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Diodi Schottky SiC in SMB (DO-214) i pacchetti offrono le impronte più piccole

Alta tensione, Diodi Schottky SiC privi di recupero inverso per abilitare in modo critico inverter solari e gruppi ad alta tensione offrendo capacità di montaggio superficiale con fattore di forma minimo

Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) power semiconductors annuncia oggi l'immediata disponibilità di una famiglia di SMB standard di settore (JEDEC DO-214AA) Raddrizzatori SiC confezionati in 650 – 3300 Gamma V. Incorporando questi ad alta tensione, recupero inverso senza recupero, I diodi SiC ad alta frequenza e alta temperatura aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume dei gruppi multi-kV. Questi prodotti sono destinati agli inverter micro-solari e ai circuiti moltiplicatori di tensione utilizzati in un'ampia gamma di raggi X., Alimentatori laser e generatori di particelle.Tutti i raddrizzatori

Gli inverter micro-solari contemporanei e i circuiti moltiplicatori di tensione possono soffrire di basse efficienze del circuito e grandi dimensioni a causa delle correnti di recupero inverso dai raddrizzatori al silicio. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora perché la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di correnti modeste. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i micro-inverter solari e i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 650 V/1 A; 1200 V/2A e 3300 I raddrizzatori Schottky V/0,3 A sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa pari a zero che non cambia con la temperatura. IL 3300 I dispositivi V-rated offrono una tensione relativamente elevata in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei tipici circuiti dei generatori ad alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. La PMI (DO-214AA) il pacchetto sovrastampato presenta un fattore di forma standard del settore per i gruppi a montaggio superficiale.

“Queste offerte di prodotti derivano da anni di continui sforzi di sviluppo presso GeneSiC per offrire dispositivi e pacchetti interessanti. Riteniamo che il fattore di forma SMB sia un elemento chiave di differenziazione per il mercato dei micro inverter solari e dei moltiplicatori di tensione, e consentirà notevoli vantaggi ai nostri clienti. VF basso di GeneSiC, raddrizzatori Schottky SiC a bassa capacità e pacchetti SMB migliorati rendono possibile questo prodotto rivoluzionario” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

1200 V/2 A SMB SiC Diodo Schottky (GB02SLT12-214) Punti salienti tecnici

  • Tipico VF = 1.5 V
  • Tjmax = 175oC
  • Carica di recupero inverso = 14 nc.

3300 Diodo Schottky SiC SMB V/0,3 A (GAP3SLT33-214) Punti salienti tecnici

  • Tipico VF = 1.7 V
  • Tjmax = 175oC
  • Carica di recupero inverso = 52 nc.

650 V/1 A SMB SiC Diodo Schottky (GB01SLT06-214) Punti salienti tecnici

  • Tipico VF = 1.5 V
  • Tjmax = 175oC
  • Carica di recupero inverso = 7 nc.

Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, PMI conforme a RoHS (DO-214AA) Pacchetti. Supporto tecnico e modelli di circuito SPICE sono offerti. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i distributori autorizzati GeneSiC.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi, compreso l'ARPA-E, Dipartimento di Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori principali del governo. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

Per maggiori informazioni, si prega di visitare http://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

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I raddrizzatori Schottky al carburo di silicio sono stati estesi a 3300 Valutazioni Volt

I gruppi ad alta tensione traggono vantaggio da questi raddrizzatori a bassa capacità che offrono correnti di ripristino inverse zero indipendenti dalla temperatura in contenitori isolati

Thief River Falls/Dulles, Virginia., Maggio 28, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) semiconduttori di potenza annunciano la disponibilità immediata di 3300 Raddrizzatori Schottky SiC V/0,3 Ampere – il GAP3SLT33-220FP. Questo prodotto unico rappresenta il raddrizzatore SiC con la tensione più alta sul mercato, ed è specificamente mirato ai circuiti moltiplicatori di tensione e ai gruppi ad alta tensione utilizzati in un'ampia gamma di raggi X, Alimentatori laser e generatori di particelle.3300 V SiC Diodo Schottky GeneSiC

I circuiti moltiplicatori di tensione contemporanei soffrono di basse efficienze del circuito e di grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverse dai raddrizzatori al silicio scaricano i condensatori collegati in parallelo. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora perché la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di correnti modeste. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 3300 I raddrizzatori Schottky V/0,3 A sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa pari a zero che non cambia con la temperatura. Questa tensione relativamente alta in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei tipici circuiti del generatore di alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. Il pacchetto isolato sovrastampato TO-220 Full Pack presenta un fattore di forma standard del settore con una maggiore spaziatura dei pin nei gruppi di fori passanti.3300 V SiC Diodo Schottky SMB GeneSiC

“Questa offerta di prodotti deriva da anni di sforzi sostenuti in GeneSiC. Crediamo il 3300 La classificazione V è un fattore chiave di differenziazione per il mercato dei generatori di alta tensione, e consentirà notevoli vantaggi ai nostri clienti. VF basso di GeneSiC, I raddrizzatori Schottky SiC a bassa capacità consentono questo prodotto rivoluzionario” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

3300 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore SiC V/0,3 A

  • In stato di caduta di 1.7 V a 0.3 UN
  • Coefficiente di temperatura positivo su VF
  • Tjmax = 175oC
  • Carica capacitiva 52 nc (tipico).

Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Standard di settore conforme a RoHS TO-220FP (Pacchetto completo) Pacchetti. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso il Distributore Autorizzato GeneSiC, Digikey.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi, compreso l'ARPA-E, Dipartimento di Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori principali del governo. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

Per maggiori informazioni, si prega di visitare www.genesicsemi.com

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Carburo di silicio Bare Die fino a 8000 Valutazioni V da GeneSiC

Circuiti e assiemi ad alta tensione traggono vantaggio dai chip SiC che offrono valori nominali di tensione senza precedenti e commutazione ad altissima velocità

Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) semiconduttori di potenza annunciano la disponibilità immediata di 8000 Raddrizzatori V SiC PiN; 8000 V SiC Schottky Raddrizzatori, 3300 V SiC Schottky Raddrizzatori e 6500 V Tiristori SiC in formato die nudo. Questi prodotti unici rappresentano i dispositivi SiC con la tensione più alta sul mercato, ed è specificamente mirato alla strumentazione per petrolio e gas, circuiti moltiplicatori di tensione e gruppi ad alta tensione.

I circuiti ad altissima tensione contemporanei soffrono di basse efficienze del circuito e di grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverse dai raddrizzatori al silicio scaricano i condensatori collegati in parallelo. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora ulteriormente poiché la corrente di recupero inversa nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di correnti modeste. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 8000 V e 3300 I raddrizzatori V Schottky sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa pari a zero che non cambia con la temperatura. Questa tensione relativamente alta in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei tipici circuiti del generatore di alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. 8000 I raddrizzatori V PiN offrono livelli di corrente più elevati e temperature di esercizio più elevate. 6500 Sono disponibili anche chip V SiC Thyristor per accelerare R&D di nuovi sistemi.

“Questi prodotti mostrano il forte vantaggio di GeneSiC nello sviluppo di chip SiC nelle classificazioni multi-kV. Crediamo il 8000 La classificazione V va oltre ciò che i dispositivi Silicon possono offrire alle temperature nominali, e consentirà notevoli vantaggi ai nostri clienti. VF basso di GeneSiC, I raddrizzatori e i tiristori SiC a bassa capacità consentiranno vantaggi a livello di sistema non possibili prima” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

8000 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore PiN nudo V/2 A SiC

  • Tjmax = 210oC
  • Correnti di dispersione inversa < 50 uA a 175oC
  • Addebito di recupero inverso 558 nc (tipico).

8000 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore Schottky nudo V/50 mA SiC

  • Capacità totale 25 pF (tipico, a -1 V, 25oC).
  • Coefficiente di temperatura positivo su VF
  • Tjmax = 175oC

6500 V SiC Thyristor Bare Die Caratteristiche tecniche

  • Tre offerte – 80 Ampere (GA080TH65-CAU); 60 Ampere (GA060TH65-CAU); e 40 Ampere (GA040TH65-CAU)
  • Tjmax = 200oC

3300 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore nudo V/0.3 A SiC

  • In stato di caduta di 1.7 V a 0.3 UN
  • Coefficiente di temperatura positivo su VF
  • Tjmax = 175oC
  • Carica capacitiva 52 nc (tipico).

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi, compreso l'ARPA-E, Dipartimento di Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori principali del governo. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

Per maggiori informazioni, per favore visita http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie

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Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT Modules from GeneSiC enables 175°C operation

Dulles, Virginia., Marzo 5, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its second generation hybrid mini-modules using 1200 V/100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with rugged Silicon IGBTs – the GB100XCP12-227. The performance-price point at which this product is being released allows many power conversion applications to benefit from the reduction of the cost/size/weight/volume that neither Silicon IGBT/ Silicon Rectifier solution, nor a pure SiC Module can offer. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including industrial motors, inverter solari, specialized equipment and power grid applications.

SiC Schottky/Si IGBT mini-modules (Co-packs) offered by GeneSiC are made with Si IGBTs that exhibit positive temperature coefficient of on-state drop, robust punchthrough design, high temperature operation and fast switching characteristics that are capable of being driven by commercial, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT. The SiC rectifiers used in these Co-pack modules allow extremely low inductance packages, low on-state voltage drop and no reverse recovery. The SOT-227 package offers isolated baseplate, 12mm low profile design that can be used very flexibly as a standalone circuit element, high current paralleled configuration, a Phase Leg (two modules), or as a chopper circuit element.

“We listened to our key customers since the initial offering of this product almost 2 years back. This second generation 1200 V/100 A Co-pack product has a low inductance design that is suitable for high frequency, high temperature applications. The poor high temperature and reverse recovery characteristics of Silicon diodes critically limits the use of IGBTs at higher temperatures. VF basso di GeneSiC, low capacitance SiC Schottky Diodes enable this breakthrough product” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

1200 V/100 A Si IGBT/SiC Rectifier Technical Highlights

  • In stato di caduta di 1.9 V a 100 UN
  • Coefficiente di temperatura positivo su VF
  • Tjmax = 175°C
  • Turn-On Energy Losses 23 microJoules (tipico).

Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, RoHS compliant industry-standard SOT-227 packages. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i distributori autorizzati GeneSiC.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi, compreso l'ARPA-E, Dipartimento di Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori principali del governo. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.

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GeneSiC introduces Silicon Carbide Junction Transistors

DULLI, Va., Feb. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 Transistori a giunzione V SiC. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, alimentatori per telecomunicazioni e reti, gruppi di continuità, inverter solari, industrial motor control systems, and downhole applications.

I transistor a giunzione offerti da GeneSiC mostrano capacità di commutazione ultraveloci, un'area operativa sicura con polarizzazione inversa quadrata (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura. Questi interruttori sono privi di ossido di gate, normalmente spento, mostrano un coefficiente di temperatura positivo della resistenza on, e sono in grado di essere guidati dal commerciale, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT, a differenza di altri interruttori SiC. Pur offrendo compatibilità con i driver SiC JFET, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, pur richiedendo elevate efficienze del circuito, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” disse il Dott. Ranbir Singh , Presidente di GeneSiC Semiconductor.

1700 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Tre offerte – 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); e 500 mOhm (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanosecondi tipici.

1200 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Two offerings – 220 mOhm (GA06JT12-247); e 460 mOhm (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanosecondi tipici

Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Pacchetti TO-247 conformi a RoHS. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i distributori autorizzati GeneSiC.

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New Physics Lets Thyristor Reach Higher Level

Aug 30, 2011 – Dulles, VA – New Physics Lets Thyristors Reach Higher Level

An electric power grid supplies reliable power with the help of electronic devices that ensure smooth, reliable power flow. Until now, silicon-based assemblies have been relied upon, but they have been unable to handle the requirements of the smart grid. Wide-band-gap materials such as silicon carbide (SiC) offer a better alternative as they are capable of higher switching speeds, a higher breakdown voltage, lower switching losses, and a higher junction temperature than traditional silicon-based switches. The first such SiC-based device to reach market is the Ultra-high-voltage Silicon Carbide Thyristor (SiC Thyristor), developed by GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., with support from Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., the U.S. Department of Energy/Electricity Delivery, and the U.S. Army/Armament Research, Development and Engineering Center, Picatinny Arsenal, N.J.

The developers adopted a different operational physics for this device, which operates on minority carrier transportation and an integrated third terminal rectifier, which is one more than other commercial SiC devices. Developers adopted a new fabrication technique that supports ratings above 6,500 V, as well as a new gate-anode design for high-current devices. Capable of performing at temperatures up to 300 C and current at 80 UN, the SiC Thyristor offers up to 10 times higher voltage, four times higher blocking voltages, e 100 times faster switching frequency than silicon-based thyristors.

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GeneSiC vince il prestigioso premio R&D100 Award for SiC Devices in Grid-connected Solar and Wind Energy Applications

DULLI, VA, July 14, 2011 — R&D Magazine has selected GeneSiC Semiconductor Inc. of Dulles, VA as a recipient of the prestigious 2011 R&D 100 Award for the commercialization of Silicon Carbide devices with high voltage ratings.

GeneSiC Semiconductor Inc, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored last week with the announcement that it has been awarded the prestigious 2011 R&D 100 Award. This award recognizes GeneSiC for introducing one of the most significant, newly introduced research and development advances among multiple disciplines during 2010. R&D Magazine recognized GeneSiC’s Ultra-High Voltage SiC Thyristor for its ability to achieve blocking voltages and frequencies never utilized before towards power electronics demonstrations. The voltage ratings of >6.5kV, on-state current rating of 80 A and operating frequencies of >5 kHz are much higher than those previously introduced in the marketplace. These capabilities achieved by GeneSiC’s Thyristors critically enable power electronics researchers to develop grid-tied inverters, Flexible

AC Transmission Systems (FACTS) and High Voltage DC Systems (HVDC). This will allow new inventions and product developments within renewable energy, inverter solari, wind power inverters, and energy storage industries. Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC continues to develop its family of Silicon Carbide Thyristor products. The R&D on early version for power conversion applications were developed through SBIR funding support from US Dept. of Energy. More advanced, Pulsed Power optimized SiC Thyristors are being developed under another SBIR contract with ARDEC, US Army. Using these technical developments, internal investment from GeneSiC and commercial orders from multiple customers, GeneSiC was able to offer these UHV Thyristors as commercial products.

The 49th annual technology competition run by R&D Magazine evaluated entries from various companies and industry players, research organizations and universities around the world. The magazine’s editors and a panel of outside experts served as judges, evaluating each entry in terms of its importance to the world of science and research.

According to R&D Magazine, winning an R&D 100 Award provides a mark of excellence known to industry, government, and academia as proof that the product is one of the most innovative ideas of the year. This award recognizes GeneSiC as a global leader in the creation of technology-based products that make a difference in how we work and live.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC sfrutta la sua competenza di base nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC al numero 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor Selected to Showcase Technology at 2011ARPA-E Energy Innovation Summit

Feb 28, 2011 – Dulles, VA – GeneSiC Semiconductor is excited to announce its selection for the prestigious Technology Showcase at the ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, President, Dr. Ranbir Singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – Marzo 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC sfrutta la sua competenza di base nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, Esercito, NASA, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, engineers, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Visit www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Visit www.ct-si.org for more information.

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GeneSiC wins power management project from NASA in support of future Venus exploration missions

dic 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (SiC) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” disse il Dott. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC al numero 703-996-8200 o visitando www.genesicsemi.com.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC sfrutta la sua competenza di base nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa.

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Multi-kHz, Ultra-High Voltage Silicon Carbide Thyristors sampled to US Researchers

DULLI, VA, nov. 1, 2010 –In a first of its kind offering, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power electronics for Smart Grid applications. Revolutionary performance advantages of these power devices are expected to spur key innovations in utility-scale power electronics hardware to increase the accessibility and exploitation of Distributed Energy Resources (DER). “Until now, multi-kV Silicon Carbide (SiC) power devices were not openly available to US researchers to fully exploit the well-known advantages– namely 2-10kHz operating frequencies at 5-15kV ratings – of SiC-based power devices.” commented Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC. “GeneSiC has recently completed delivery of many 6.5kV/40A, 6.5kV/60A and 6.5kV/80A Thyristors to multiple customers conducting research in renewable energy, Army and Naval power system applications. SiC devices with these ratings are now being offered more widely.”

Silicon Carbide based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation as compared to conventional Silicon-based Thyristors. Targeted applications research opportunities for these devices include general purpose medium voltage power conversion (MVDC), Grid-tied solar inverters, wind power inverters, pulsed power, weapon systems, ignition control, and trigger control. It is now well established that ultra-high voltage (>10kV) Silicon Carbide (SiC) device technology will play a revolutionary role in the next-generation utility grid. Thyristor-based SiC devices offer the highest on-state performance for >5 kV devices, and are widely applicable towards medium voltage power conversion circuits like Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR compensators and Series Compensators. SiC based Thyristors also offer the best chance of early adoption due to their similarities to conventional power grid elements. Deploying these advanced power semiconductor technologies could provide as much as a 25-30 percent reduction in electricity consumption through increased efficiencies in delivery of electrical power.

Dr. Singh continues “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” GeneSiC is a fast emerging innovator in the area of SiC power devices and has a strong commitment to the development of Silicon Carbide (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera.

Located near Washington, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, high-power and ultra high-voltage silicon carbide (SiC) dispositivi. Current development projects include high-temperature rectifiers, SuperJunction Transistors (SJT) and a wide variety of Thyristor based devices. GeneSiC has or has had prime/sub-contracts from major US Government agencies, including the Department of Energy, Marina Militare, Esercito, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. The company is currently experiencing substantial growth, and hiring qualified personnel in power-device and detector design, fabbricazione, and testing. To find out more, per favore visita www.genesicsemi.com.