DULLI, Va., Feb. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 Transistori a giunzione V SiC. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, alimentatori per telecomunicazioni e reti, gruppi di continuità, inverter solari, industrial motor control systems, and downhole applications.
I transistor a giunzione offerti da GeneSiC mostrano capacità di commutazione ultraveloci, un'area operativa sicura con polarizzazione inversa quadrata (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura. Questi interruttori sono privi di ossido di gate, normalmente spento, mostrano un coefficiente di temperatura positivo della resistenza on, e sono in grado di essere guidati dal commerciale, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT, a differenza di altri interruttori SiC. Pur offrendo compatibilità con i driver SiC JFET, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.
“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, pur richiedendo elevate efficienze del circuito, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” disse il Dott. Ranbir Singh , Presidente di GeneSiC Semiconductor.
1700 V Junction Transistor Technical Highlights
- Tre offerte – 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); e 500 mOhm (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanosecondi tipici.
1200 V Junction Transistor Technical Highlights
- Two offerings – 220 mOhm (GA06JT12-247); e 460 mOhm (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanosecondi tipici
Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Pacchetti TO-247 conformi a RoHS. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i distributori autorizzati GeneSiC.
