Dulles, Virginie., Mars 5, 2013 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its second generation hybrid mini-modules using 1200 V/100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with rugged Silicon IGBTs – the GB100XCP12-227. The performance-price point at which this product is being released allows many power conversion applications to benefit from the reduction of the cost/size/weight/volume that neither Silicon IGBT/ Silicon Rectifier solution, nor a pure SiC Module can offer. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including industrial motors, solar inverters, specialized equipment and power grid applications.
SiC Schottky/Si IGBT mini-modules (Co-packs) offered by GeneSiC are made with Si IGBTs that exhibit positive temperature coefficient of on-state drop, robust punchthrough design, high temperature operation and fast switching characteristics that are capable of being driven by commercial, couramment disponible 15 Pilotes de grille V IGBT. The SiC rectifiers used in these Co-pack modules allow extremely low inductance packages, low on-state voltage drop and no reverse recovery. The SOT-227 package offers isolated baseplate, 12mm low profile design that can be used very flexibly as a standalone circuit element, high current paralleled configuration, a Phase Leg (two modules), or as a chopper circuit element.
“We listened to our key customers since the initial offering of this product almost 2 years back. This second generation 1200 V/100 A Co-pack product has a low inductance design that is suitable for high frequency, high temperature applications. The poor high temperature and reverse recovery characteristics of Silicon diodes critically limits the use of IGBTs at higher temperatures. Faible VF de GeneSiC, low capacitance SiC Schottky Diodes enable this breakthrough product” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.
1200 V/100 A Si IGBT/SiC Rectifier Technical Highlights
- Chute à l'état de 1.9 V à 100 UNE
- Coefficient de température positif sur VF
- Tjmax = 175°C
- Turn-On Energy Losses 23 microJoules (typique).
Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/intensité nominale et logé dans un boîtier sans halogène, RoHS compliant industry-standard SOT-227 packages. Les dispositifs sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés de GeneSiC.
À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristors, ainsi que des produits redresseurs au silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle et des connaissances techniques étendues qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs de puissance SiC, avec des produits ciblés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans interruption. GeneSiC a obtenu de nombreux contrats de recherche et développement auprès d'agences gouvernementales américaines, y compris l'ARPA-E, Ministère de l'Énergie, Marine, Armée, DARPA, DTRA, et le Département de la sécurité intérieure, ainsi que les grands donneurs d'ordre gouvernementaux. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix D100 pour la commercialisation de thyristors SiC ultra haute tension.
