Posté sur juin 10, 2019juin 10, 2019 par Éditeur0Un DMOSFET de puissance 4H-SiC à grande surface de 10 kV avec un comportement sous-seuil stable indépendamment de la température Août, 2008Un DMOSFET de puissance 4H-SiC à grande surface de 10 kV avec un comportement sous-seuil stable indépendamment de la température