Silisyum Karbür Schottky Doğrultucular 3300 Volt değerleri

İzole paketlerde sıcaklıktan bağımsız sıfır ters geri kazanım akımları sunan bu düşük kapasitanslı doğrultuculardan yararlanmak için Yüksek Gerilim tertibatları

Thief River Şelaleleri/Dulles, Virginia., Mayıs 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of a broad range of Silicon Carbide (SiC) güç yarı iletkenleri, hemen kullanılabilirliğini duyurur 3300 V/0.3 Amper SiC Schottky Redresörler – GAP3SLT33-220FP. Bu benzersiz ürün, piyasadaki en yüksek voltajlı SiC doğrultucuyu temsil eder., ve özellikle çok çeşitli X-Ray'de kullanılan voltaj çarpan devrelerine ve yüksek voltajlı montajlara yöneliktir., Lazer ve parçacık üreteci güç kaynakları.3300 V SiC Schottky diyot GeneSiC

Çağdaş voltaj çoğaltıcı devreleri, düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan muzdariptir, çünkü Silikon doğrultuculardan gelen ters kurtarma akımları paralel bağlı kapasitörleri boşaltır.. Daha yüksek doğrultucu bağlantı sıcaklıklarında, bu durum daha da kötüleşir çünkü Silikon redresörlerde ters toparlanma akımı sıcaklıkla artar. Termal kısıtlamalar ile yüksek gerilim grupları, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Yüksek Gerilim SiC doğrultucular, yüksek gerilim tertibatlarında devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 3300 V/0.3 A Schottky redresörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfır ters kurtarma akımına sahiptir. Tek bir cihazdaki bu nispeten yüksek voltaj, tipik yüksek voltaj üreteci devrelerinde gereken voltaj çarpma aşamalarında bir azalmaya izin verir., daha yüksek AC giriş voltajlarının kullanılmasıyla. İdeale yakın anahtarlama özellikleri, voltaj dengeleme ağlarının ve durdurma devrelerinin ortadan kaldırılmasına/önemli ölçüde azaltılmasına izin verir.. TO-220 Tam Paket aşırı kalıplanmış yalıtılmış paket, açık delik düzeneklerinde artırılmış pim aralığı ile endüstri standardı form faktörüne sahiptir.3300 V SiC Schottky diyot SMB GeneSiC

"Bu ürün teklifi, GeneSiC'de yıllarca sürdürülen çabalardan geliyor.. biz inanıyoruz 3300 V derecesi, yüksek voltajlı jeneratör pazarı için önemli bir farklılaştırıcıdır, ve müşterilerimize önemli faydalar sağlayacak. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Schottky Redresörler bu çığır açan ürünü mümkün kılar” said Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor.

3300 V/0.3 A SiC Redresör Teknik Özellikleri

  • Devlet Üzerinden Düşürme 1.7 KDV 0.3 Bir
  • VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
  • Tjmax = 175ÖC
  • kapasitif şarj 52 nC (tipik).

All devices are 100% tested to full voltage/current ratings and housed in Halogen-Free, RoHS uyumlu endüstri standardı TO-220FP (Dolu paket) paketler. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütöründen hemen temin edilebilir., Digikey.

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. is a leading innovator in high-temperature, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) devices, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, transportation, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Army, DARPA, DTRA, and the Department of Homeland Security, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, lütfen www.genesicsemi.com adresini ziyaret edin