범주: 소식

덜스, VA, 구월 28, 2010 – 첨단연구사업단 – 에너지 (아르파-E) 새로운 초고전압 탄화규소 개발을 위해 GeneSiC Semiconductor 주도 팀과 협력 계약을 체결했습니다. (SiC) 사이리스터 기반 장치. 이러한 장치는 대규모 풍력 및 태양광 발전소를 차세대 스마트 그리드에 통합하는 핵심 요소가 될 것으로 예상됩니다..

“GeneSiC에 대한 이 경쟁이 치열한 상은 우리가 multi-kV 탄화규소 기술 분야에서 우리의 기술적 리더십 위치를 확장할 수 있게 해 줄 것입니다., 솔리드 스테이트 솔루션이 포함된 그리드 규모의 대체 에너지 솔루션에 대한 우리의 약속,"라고 박사는 말했습니다.. 란 비르 싱, GeneSiC 회장. “우리가 개발하고 있는 Multi-kV SiC 사이리스터는 유연한 AC 전송 시스템의 실현을 위한 핵심 기술입니다. (사리) 소자 및 고전압 DC (HVDC) 통합을 지향하는 아키텍처, 효율적인, 미래의 스마트 그리드. GeneSiC의 SiC 기반 사이리스터는 10배 더 높은 전압을 제공합니다., 100기존 실리콘 기반 사이리스터와 비교하여 FACTS 및 HVDC 전력 처리 솔루션에서 X보다 빠른 스위칭 주파수 및 더 높은 온도 작동."

4월 2010, GeneSiC는 전력 기술의 민첩한 전달에 응답했습니다. (정통한) 비용 절감을 제공하면서 기존 전력 변환기 성능을 뛰어넘을 가능성이 있는 고전압 스위치의 근본적인 발전을 위한 재료에 대한 투자를 모색한 ARPA-E의 요청. 회사에서 제안한 "중전압 전력 변환용 실리콘 카바이드 양극 전환 사이리스터"는 경량화를 위해 선택되었습니다., 고체 상태, 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기와 같은 고전력 애플리케이션을 위한 고압 에너지 변환. 이러한 고급 전력 반도체 기술을 배포하면 25-30 전력 공급의 효율성 증가를 통한 전력 소비의 백분율 감소. 선택한 혁신은 미국을 지원하고 홍보하는 것이었습니다.. 기술 리더십을 통한 비즈니스, 경쟁이 치열한 과정을 통해.

탄화규소는 기존의 실리콘보다 월등히 우수한 특성을 지닌 차세대 반도체 소재입니다., 예를 들어 300ºC의 높은 온도에서 전압의 10배, 전류의 100배를 처리할 수 있습니다.. 이러한 특성으로 인해 하이브리드 및 전기 자동차와 같은 고출력 애플리케이션에 이상적입니다., 재생 에너지 (바람과 태양) 설치, 및 전기 그리드 제어 시스템.

이제 초고전압이 (>10케이 V) 실리콘 카바이드 (SiC) 장치 기술은 차세대 전력망에서 혁명적인 역할을 할 것입니다. 사이리스터 기반 SiC 장치는 다음을 위한 최고의 온 상태 성능을 제공합니다. >5 kV 장치, Fault-Current Limiters와 같은 고압 전력 변환 회로에 널리 적용됩니다., AC-DC 컨버터, 정적 VAR 보정기 및 시리즈 보정기. SiC 기반 사이리스터는 기존 전력망 요소와 유사하기 때문에 조기 채택 가능성이 가장 높습니다.. 이러한 장치에 대한 다른 유망한 응용 프로그램 및 장점은 다음과 같습니다.:

• Future Naval Capability에서 추구하는 고압 DC 변환을 위한 전력 관리 및 전력 조절 시스템 (FNC) 미 해군의, 전자기 발사 시스템, 고에너지 무기 시스템 및 의료 영상. 10~100배 더 높은 작동 주파수 기능을 통해 전례 없는 크기 개선, 무게, 볼륨과 궁극적으로, 그러한 시스템의 비용.
• 다양한 에너지 저장, 고온 및 고에너지 물리학 응용. 전 세계가 보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 에너지 저장 및 전력망 애플리케이션에 대한 관심이 높아지고 있습니다..

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치.

“우리는 광범위한 제조 제품군과 함께 장치 및 프로세스 설계의 핵심 역량을 활용하여 초고전압 SiC 기술의 리더로 부상했습니다., 성격 묘사, 및 시험 시설,"라고 박사는 결론짓는다.. 싱. "GeneSiC의 위치는 이제 이 중요한 후속 상을 통해 미국 DOE에 의해 효과적으로 검증되었습니다."

GeneSiC Semiconductor 정보

전략적으로 워싱턴 근처에 위치, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고출력 및 초고전압 탄화규소 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., 슈퍼정션 트랜지스터 (SJT) 및 다양한 사이리스터 기반 장치. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관과의 주요/하도급 계약을 보유하고 있거나 보유하고 있습니다., 에너지부를 비롯한, 해군, 육군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 검출기 설계 분야의 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아보려면, 방문하시기 바랍니다 www.genesicsemi.com.

수요일, 11월 12일 2008 – 미국 에너지부는 고전압 실리콘 카바이드 개발을 위해 GeneSiC Semiconductor에 총 150만 달러에 달하는 두 개의 별도 보조금을 수여했습니다. (SiC) 풍력 발전의 핵심 원동력이 될 장치- 국가 전력망과 태양광 발전 통합.

“이러한 상은 GeneSiC의 역량에 대한 DOE의 신뢰를 보여줍니다., 대체 에너지 솔루션에 대한 헌신뿐만 아니라,"노트 박사. 란 비르 싱, GeneSiC 회장. “통합된, 효율적인 전력망은 국가의 에너지 미래에 매우 중요하며, 우리가 개발 중인 SiC 장치는 기존 실리콘 기술의 비효율성을 극복하는 데 매우 중요합니다.”

첫 번째 상은 빠른 개발을 위한 75만 달러의 2단계 SBIR 보조금입니다., 초고전압 SiC 바이폴라 장치. 두 번째는 광학 게이트 고전력 SiC 스위치 개발을 위한 75만 달러의 2단계 STTR 보조금입니다..

탄화규소는 실리콘 대비 10배의 전압, 100배의 전류를 처리할 수 있는 차세대 반도체 소재입니다., 재생 에너지와 같은 고전력 애플리케이션에 이상적으로 적합합니다. (바람과 태양) 설치 및 전기 그리드 제어 시스템.

구체적으로, 두 상은:

• 고주파 개발, 수 킬로볼트 SiC 게이트 끄기 (GTO) 전원 장치. 정부 및 상업용 애플리케이션에는 선박용 전력 관리 및 공조 시스템이 포함됩니다., 유틸리티 산업, 의료 영상.
• 광학적으로 게이트된 고전압의 설계 및 제작, 고전력 SiC 스위칭 장치. 광섬유를 사용하여 전원을 전환하는 것은 전자기 간섭으로 인해 어려움을 겪는 환경에 이상적인 솔루션입니다. (EMI), 초고전압이 필요한 용도 및.

GeneSiC가 개발 중인 SiC 장치는 다양한 에너지 저장 기능을 제공합니다., 전력망, 군사용 애플리케이션, 전 세계가 보다 효율적이고 비용 효과적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 점점 더 많은 주목을 받고 있습니다..

워싱턴 외곽에 본사를 두고 있음, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고출력 및 초고전압 탄화규소 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., 전계 효과 트랜지스터 (FET) 양극성 장치, 입자도 그렇고 & 광자 검출기. GeneSiC는 미국 주요 정부 기관과 프라임/하위 계약을 맺고 있습니다., 에너지부를 비롯한, 해군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 검출기 설계 분야의 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아보려면, 방문하시기 바랍니다 www.genesicsemi.com.

덜스, VA, 10 월. 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., a fast-rising innovator of high-temperature, 고출력 및 초고전압 탄화규소 (SiC) 장치, announced that is has been awarded three separate small business grants from the US Department of Energy during FY07. The SBIR and STTR grants will be used by GeneSiC to demonstrate novel high-voltage SiC devices for a variety of energy storage, 전력망, 고온 및 고에너지 물리학 응용. Energy storage and power grid applications are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy management solutions.

“We are pleased with the level of confidence expressed by various offices within the US Department on Energy with regard to our high-power device solutions. Injecting this funding into our advanced SiC technology programs will result in an industry-leading line SiC devices,” commented GeneSiC’s President, 박사. 란 비르 싱. “The devices being developed in these projects promise to provide critical enabling technology to support a more-efficient power grid, and will open the door to new commercial and military hardware technology that has remained unrealized due to the limitations of contemporary silicon-based technologies.”

The three projects include:

• A new Phase I SBIR award focused on high current, multi-kV Thyristor-based devices geared towards energy storage applications.
• A Phase II SBIR follow-on award for development of multi-kV SiC power devices for high voltage power supplies for high power RF system applications awarded by the DOE Office of Science.
• A Phase I STTR award focused on optically gated high-voltage, high-frequency SiC power devices for environments rich in electro-magnetic interference, including high power RF energy systems, and directed energy weapon systems.

Along with the awards, GeneSiC has recently relocated operations to an expanded laboratory and office building in Dulles, 여자 이름, significantly upgrading its equipment, infrastructure and is in the process of adding additional key personnel.

“GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다., backing that up with access to an extensive suite of fabrication, characterization and testing facilities,” concluded Dr. 싱. “We feel those capabilities have been effectively validated by the US DOE with these new and follow-on awards.”

회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여 www.genesicsemi.com.