Ang Gate Driver Board na na-optimize para sa mataas na bilis ng paglipat at mga modelo na nakabatay sa pag-uugali ay nagbibigay-daan sa mga inhinyero ng elektronikong disenyo ng kapangyarihan upang i-verify at quantify ang mga benepisyo ng SJTs sa pagsusuri sa antas ng board at circuit simulation
DULLES, V.A., Nobyembre 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) Power semiconductors ngayon announces ang agarang availability ng Gate Driver pagsusuri board at ay pinalawak nito disenyo ng suporta para sa pinakamababang pagkawala switch ng industriya – ang SiC Junction Transistor (SJT) – gamit ang isang ganap na kwalipikadong LTSPICE IV modelo. Paggamit ng bagong Gate Driver Board, kapangyarihan conversion circuit designer ay maaaring i-verify ang mga benepisyo ng sub-15 nanosecond, temperatura independiyenteng mga katangian ng paglipat ng SiC Junction Transistors, may mababang pagkawala ng kapangyarihan ng driver. Pagsasama ng mga bagong modelo ng SPICE, circuit designer ay maaaring madaling suriin ang mga benepisyo GeneSiC's SJTs magbigay para sa pagkamit ng isang mas mataas na antas ng kahusayan kaysa sa ay posible sa maginoo silicone power switching aparato para sa comparably rated na mga aparato.
Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 naaangkop patungo sa SJTs mula sa GeneSiC
Ang mga Transistor ng SiC Junction ay may makabuluhang iba't ibang mga katangian kaysa sa iba pang mga teknolohiya ng SiC Transistor, pati na rin ang Silicon Transistors. Ang mga board ng Gate Driver na maaaring magbigay ng mababang pagkawala ng kuryente habang nag-aalok pa rin ng mataas na bilis ng paglipat ay kinakailangan upang magbigay ng mga solusyon sa pagmamaneho para sa paggamit ng mga benepisyo ng SiC Junction Transistors. GeneSiC ay ganap na nakahiwalay GA03IDDJT30-FR4 Gate driver board tumatagal sa 0/12V at isang TTL signal sa pinakamainam na kondisyon ang boltahe / kasalukuyang waveforms kinakailangan upang magbigay ng maliit na tumaas / mahulog beses, habang pinapaliit pa rin ang patuloy na kasalukuyang kinakailangan para mapanatili ang Normal-OFF SJT na nagsasagawa sa panahon ng on-state. Ang configuration ng pin at form na mga kadahilanan ay pinananatiling katulad ng iba pang mga SiC transistor. GeneSiC ay inilabas din Gerber file at BOMs sa end-user upang paganahin ang mga ito upang isama ang mga benepisyo ng driver disenyo makabagong-likha natanto.
Ang mga SJT ay nag-aalok ng maayos na pag-uugali sa estado at mga katangian ng paglipat, ginagawang madali upang lumikha ng pag-uugali batay SPICE modelo na sumasang-ayon kapansin-pansin na rin sa mga pinagbabatayan physics based na mga modelo pati na rin. Paggamit ng mahusay na itinatag at nauunawaan physics-based na mga modelo, Ang mga parameter ng SPICE ay inilabas pagkatapos ng malawak na pagsubok sa pag-uugali ng aparato. Ang mga modelo ng SPICE ng GeneSiC ay inihahambing sa eksperimentong nasusukat na data sa lahat ng datasheet ng aparato at naaangkop sa lahat 1200 V at 1700 V SiC Junction Transistors inilabas.
Ang mga Gene ng SJTs ay may kakayahang maghatid ng mga frequency ng paglipat na higit pa sa 15 Mas mataas kaysa sa mga solusyon na nakabase sa IGBT. Ang kanilang mas mataas na frequency ng paglipat ay maaaring paganahin ang mas maliit na magnetic at capacitive elements, Na pumayat sa pamamagitan ng pangkalahatang laki, Timbang at gastos ng mga sistema ng electronics ng kuryente.
Ang modelo ng SiC Junction Transistor SPICE na ito ay nagdaragdag sa komprehensibong suite ng GeneSiC ng mga tool sa suporta sa disenyo, teknikal na dokumentasyon, at impormasyon ng pagiging maaasahan upang magbigay ng mga inhinyero ng electronics ng kapangyarihan na may mga mapagkukunan ng disenyo na kinakailangan upang ipatupad ang komprehensibong pamilya ng GeneSiC Junction Transistors at Rectifiers sa susunod na henerasyon ng mga sistema ng kapangyarihan.
Ang mga datasheet ng Gate Driver Board ng GeneSiC at mga modelo ng SJT SPICE ay maaaring i download mula sa http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
