מְחַבֵּר: עורך 0

DULLES, Va., פברואר. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה מתח מכריזים היום על זמינות מיידית של משפחה של 1700V ו- 1200 טרנזיסטורי V SiC Junction. שילוב מתח גבוה, טרנזיסטורי SiC Junction בעלי תדר גבוה וטמפרטורה גבוהה יגדילו את יעילות ההמרה ויפחיתו את הגודל/משקל/נפח של אלקטרוניקת הספק. מכשירים אלה מיועדים לשימוש במגוון רחב של יישומים כולל שרת, ספקי כוח טלקום ורשת, ספקי כוח בלתי פסיקים, ממירים סולאריים, מערכות בקרת מנוע תעשייתי, ויישומים למטה.

טרנזיסטורי צומת המוצעים על ידי GeneSiC מציגים יכולת מיתוג מהירה במיוחד, אזור פעולה בטוח מוטה הפוכה מרובע (RBSOA), כמו גם הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג בלתי תלויים בטמפרטורה. מתגים אלה הם ללא תחמוצת שער, בדרך כלל כבוי, מציגים טמפרטורה חיובית שיתופית של התנגדות, והם מסוגלים להיות מונעים על ידי מסחרי, זמין בדרך כלל 15 דרייברים לשער V IGBT, בניגוד למתגי SiC אחרים. תוך מתן תאימות עם מנהלי התקנים של SiC JFET, ניתן להקביל בקלות לטרנזיסטורי צומת בגלל מאפייני המעבר התואמים שלהם.

“כאשר מתכנני מערכות חשמל ממשיכים לדחוף את גבולות תדירות ההפעלה, תוך שהוא דורש יעילות מעגל גבוהה, הצורך במתגי SiC שיכולים להציע סטנדרט של ביצועים ואחידות ייצור. ניצול המכשיר הייחודי וחידושי הייצור, מוצרי הטרנזיסטור של GeneSiC עוזרים למעצבים להשיג את כל זה בפתרון חזק יותר,” אמר ד"ר. רנביר סינג , נשיא GeneSiC Semiconductor.

1700 דגשים טכניים של טרנזיסטור V צומת

• שלוש הצעות - 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); ו 500 mOhms (GA04JT17-247)
• Tjmax = 175°C
• הפעלה/כיבוי של זמני עלייה/נפילה <50 ננו שניות אופייניות.

1200 דגשים טכניים של טרנזיסטור V צומת

• שתי הצעות - 220 mOhms (GA06JT12-247); ו 460 mOhms (GA03JT12-247)
• Tjmax = 175°C
• הפעלה/כיבוי של זמני עלייה/נפילה <50 ננו שניות אופייניות

כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח / זרם מלא ושוכן ללא הלוגן, חבילות TO-247 תואמות RoHS. המכשירים זמינים באופן מיידי מהמפיצים המורשים של GeneSiC.

אוגוסט 30, 2011 – דאלס, VA - פיסיקה חדשה מאפשרת לתיריסטורים להגיע לרמה גבוהה יותר

רשת חשמל מספקת כוח אמין בעזרת מכשירים אלקטרוניים המבטיחים חלק, זרימת כוח אמינה. עד עכשיו, הסתמכו על מכלולים מבוססי סיליקון, אבל הם לא הצליחו להתמודד עם הדרישות של הרשת החכמה. חומרים בעלי פס רחב כגון סיליקון קרביד (SiC) מציעים אלטרנטיבה טובה יותר מכיוון שהם מסוגלים למהירויות מיתוג גבוהות יותר, מתח פירוק גבוה יותר, הפסדי מיתוג נמוכים יותר, וטמפרטורת צומת גבוהה יותר ממתגים מסורתיים מבוססי סיליקון. התקן מבוסס SiC הראשון שהגיע לשוק הוא תיריסטור הסיליקון קרביד במתח גבוה במיוחד (תיריסטור SiC), פותח על ידי GeneSiC Semiconductor Inc., דאלס, Va., עם תמיכה מהמעבדות הלאומיות של Sandia, אלבקרקי, נ.מ., ארצות הברית. מחלקת אנרגיה / אספקת חשמל, וארה"ב. חקר צבא/חימוש, מרכז פיתוח והנדסה, פיקטיני ארסנל, N.J..

המפתחים אימצו פיזיקה תפעולית שונה עבור מכשיר זה, הפועלת בהובלת נושאות מיעוטים ומיישר מסוף שלישי משולב, שהוא אחד יותר ממכשירי SiC מסחריים אחרים. מפתחים אימצו טכניקת ייצור חדשה התומכת בדירוגים לעיל 6,500 ו, כמו גם עיצוב שער-אנודה חדש עבור מכשירים בעלי זרם גבוה. מסוגל לפעול בטמפרטורות של עד 300 C וזרם ב 80 א, ה-SiC Thyristor מציע עד 10 מתח גבוה פי כמה, מתחי חסימה גבוהים פי ארבעה, ו 100 תדר מיתוג מהיר פי כמה מאשר תיריסטורים מבוססי סיליקון.

DULLES, VA, יולי 14, 2011 — ר&מגזין D בחר ב- GeneSiC Semiconductor Inc. של דאלס, VA כמקבל את היוקרתי 2011 ר&ד 100 פרס על מסחור של התקני סיליקון קרביד עם דירוג מתח גבוה.

GeneSiC Semiconductor Inc., חדשן מרכזי במכשירי הכוח מבוססי סיליקון קרביד זכה לכבוד בשבוע שעבר בהכרזה שהוא זכה בתואר היוקרתי 2011 ר&ד 100 פרס. פרס זה מכיר ב- GeneSiC על הצגת אחד המשמעותיים ביותר, התקדמות מחקר ופיתוח שהוצגו לאחרונה בקרב דיסציפלינות מרובות במהלך 2010. ר&מגזין D זיהה את התיריסטור SiC האולטרה-גבוה של GeneSiC על יכולתו להשיג מתחים ותדרים חסימה שלא נוצלו מעולם לקראת הדגמות של אלקטרוניקה כוח. דירוגי המתח של >6.5kV, דירוג נוכחי במדינה של 80 A ותדרי הפעלה של >5 kHz גבוהים בהרבה מאלה שהוצגו בעבר בשוק. היכולות הללו שהושגו על ידי התיריסטורים של GeneSiC מאפשרות באופן קריטי לחוקרי האלקטרוניקה הכוח לפתח ממירים הקשורים לרשת, גָמִישׁ

מערכות הילוכים AC (עובדות) ומערכות מתח גבוה DC (HVDC). זה יאפשר המצאות חדשות ופיתוחי מוצרים בתחום האנרגיה המתחדשת, ממירים סולאריים, ממירי כוח רוח, ותעשיות אחסון אנרגיה. ד"ר. רנביר סינג, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC continues to develop its family of Silicon Carbide Thyristor products. ה-R&D on early version for power conversion applications were developed through SBIR funding support from US Dept. of Energy. More advanced, Pulsed Power optimized SiC Thyristors are being developed under another SBIR contract with ARDEC, US Army. Using these technical developments, internal investment from GeneSiC and commercial orders from multiple customers, GeneSiC was able to offer these UHV Thyristors as commercial products.

The 49th annual technology competition run by R&מגזין D העריך ערכים מחברות ושחקנים שונים בתעשייה, ארגוני מחקר ואוניברסיטאות ברחבי העולם. עורכי המגזין ופאנל של מומחים חיצוניים שימשו כשופטים, הערכת כל ערך מבחינת חשיבותו לעולם המדע והמחקר.

לפי ר&מגזין D, זכייה ב-R&ד 100 הפרס מעניק ציון מצוינות המוכר לתעשייה, מֶמְשָׁלָה, והאקדמיה כהוכחה לכך שהמוצר הוא אחד הרעיונות החדשניים ביותר של השנה. פרס זה מכיר ב- GeneSiC כמובילה עולמית ביצירת מוצרים מבוססי טכנולוגיה שעושים את ההבדל באופן שבו אנו עובדים וחיים.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקור www.genesicsemi.com.

פברואר 28, 2011 – דאלס, VA - GeneSiC Semiconductor מתרגשת להכריז על בחירתה לתצוגת הטכנולוגיה היוקרתית בפסגת החדשנות באנרגיה ARPA-E, אירוח בשיתוף סוכנות פרויקטי המחקר המתקדמים של משרד האנרגיה - אנרגיה (ARPA-E) וארגון טכנולוגיה נקייה ותעשיות בנות קיימא (CTSI). מאות טכנולוגים מובילים וארגוני טכנולוגיה נקייה מהשורה הראשונה התחרו על להשתתף ב-Showcase, מסדרון של הסיכויים המבטיחים ביותר של אמריקה לזכייה בעתיד באנרגיה.

כאחד הארגונים הנבחרים של ARPA-E, GeneSiC Semiconductor תציג את הסיליקון קרביד שלה כמעט 2,000 מנהיגים לאומיים מתאספים כדי להניע את התחרותיות האמריקאית לטווח ארוך במגזר האנרגיה, כולל חוקרים מובילים, משקיעים, יזמים, מנהלי תאגידים ופקידי ממשל. יותר מ 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, נָשִׂיא, ד"ר. רנביר סינג. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – מרץ 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

על GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc.. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, צָבָא, NASA, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. משרד האנרגיה - והראשון שהתמקד אך ורק בטכנולוגיות אנרגיה פורצות דרך שיכולות לשנות באופן קיצוני את הדרך בה אנו משתמשים באנרגיה. במקום לבצע מחקר ישירות, ARPA-E משקיעה בסיכון גבוה, טכנולוגיות אנרגיה בעלות תגמול גבוה המפותחות על ידי אוניברסיטאות, סטארט-אפים, עסקים קטנים, ותאגידים. הצוות שלנו משלב מדענים מובילים בתעשייה, מהנדסים, ומנהלי השקעות כדי לזהות פתרונות מבטיחים לבעיות האנרגיה הקריטיות ביותר של המדינה ולקדם טכנולוגיות מובילות לכיוון השוק - דבר שהוא קריטי להבטחת ההובלה הטכנולוגית הגלובלית של המדינה וליצירת תעשיות ועבודות אמריקאיות חדשות.. לְבַקֵר www.arpa-e.energy.govלמידע נוסף.

לגבי CTSI

הטכנולוגיה הנקייה & ארגון תעשיות בנות קיימא (CTSI), איגוד תעשייתי 501c6 ללא מטרות רווח, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. לְבַקֵר www.ct-si.org למידע נוסף.

Dec 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (SiC) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” אמר ד"ר. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקור www.genesicsemi.com.

על GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה.

DULLES, VA, נובמבר. 1, 2010 –בהנפקה ראשונה מסוגה, GeneSiC Semiconductor מכריזה על זמינות של משפחה של תיריסטורי סיליקון קרביד במצב SCR 6.5kV לשימוש באלקטרוניקה עבור יישומי רשת חכמה. יתרונות הביצועים המהפכניים של התקני הכוח הללו צפויים לדרבן חידושים מרכזיים בחומרת האלקטרוניקה החשמלית בקנה מידה שימושי כדי להגביר את הנגישות והניצול של משאבי אנרגיה מבוזרים (ה). "עד עכשיו, סיליקון קרביד רב קילו וולט (SiC) התקני חשמל לא היו זמינים בגלוי לחוקרים בארה"ב כדי לנצל במלואם את היתרונות הידועים - כלומר תדרי הפעלה של 2-10kHz בדירוג 5-15kV - של התקני חשמל מבוססי SiC." העיר דר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. “GeneSiC has recently completed delivery of many 6.5kV/40A, 6.5kV/60A and 6.5kV/80A Thyristors to multiple customers conducting research in renewable energy, Army and Naval power system applications. SiC devices with these ratings are now being offered more widely.”

Silicon Carbide based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation as compared to conventional Silicon-based Thyristors. Targeted applications research opportunities for these devices include general purpose medium voltage power conversion (MVDC), Grid-tied solar inverters, ממירי כוח רוח, pulsed power, weapon systems, ignition control, and trigger control. It is now well established that ultra-high voltage (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) device technology will play a revolutionary role in the next-generation utility grid. Thyristor-based SiC devices offer the highest on-state performance for >5 kV devices, and are widely applicable towards medium voltage power conversion circuits like Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR compensators and Series Compensators. SiC based Thyristors also offer the best chance of early adoption due to their similarities to conventional power grid elements. Deploying these advanced power semiconductor technologies could provide as much as a 25-30 percent reduction in electricity consumption through increased efficiencies in delivery of electrical power.

ד"ר. Singh continues “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. אנו מתכוונים לשחרר דורות עתידיים של תיריסטורים SiC המותאמים ליכולת כיבוי מבוקרת שער ו >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, מוגבל לטמפרטורות צומת של 150oC." GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.

ממוקם ליד וושינגטון, DC בדאלס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים. פרויקטי פיתוח נוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו לו חוזי ראשי/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה נמצאת כעת בצמיחה משמעותית, והעסקת כוח אדם מוסמך בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.

DULLES, VA, September 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel ultra high-voltage silicon carbide (SiC) Thyristor based devices. These devices are expected to be key enablers for integrating large-scale wind and solar power plants into the next-generation Smart Grid.

“This highly competitive award to GeneSiC will allow us to extend our technical leadership position in the multi-kV Silicon Carbide technology, as well as our commitment to grid-scale alternative energy solutions with solid state solutions,” commented Dr. רנביר סינג, נשיא GeneSiC. “Multi-kV SiC Thyristors we’re developing are the key enabling technology towards the realization of Flexible AC Transmission Systems (עובדות) elements and High Voltage DC (HVDC) architectures envisaged towards an integrated, efficient, Smart Grid of the future. GeneSiC’s SiC-based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation in FACTS and HVDC power processing solutions as compared to conventional Silicon-based Thyristors.”

In April 2010, GeneSiC responded to the Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) solicitation from ARPA-E that sought to invest in materials for fundamental advances in high voltage switches that has the potential to leapfrog existing power converter performance while offering reductions in cost. The company’s proposal titled “Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power conversion” was selected to provide a lightweight, solid-state, medium voltage energy conversion for high power applications such as solid-state electrical substations and wind turbine generators. Deploying these advanced power semiconductor technologies could provide as much as a 25-30 percent reduction in electricity consumption through increased efficiencies in delivery of electrical power. Innovations selected were to support and promote U.S. businesses through technological leadership, through a highly competitive process.

Silicon carbide is a next-generation semiconductor material with vastly superior properties to conventional silicon, such as the ability to handle ten times the voltage—and one-hundred times the current—at temperatures as high as 300ºC. These characteristics make it ideally suited to high-power applications such as hybrid and electric vehicles, renewable energy (wind and solar) installations, and electrical-grid control systems.

It is now well established that ultra-high voltage (>10kV) סיליקון קרביד (SiC) device technology will play a revolutionary role in the next-generation utility grid. Thyristor-based SiC devices offer the highest on-state performance for >5 kV devices, and are widely applicable towards medium voltage power conversion circuits like Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR Compensators and Series Compensators. SiC based Thyristors also offer the best chance of early adoption due to their similarities to conventional power grid elements. Other promising applications and advantages for these devices include:

• Power-management and power-conditioning systems for Medium Voltage DC conversion sought under Future Naval Capability (FNC) of US Navy, Electro-magnetic launch systems, high energy weapon systems and medical imaging. The 10-100X higher operating frequency capability allows unprecedented improvements in size, weight, volume and ultimately, cost of such systems.
• A variety of energy storage, high-temperature and high-energy physics applications. Energy storage and power grid applications are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy-management solutions.

GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט.

“We’ve emerged as a leader in ultra-high voltage SiC technology by leveraging our core competency in device and process design with an extensive suite of fabrication, characterization, and test facilities,” concludes Dr. Singh. “GeneSiC’s position has now been effectively validated by the US DOE with this significant follow-on award.”

על GeneSiC Semiconductor

Strategically located near Washington, DC בדאלס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים. פרויקטי פיתוח נוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, טרנזיסטורי SuperJunction (SJT) ומגוון רחב של מכשירים מבוססי תיריסטור. ל- GeneSiC יש או היו לו חוזי ראשי/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה נמצאת כעת בצמיחה משמעותית, והעסקת כוח אדם מוסמך בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.

Wednesday, November 12th 2008 – The US Department of Energy has awarded GeneSiC Semiconductor two separate grants totaling $1.5M for the development of high-voltage silicon carbide (SiC) devices that will serve as key enablers for wind- and solar-power integration with the nation’s electricity grid.

“These awards demonstrate the DOE’s confidence in GeneSiC’s capabilities, as well as its commitment to alternative energy solutions,” notes Dr. רנביר סינג, president of GeneSiC. “An integrated, efficient power grid is critical to the nation’s energy future — and the SiC devices we’re developing are critical for overcoming the inefficiencies of conventional silicon technologies.”

The first award is a $750k Phase II SBIR grant for the development of fast, ultra-high-voltage SiC bipolar devices. The second is a $750k Phase II STTR grant for the development of optically gated high-power SiC switches.

Silicon carbide is a next-generation semiconductor material with the ability to handle 10x the voltage and 100x the current of silicon, making it ideally suited to high-power applications such as renewable energy (wind and solar) installations and electrical-grid control systems.

Specifically, the two awards are for:

• Development of high-frequency, multi-kilovolt SiC gate-turn-off (GTO) power devices. Government and commercial applications include power-management and conditioning systems for ships, the utility industry, and medical imaging.
• Design and fabrication of optically gated high-voltage, high-power SiC switching devices. Using fiber-optics to switch power is an ideal solution for environments plagued by electro-magnetic interference (EMI), and applications that require ultra high-voltages.

The SiC devices GeneSiC is developing serve a variety of energy storage, power grid, and military applications, which are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy-management solutions.

Based outside Washington, DC בדאלס, וירג'יניה, GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים. פרויקטי פיתוח נוכחיים כוללים מיישרים בטמפרטורה גבוהה, field-effect transistors (FETs) and bipolar devices, as well as particle & גלאים פוטוניים. GeneSiC has prime/sub-contracts from major US Government agencies, כולל משרד האנרגיה, חיל הים, DARPA, והמשרד לביטחון פנים. החברה נמצאת כעת בצמיחה משמעותית, והעסקת כוח אדם מוסמך בתכנון מכשירי חשמל וגלאים, זִיוּף, ובדיקה. לגלות עוד, בבקשה תבקר www.genesicsemi.com.

DULLES, VA, אוקטובר. 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., a fast-rising innovator of high-temperature, סיליקון קרביד בעל הספק גבוה ומתח גבוה במיוחד (SiC) מכשירים, announced that is has been awarded three separate small business grants from the US Department of Energy during FY07. The SBIR and STTR grants will be used by GeneSiC to demonstrate novel high-voltage SiC devices for a variety of energy storage, power grid, high-temperature and high-energy physics applications. Energy storage and power grid applications are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy management solutions.

“We are pleased with the level of confidence expressed by various offices within the US Department on Energy with regard to our high-power device solutions. Injecting this funding into our advanced SiC technology programs will result in an industry-leading line SiC devices,” commented GeneSiC’s President, ד"ר. רנביר סינג. “The devices being developed in these projects promise to provide critical enabling technology to support a more-efficient power grid, and will open the door to new commercial and military hardware technology that has remained unrealized due to the limitations of contemporary silicon-based technologies.”

The three projects include:

• A new Phase I SBIR award focused on high current, multi-kV Thyristor-based devices geared towards energy storage applications.
• A Phase II SBIR follow-on award for development of multi-kV SiC power devices for high voltage power supplies for high power RF system applications awarded by the DOE Office of Science.
• A Phase I STTR award focused on optically gated high-voltage, high-frequency SiC power devices for environments rich in electro-magnetic interference, including high power RF energy systems, and directed energy weapon systems.

Along with the awards, GeneSiC has recently relocated operations to an expanded laboratory and office building in Dulles, וירג'יניה, significantly upgrading its equipment, infrastructure and is in the process of adding additional key personnel.

“GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה, backing that up with access to an extensive suite of fabrication, characterization and testing facilities,” concluded Dr. Singh. “We feel those capabilities have been effectively validated by the US DOE with these new and follow-on awards.”

מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקור www.genesicsemi.com.