فئة: أخبار

دالاس, فيرجينيا, September 28, 2010 - وكالة المشاريع البحثية المتقدمة - الطاقة (ARPA-E) أبرمت اتفاقية تعاونية مع فريق GeneSiC الذي يقوده أشباه الموصلات من أجل تطوير كربيد السيليكون الجديد عالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة القائمة على الثايرستور. من المتوقع أن تكون هذه الأجهزة عوامل تمكين رئيسية لدمج محطات طاقة الرياح والطاقة الشمسية على نطاق واسع في الجيل التالي من الشبكة الذكية.

"ستسمح لنا هذه الجائزة التنافسية للغاية لشركة GeneSiC بتوسيع مركزنا الريادي التقني في تقنية كربيد السيليكون متعدد كيلوفولت, بالإضافة إلى التزامنا بحلول الطاقة البديلة على نطاق الشبكة مع حلول الحالة الصلبة,”علق د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. "Multi-kV SiC Thyristors التي نعمل على تطويرها هي تقنية التمكين الرئيسية نحو تحقيق أنظمة نقل التيار المتردد المرنة (حقائق) العناصر والجهد العالي DC (HVDC) المعماريات المتوخاة نحو متكامل, فعالة, الشبكة الذكية للمستقبل. توفر الثايرستور المستندة إلى SiC من GeneSiC جهدًا أعلى 10 مرات, 100X ترددات تبديل أسرع وتشغيل درجة حرارة أعلى في حلول معالجة الطاقة FACTS و HVDC مقارنة بالثايرستور التقليدي القائم على السيليكون. "

في أبريل 2010, استجابت GeneSiC للتسليم السريع لتكنولوجيا الطاقة الكهربائية (ADEPT) التماس من ARPA-E الذي سعى إلى الاستثمار في المواد من أجل التقدم الأساسي في مفاتيح الجهد العالي التي لديها القدرة على تجاوز أداء محول الطاقة الحالي مع تقديم تخفيضات في التكلفة. تم اختيار اقتراح الشركة بعنوان "الثايرستور بتبديل أنود كربيد السيليكون لتحويل طاقة الجهد المتوسط" لتوفير وزن خفيف, الحالة الصلبة, تحويل طاقة الجهد المتوسط ​​لتطبيقات الطاقة العالية مثل المحطات الفرعية الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية. الابتكارات التي تم اختيارها كانت لدعم وتعزيز الولايات المتحدة. الأعمال من خلال الريادة التكنولوجية, من خلال عملية تنافسية للغاية.

كربيد السيليكون هو مادة من الجيل التالي من أشباه الموصلات تتمتع بخصائص متفوقة إلى حد كبير مقارنة بالسيليكون التقليدي, مثل القدرة على التعامل مع الجهد عشر مرات - ومائة ضعف التيار - في درجات حرارة تصل إلى 300 درجة مئوية. هذه الخصائص تجعلها مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات عالية الطاقة مثل السيارات الهجينة والكهربائية, طاقة متجددة (الرياح والطاقة الشمسية) المنشآت, وأنظمة التحكم في الشبكة الكهربائية.

لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) Silicon Carbide (كربيد كربيد) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, معوضات VAR الثابتة والمعادلات التسلسلية. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. تشمل التطبيقات والمزايا الواعدة الأخرى لهذه الأجهزة:

• مطلوب أنظمة إدارة الطاقة وتكييف الطاقة لتحويل DC ذات الجهد المتوسط ​​تحت القدرة البحرية المستقبلية (FNC) البحرية الأمريكية, أنظمة الإطلاق الكهرومغناطيسية, أنظمة الأسلحة عالية الطاقة والتصوير الطبي. تسمح قدرة تردد التشغيل الأعلى 10-100X بتحسينات غير مسبوقة في الحجم, وزن, الحجم وفي النهاية, تكلفة هذه الأنظمة.
• مجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, تطبيقات فيزياء درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. تحظى تطبيقات تخزين الطاقة وشبكات الطاقة باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (كربيد كربيد) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.

“لقد برزنا كشركة رائدة في تقنية SiC عالية الجهد من خلال الاستفادة من كفاءتنا الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات من خلال مجموعة واسعة من التصنيع, التوصيف, ومرافق الاختبار,"يختتم د. سينغ. "لقد تم الآن التحقق من صحة موقف GeneSiC بشكل فعال من قبل وزارة الطاقة الأمريكية من خلال جائزة المتابعة الهامة هذه."

حول GeneSiC لأشباه الموصلات

موقع استراتيجي بالقرب من واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.

Wednesday, November 12th 2008 – The US Department of Energy has awarded GeneSiC Semiconductor two separate grants totaling $1.5M for the development of high-voltage silicon carbide (كربيد كربيد) devices that will serve as key enablers for wind- and solar-power integration with the nation’s electricity grid.

“These awards demonstrate the DOE’s confidence in GeneSiC’s capabilities, as well as its commitment to alternative energy solutions,” notes Dr. رانبير سينغ, president of GeneSiC. “An integrated, efficient power grid is critical to the nation’s energy future — and the SiC devices we’re developing are critical for overcoming the inefficiencies of conventional silicon technologies.”

The first award is a $750k Phase II SBIR grant for the development of fast, ultra-high-voltage SiC bipolar devices. The second is a $750k Phase II STTR grant for the development of optically gated high-power SiC switches.

Silicon carbide is a next-generation semiconductor material with the ability to handle 10x the voltage and 100x the current of silicon, making it ideally suited to high-power applications such as renewable energy (الرياح والطاقة الشمسية) installations and electrical-grid control systems.

Specifically, the two awards are for:

• Development of high-frequency, multi-kilovolt SiC gate-turn-off (GTO) power devices. Government and commercial applications include power-management and conditioning systems for ships, the utility industry, and medical imaging.
• Design and fabrication of optically gated high-voltage, high-power SiC switching devices. Using fiber-optics to switch power is an ideal solution for environments plagued by electro-magnetic interference (EMI), and applications that require ultra high-voltages.

The SiC devices GeneSiC is developing serve a variety of energy storage, power grid, and military applications, which are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy-management solutions.

Based outside Washington, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, field-effect transistors (FETs) and bipolar devices, as well as particle & كاشفات فوتونية. GeneSiC has prime/sub-contracts from major US Government agencies, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.

دالاس, فيرجينيا, Oct. 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., a fast-rising innovator of high-temperature, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (كربيد كربيد) الأجهزة, announced that is has been awarded three separate small business grants from the US Department of Energy during FY07. The SBIR and STTR grants will be used by GeneSiC to demonstrate novel high-voltage SiC devices for a variety of energy storage, power grid, تطبيقات فيزياء درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. Energy storage and power grid applications are receiving increasing attention as the world focuses on more efficient and cost-effective energy management solutions.

“We are pleased with the level of confidence expressed by various offices within the US Department on Energy with regard to our high-power device solutions. Injecting this funding into our advanced SiC technology programs will result in an industry-leading line SiC devices,” commented GeneSiC’s President, Dr. رانبير سينغ. “The devices being developed in these projects promise to provide critical enabling technology to support a more-efficient power grid, and will open the door to new commercial and military hardware technology that has remained unrealized due to the limitations of contemporary silicon-based technologies.”

The three projects include:

• A new Phase I SBIR award focused on high current, multi-kV Thyristor-based devices geared towards energy storage applications.
• A Phase II SBIR follow-on award for development of multi-kV SiC power devices for high voltage power supplies for high power RF system applications awarded by the DOE Office of Science.
• A Phase I STTR award focused on optically gated high-voltage, high-frequency SiC power devices for environments rich in electro-magnetic interference, including high power RF energy systems, and directed energy weapon systems.

Along with the awards, GeneSiC has recently relocated operations to an expanded laboratory and office building in Dulles, فرجينيا, significantly upgrading its equipment, infrastructure and is in the process of adding additional key personnel.

“تستفيد شركة GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات لتطوير أفضل أجهزة SiC الممكنة لعملائها, backing that up with access to an extensive suite of fabrication, characterization and testing facilities,” concluded Dr. سينغ. “We feel those capabilities have been effectively validated by the US DOE with these new and follow-on awards.”

يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارة www.genesicsemi.com.