十月 28, 2014 –
GeneSiC 推出改进版, 较低导通电阻 1700V 和 1200V SiC 结型晶体管
化合物半导体
十月 28, 2014 –
SiC 开关具有低传导损耗和卓越的短路能力
IEEE PELS 杂志
三月 1, 2015 –
实现碳化硅器件高温运行的承诺
豪威
十一月 14, 2014 –
1200-V 和 1700V SiC 结型晶体管将挑战 SiC MOSFET 和硅 IGBT
Electronicspecifier
十一月 25, 2014 – Electronicspecifier
Design support offered for industry’s lowest loss switches
IEEE PELS 杂志
三月 1, 2015 – IEEE PELS 杂志
实现碳化硅器件高温运行的承诺
Compound Semi Online
可能 14, 2015 –
GeneSiC Begins Offering SiC Junction Transistor-Diodes