Dr. Ranbir Singh itinatag GeneSic Semiconductor Inc. sa 2004. Bago na siya nagsagawa ng pananaliksik sa SiC power devices unang sa Cree Inc, at pagkatapos ay sa NIST, Gathersburg, MD. Siya ay bumuo ng kritikal na pag-unawa at inilathala sa isang malawak na hanay ng mga aparato ng SiC kabilang ang PiN, JBS at Schotky diodes, MOSFETS, Mga IGBT, Thyristors at field kinokontrol thyristors. Natanggap niya ang kanyang Ph.D. at MS degrees sa Electrical at Computer Engineering, mula sa North Carolina State University, Raleigh, NC, at B. Tech mula sa Indian Institute of Technology, Delhi. Sa 2012, EE Times na pinangalanang Dr. Singh tulad ng sa "Apatnapung Innovators gusali ang pundasyon ng susunod na henerasyon electronics industriya." Sa 2011, napanalunan niya ang R&D100 award patungo sa kanyang mga pagsisikap sa commercializing 6.5kV Sic Thyristors. Siya ay inilathala sa paglipas ng 200 journal at mga papeles sa kumperensya, ay isang may-akda sa higit sa 30 Inisyu NG US patent, at may-akda ng isang libro.

Dr. Siddarth Sundaresan ay GeneSiC's Vice-President of Technology. Natanggap niya ang kanyang M.S.S. at Ph.D. degrees sa Electrical Engineering mula sa George Mason University noong 2004 at 2007, magalang. Dr. Sundaresan ay nailathala higit pa sa 65 teknikal na mga artikulo at kumperensya proceedings sa device, materyales at pagpoproseso ng mga aspeto ng kapangyarihan aparato na tela sa SiC at GaN. Naglingkod siya sa teknikal na programa ng International Conference sa Sic at Kaugnay na mga Materyal (ICSCRM) at ito ay isang kasalukuyang teknikal na miyembro ng komite para sa International Symposium sa Power Semiconductor Devices at ICS (ISPS).