DULLES, Va., Feb. 25, 2013 /PRNewswire-iReach/ — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 Transistors à jonction V SiC. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, alimentations télécoms et réseaux, alimentations sans interruption, solar inverters, industrial motor control systems, and downhole applications.
Les transistors de jonction proposés par GeneSiC présentent une capacité de commutation ultra-rapide, une zone d'opération sûre à polarisation inverse carrée (RBSO), ainsi que les pertes d'énergie transitoires et les temps de commutation indépendants de la température. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présentent un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être motivés par des impératifs commerciaux, couramment disponible 15 Pilotes de grille V IGBT, contrairement aux autres commutateurs SiC. Tout en offrant une compatibilité avec les pilotes SiC JFET, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.
“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, tout en exigeant des rendements de circuit élevés, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Utilisation du dispositif unique et des innovations de fabrication, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” dit le docteur. Ranbir Singh , Président de GeneSiC Semiconductor.
1700 V Junction Transistor Technical Highlights
- Trois offres - 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); et 500 mOhms (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanosecondes typique.
1200 V Junction Transistor Technical Highlights
- Two offerings – 220 mOhms (GA06JT12-247); et 460 mOhms (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanosecondes typique
Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/intensité nominale et logé dans un boîtier sans halogène, Forfaits TO-247 conformes RoHS. Les dispositifs sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés de GeneSiC.
