GeneSiC半导体公司, 上周，一家基于碳化硅的功率器件的重要创新者荣获了著名的奖项 2011 电阻&D 100 奖. 该奖项表彰 GeneSiC 引入了最重要的技术之一, 新引入的多学科研究和开发进展 2010. 电阻&D Magazine 认可 GeneSiC 的超高压 SiC 晶闸管能够实现以前从未用于电力电子演示的阻断电压和频率. 的额定电压 >6.5千伏, 通态额定电流 80 A和工作频率 >5 kHz 远高于市场上先前推出的那些. These capabilities achieved by GeneSiC’s Thyristors critically enable power electronics researchers to develop grid-tied inverters, Flexible
AC Transmission Systems (FACTS) and High Voltage DC Systems (HVDC). This will allow new inventions and product developments within renewable energy, 太阳能逆变器, wind power inverters, and energy storage industries. 博士. 兰比尔·辛格, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC continues to develop its family of Silicon Carbide Thyristor products. R&D on early version for power conversion applications were developed through SBIR funding support from US Dept. of Energy. More advanced, 脉冲功率优化碳化硅晶闸管正在根据与 ARDEC 的另一份 SBIR 合同进行开发, 美国军队. 利用这些技术发展, 来自GeneSiC的内部投资和来自多个客户的商业订单, GeneSiC 能够将这些 UHV 晶闸管作为商业产品提供.
由 R 举办的第 49 届年度技术竞赛&D Magazine 对来自不同公司和行业参与者的参赛作品进行了评估, 世界各地的研究机构和大学. 该杂志的编辑和外部专家小组担任评委, 评估每个条目对科学和研究世界的重要性.
根据 R&D 杂志, 赢得 R&D 100 奖项提供了行业知名的卓越标志, 政府, 和学术界证明该产品是年度最具创新性的想法之一. 该奖项表彰了 GeneSiC 作为创造基于技术的产品的全球领导者，这些产品对我们的工作和生活产生了影响.
关于 GeneSiC 半导体, 公司.
GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问 www.genesicsemi.com.
