פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019Exploiting the high temperature promise of SiC פברואר, 2012 Exploiting the high temperature promise of SiC
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019סיליקון קרביד “Super” Junction Transistors Operating at 500°C Apr, 2012 סיליקון קרביד “Super” Junction Transistors Operating at 500°C
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019Stability of Electrical Characteristics of SiC “Super” Junction Transistors under Long-Term DC and Pulsed Operation at various Temperatures מאי, 2012 Stability of Electrical Characteristics of SiC “Super” Junction Transistors under Long-Term DC and Pulsed Operation at various Temperatures
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability מאי, 2012 SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs אוקטובר, 2012 Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 201910 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics מאי, 2013 10 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019טרנזיסטורי צומת SiC מתבגרים במהירות עם רווח זרם (ב) > 130, מתחי חסימה עד 2700 V והפעלה יציבה לטווח ארוך אוקטובר, 2013 טרנזיסטורי צומת SiC מתבגרים במהירות עם רווח זרם (ב) > 130, מתחי חסימה עד 2700 V והפעלה יציבה לטווח ארוך
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation Apr, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers Jun, 2014 Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019AN-10A Driving SiC Junction Transistors (SJT) with Off-the-Shelf Silicon IGBT Gate Drivers: Single-Level Drive Concept מאי 2013 AN-10A Driving SiC Junction Transistors (SJT) with Off-the-Shelf Silicon IGBT Gate Drivers: Single-Level Drive Concept