 장치는 낮은 전도 손실과 높은 선형성을 제공합니다.. 우리는 "SHT" 정류기 라인을 설계합니다., 고온에서 낮은 누설 전류 제공. 이 금속 캔 패키지 제품은 작년에 출시된 TO-257 및 금속 SMD 제품을 보완하여 소형 폼 팩터를 제공합니다., 진동 방지 솔루션” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

오늘 출시된 제품은 다음과 같습니다.:

240 mOhm SiC 접합 트랜지스터:

• 300 V 차단 전압. 부품 번호 GA05JT03-46
• 100 V 차단 전압. 부품 번호 GA05JT01-46
• 전류 이득 (NS_FE) >110
• 티_jmax = 210^영형씨
• 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <10 일반적으로 나노초.

까지 4 암페어 고온 쇼트키 다이오드:

• 600 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT06-46
• 300 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT03-46
• 100 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT01-46
• 총 용량 전하 9 체크 안함
• 티_jmax = 210^영형씨.

모든 장치는 100% 전체 전압/전류 정격으로 테스트되었으며 금속 캔 TO-46 패키지에 들어 있습니다. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 구입할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 다이오드 모듈. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 다운홀 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. 에 2011, 이 회사는 권위있는 R을 수상했습니다.&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다 http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 과 http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

높은 스위칭 속도 및 동작 기반 모델에 최적화된 게이트 드라이버 보드를 통해 전력 전자 설계 엔지니어는 보드 수준 평가 및 회로 시뮬레이션에서 SJT의 이점을 확인하고 정량화할 수 있습니다.

덜스, V.A., 11 월 19, 2014 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 Gate Driver 평가 보드의 즉각적인 가용성을 발표하고 업계 최저 손실 스위치인 SiC Junction Transistor에 대한 설계 지원을 확대했습니다. (SJT) – 정식 LTSPICE IV 모델 사용. 새로운 게이트 드라이버 보드 사용하기, 전력 변환 회로 설계자는 15나노초 미만의 이점을 확인할 수 있습니다., SiC 접합 트랜지스터의 온도 독립 스위칭 특성, 낮은 드라이버 전력 손실로. 새로운 SPICE 모델 통합, 회로 설계자는 GeneSiC의 SJT가 비슷한 등급의 장치에 대해 기존의 실리콘 전력 스위칭 장치에서 가능한 것보다 높은 수준의 효율성을 달성하기 위해 제공하는 이점을 쉽게 평가할 수 있습니다..

SiC 접합 트랜지스터는 다른 SiC 트랜지스터 기술과 상당히 다른 특성을 가지고 있습니다., 뿐만 아니라 실리콘 트랜지스터. SiC 접합 트랜지스터의 이점을 활용하기 위한 드라이브 솔루션을 제공하려면 낮은 전력 손실을 제공하면서도 높은 스위칭 속도를 제공할 수 있는 게이트 드라이버 보드가 필요했습니다.. GeneSiC의 완전 분리 GA03IDDJT30-FR4 게이트 드라이버 보드는 0/12V 및 TTL 신호를 받아 작은 상승/하강 시간을 제공하는 데 필요한 전압/전류 파형을 최적으로 조절합니다., ON 상태 동안 정상 OFF SJT 전도를 유지하기 위한 연속 전류 요구 사항을 여전히 최소화하면서. 핀 구성 및 폼 팩터는 다른 SiC 트랜지스터와 유사하게 유지됩니다.. GeneSiC는 또한 최종 사용자에게 Gerber 파일 및 BOM을 출시하여 실현된 드라이버 설계 혁신의 이점을 통합할 수 있도록 했습니다..

SJT는 잘 작동하는 온 상태 및 스위칭 특성을 제공합니다., 기본 물리학 기반 모델과도 매우 잘 일치하는 동작 기반 SPICE 모델을 쉽게 생성할 수 있습니다.. 잘 정립되고 이해된 물리학 기반 모델 사용, SPICE 매개변수는 장치 동작에 대한 광범위한 테스트를 거쳐 출시되었습니다.. GeneSiC의 SPICE 모델은 모든 장치 데이터 시트의 실험적으로 측정된 데이터와 비교되며 모든 장치에 적용 가능합니다. 1200 V와 1700 V SiC 접합 트랜지스터 출시.
GeneSiC의 SJT는 다음 이상의 스위칭 주파수를 제공할 수 있습니다. 15 IGBT 기반 솔루션보다 몇 배 더 높음. 더 높은 스위칭 주파수는 더 작은 자기 및 용량성 요소를 가능하게 합니다., 따라서 전체 크기를 축소, 전력 전자 시스템의 무게와 비용.

이 SiC 접합 트랜지스터 SPICE 모델은 GeneSiC의 포괄적인 설계 지원 도구 제품군에 추가됩니다., 기술 문서, GeneSiC의 포괄적인 SiC 접합 트랜지스터 및 정류기 제품군을 차세대 전력 시스템에 구현하는 데 필요한 설계 리소스를 전력 전자 엔지니어에게 제공하기 위한 신뢰성 정보.

GeneSiC의 게이트 드라이버 보드 데이터시트 및 SJT SPICE 모델은 다음에서 다운로드할 수 있습니다. http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

고주파 전력 회로용으로 출시된 가장 낮은 전도 손실과 우수한 단락 회로 기능을 제공하는 SiC 스위치

덜레스, 여자 이름., 10 월 28, 2014 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 낮은 온저항 1700V 및 1200 TO-247 패키지의 V SiC 접합 트랜지스터. 고전압 사용, 고주파, 고온 및 낮은 온 저항 가능 SiC 접합 트랜지스터는 변환 효율을 높이고 더 높은 버스 전압을 필요로 하는 전력 전자 애플리케이션의 크기/무게/부피를 줄입니다.. 이 장치는 DC 마이크로그리드를 포함한 다양한 응용 분야에서 사용하도록 목표로 하고 있습니다., 차량용 급속 충전기, 섬기는 사람, 통신 및 네트워킹 전원 공급 장치, 무정전 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 풍력 발전 시스템, 및 산업용 모터 제어 시스템.

SiC 접합 트랜지스터 (SJT) GeneSiC가 제공하는 초고속 스위칭 기능 (SiC MOSFET과 유사), 정사각형 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA), 온도와 무관한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 상업적으로 게이트 드라이버로 구동 가능, 다른 SiC 스위치와 달리. 다른 SiC 스위치와 비교하여 SJT의 고유한 장점은 더 높은 장기 신뢰성입니다., >10 usec 단락 기능, 및 우수한 눈사태 기능

“이러한 개선된 SJT는 훨씬 더 높은 전류 이득을 제공합니다. (>100), 다른 SiC 스위치에 비해 매우 안정적이고 강력한 성능. GeneSiC의 SJT는 정격 전류에서 전력 회로의 우수한 턴오프 손실로 매우 낮은 전도 손실을 제공합니다.. 고유한 장치 및 제조 혁신 활용, GeneSiC의 트랜지스터 제품은 설계자가 보다 강력한 솔루션을 얻을 수 있도록 지원합니다.,” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

1700 V SiC 접합 트랜지스터 출시

• 25 m옴 (GA50JT17-247), 65 m옴 (GA16JT17-247), 220 m옴 (GA04JT17-247)
• 전류 이득 (NS_FE) >90
• 티_jmax = 175^영형씨
• 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <30 일반적으로 나노초.

1200 V SiC 접합 트랜지스터 출시

• 25 m옴 (GA50JT12-247), 120 옴 (GA10JT12-247), 210 m옴 (GA05JT12-247)
• 전류 이득 (NS_FE) >90
• 티_jmax = 175^영형씨
• 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <30 일반적으로 나노초.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 TO-247 패키지. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..

자세한 내용은, http를 방문하십시오://192.168.88.14/상용-sic/sic-접합-트랜지스터/

GeneSiC의 SiC 트랜지스터 및 정류기는 작은 상자 도전

최첨단. 실리콘 카바이드 전력 트랜지스터 & 정류기. 사용 가능. 지금!

GeneSiC는 현재 전 세계 최고의 유통업체로부터 다양한 제품 포트폴리오를 보유하고 있습니다.

베어 다이 칩 공장에서 직접 제공되는 SiC 장치 형태 (아래 양식을 작성해주세요)

이산 SJT 과 정류기 상업 온도 등급에서 (175° C)

이산 히트 SJT모래 히트 정류기 고온에서 (최대 250°C)

GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다.. GeneSiC는 새로운, 혁신적인 제품. 오늘 찾으시는 정확한 상품이 없으시다면, 당신은 가까운 장래에 그것을 볼 수 있습니다.

호환 가능한 산업 표준 패키지를 통해 실현된 SiC 트랜지스터의 고온 가능성은 다운홀 및 항공우주 액추에이터 및 전원 공급 장치를 결정적으로 향상시킬 것입니다.

덜레스, 여자 이름., 12 월 10, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 유통업체를 통해 즉각적인 가용성을 발표하고 직접 제품군 고온 패키지 600 V SiC 접합 트랜지스터 (SJT) 에서 3-50 JEDEC 업계 표준 스루홀 및 표면 실장 패키지의 전류 정격 전류. 이러한 고온을 통합하여, 낮은 저항, 밀폐형 패키지의 고주파 SiC 트랜지스터, 고온 솔더 및 캡슐화는 변환 효율을 높이고 고온 전력 변환 애플리케이션의 크기/무게/부피를 줄입니다..

현대 고온 전원 공급 장치, 오일/가스/다운홀 및 항공우주 애플리케이션에 사용되는 모터 제어 및 액추에이터 회로는 실행 가능한 고온 탄화규소 솔루션의 가용성 부족으로 어려움을 겪습니다.. 실리콘 트랜지스터는 누설 전류가 높고 스위칭 특성이 낮기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 큰 문제가 있습니다.. 이 두 매개변수는 접합 온도가 높을수록 악화됩니다.. 열적 제약이 있는 환경에서, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 밀폐 패키지된 SiC 트랜지스터는 다운홀 및 항공우주 애플리케이션의 기능을 혁신할 수 있는 고유한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 650 V/3-50A SiC 접합 트랜지스터는 온도에 따라 변하지 않는 거의 0에 가까운 스위칭 시간이 특징입니다.. 그만큼 210^영형C 접합 온도 정격 장치는 극한 환경에서 작동하는 애플리케이션에 비교적 큰 온도 여유를 제공합니다..

GeneSiC가 제공하는 접합 트랜지스터는 초고속 스위칭 기능을 나타냅니다., 정사각형 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA), 온도와 무관한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 상업적으로 구동할 수 있습니다., 일반적으로 사용 가능한 15 V IGBT 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. SiC JFET 드라이버와의 호환성을 제공하면서, SiC 접합 트랜지스터는 과도 특성이 일치하므로 쉽게 병렬화할 수 있습니다..

“다운홀 및 항공우주 응용 프로그램 설계자가 작동 주파수의 한계를 계속해서 확장함에 따라, 여전히 높은 회로 효율을 요구하면서, 표준 성능을 제공할 수 있는 SiC 스위치가 필요합니다., 신뢰성 및 생산 균일성. 고유한 장치 및 제조 혁신 활용, GeneSiC의 SJT 제품은 설계자가 보다 강력한 솔루션에서 이 모든 것을 달성할 수 있도록 지원합니다.. 이 제품은 GeneSiC가 작년에 출시한 밀폐형 패키지 SiC 정류기를 보완합니다., 올해 초 출시된 베어 다이 제품, 고온을 제공할 수 있는 길을 열어주는 동안, 낮은 인덕턴스, 가까운 장래에 전원 모듈 ” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

절연 TO-257 600 V SJT:

• 65 mOhms/20A (2N7639-GA); 170 mOhms/8A (2N7637-GA); 과 425 mOhms/4A (2N7635-GA)
• 티_jmax = 210^영형씨
• 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <50 일반적으로 나노초.
• 해당 베어 다이 GA20JT06-CAL (2N7639-GA에서); GA10JT06-CAL (2N7637-GA에서); 및 GA05JT06-CAL (2N7635-GA에서)

비절연 TO-258 프로토타입 패키지 600 SJT

• 25 mOhms/50A (GA50JT06-258 프로토타입 패키지)
• 티_jmax = 210^영형씨
• 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <50 일반적으로 나노초.
• 해당 베어 다이 GA50JT06-CAL (GA50JT06-258에서)

표면 실장 TO-276 (SMD0.5) ~와 함께 600 SJT

• 65 mOhms/20A (2N7640-GA); 170 mOhms/8A (2N7638-GA); 과 425 mOhms/4A (2N7636-GA)
• 티_jmax = 210^영형씨
• 켜기/끄기; 상승/하강 시간 <50 일반적으로 나노초.

모든 장치는 100% 전체 전압/전류 정격에 대해 테스트되고 밀폐 패키지에 보관됨. 기술 지원 및 SPICE 회로 모델이 제공됩니다.. 장치는 GeneSiC에서 직접 및/또는 공인 대리점을 통해 즉시 구입할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 이 회사는 권위있는 R을 수상했습니다.&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다 http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt