Yayınlanan

KOBİ'lerde SiC Schottky Diyotları (DO-214) paketler en küçük ayak izini sunar

Yüksek voltaj, En küçük form faktörlü yüzeye montaj yetenekleri sunarak Solar İnvertörleri ve Yüksek Gerilim tertibatlarını kritik bir şekilde etkinleştirmek için Ters Kurtarmasız SiC Schottky Diyotları

Dulles, Virginia., Nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of a broad range of Silicon Carbide (SiC) güç yarı iletkenleri bugün bir Endüstri standardı SMB ailesinin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor (JEDEC DO-214AA) paketlenmiş SiC Doğrultucular 650 - 3300 V aralığı. Bu yüksek voltajın dahil edilmesi, ters kurtarma gerektirmeyen, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık özellikli SiC Diyotları, dönüştürme verimliliğini artıracak ve çoklu kV düzeneklerinin boyut/ağırlık/hacmini azaltacaktır.. Bu ürünler, çok çeşitli X-Ray'de kullanılan voltaj çoğaltıcı devrelerin yanı sıra Mikro-güneş invertörlerine yöneliktir., Lazer ve parçacık üreteci güç kaynakları.Tüm Doğrultucular

Çağdaş Mikro-güneş invertörleri ve voltaj çoğaltıcı devreleri, Silikon doğrultuculardan gelen ters kurtarma akımları nedeniyle düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan zarar görebilir.. Daha yüksek doğrultucu bağlantı sıcaklıklarında, bu durum daha da kötüleşir çünkü Silikon redresörlerde ters toparlanma akımı sıcaklıkla artar. Termal kısıtlamalar ile yüksek gerilim grupları, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Yüksek Gerilim SiC doğrultucular, mikro-güneş invertörlerinde ve yüksek gerilim düzeneklerinde devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 650 V / 1A; 1200 V/2A ve 3300 V/0.3 A Schottky redresörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfır ters kurtarma akımına sahiptir. bu 3300 V dereceli cihazlar, tek bir cihazda nispeten yüksek voltaj sunar, tipik yüksek voltaj jeneratör devrelerinde gereken voltaj çarpma aşamalarında bir azalmaya izin verir, daha yüksek AC giriş voltajlarının kullanılmasıyla. İdeale yakın anahtarlama özellikleri, voltaj dengeleme ağlarının ve durdurma devrelerinin ortadan kaldırılmasına/önemli ölçüde azaltılmasına izin verir.. KOBİ (DO-214AA) kalıplanmış paket, yüzeye montaj düzenekleri için endüstri standardı form faktörüne sahiptir.

"Bu ürün teklifleri, GeneSiC'de zorlayıcı cihazlar ve paketler sunmaya yönelik yıllarca süren sürekli geliştirme çabalarından geliyor.. KOBİ form faktörünün Mikro Solar İnverter ve Voltaj Çarpanı pazarı için önemli bir farklılaştırıcı olduğuna inanıyoruz., ve müşterilerimize önemli faydalar sağlayacak. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Schottky Redresörler ve geliştirilmiş SMB paketleri bu çığır açan ürünü mümkün kılar” said Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor.

1200 V/2 A SMB SiC Schottky Diyot (GB02SLT12-214) Teknik Özellikler

  • Tipik VF = 1.5 V
  • Tjmax = 175ÖC
  • Ters Kurtarma Ücreti = 14 nC.

3300 V/0.3 A SMB SiC Schottky Diyot (GAP3SLT33-214) Teknik Özellikler

  • Tipik VF = 1.7 V
  • Tjmax = 175ÖC
  • Ters Kurtarma Ücreti = 52 nC.

650 V/1 A SMB SiC Schottky Diyot (GB01SLT06-214) Teknik Özellikler

  • Tipik VF = 1.5 V
  • Tjmax = 175ÖC
  • Ters Kurtarma Ücreti = 7 nC.

All devices are 100% tested to full voltage/current ratings and housed in Halogen-Free, RoHS uyumlu KOBİ (DO-214AA) paketler. Teknik Destek ve SPICE devre modelleri sunulmaktadır. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. is a leading innovator in high-temperature, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) devices, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, transportation, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Army, DARPA, DTRA, and the Department of Homeland Security, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, lütfen http'yi ziyaret edin://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

Yayınlanan

Silisyum Karbür Schottky Doğrultucular 3300 Volt değerleri

İzole paketlerde sıcaklıktan bağımsız sıfır ters geri kazanım akımları sunan bu düşük kapasitanslı doğrultuculardan yararlanmak için Yüksek Gerilim tertibatları

Thief River Şelaleleri/Dulles, Virginia., Mayıs 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of a broad range of Silicon Carbide (SiC) güç yarı iletkenleri, hemen kullanılabilirliğini duyurur 3300 V/0.3 Amper SiC Schottky Redresörler – GAP3SLT33-220FP. Bu benzersiz ürün, piyasadaki en yüksek voltajlı SiC doğrultucuyu temsil eder., ve özellikle çok çeşitli X-Ray'de kullanılan voltaj çarpan devrelerine ve yüksek voltajlı montajlara yöneliktir., Lazer ve parçacık üreteci güç kaynakları.3300 V SiC Schottky diyot GeneSiC

Çağdaş voltaj çoğaltıcı devreleri, düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan muzdariptir, çünkü Silikon doğrultuculardan gelen ters kurtarma akımları paralel bağlı kapasitörleri boşaltır.. Daha yüksek doğrultucu bağlantı sıcaklıklarında, bu durum daha da kötüleşir çünkü Silikon redresörlerde ters toparlanma akımı sıcaklıkla artar. Termal kısıtlamalar ile yüksek gerilim grupları, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Yüksek Gerilim SiC doğrultucular, yüksek gerilim tertibatlarında devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 3300 V/0.3 A Schottky redresörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfır ters kurtarma akımına sahiptir. Tek bir cihazdaki bu nispeten yüksek voltaj, tipik yüksek voltaj üreteci devrelerinde gereken voltaj çarpma aşamalarında bir azalmaya izin verir., daha yüksek AC giriş voltajlarının kullanılmasıyla. İdeale yakın anahtarlama özellikleri, voltaj dengeleme ağlarının ve durdurma devrelerinin ortadan kaldırılmasına/önemli ölçüde azaltılmasına izin verir.. TO-220 Tam Paket aşırı kalıplanmış yalıtılmış paket, açık delik düzeneklerinde artırılmış pim aralığı ile endüstri standardı form faktörüne sahiptir.3300 V SiC Schottky diyot SMB GeneSiC

"Bu ürün teklifi, GeneSiC'de yıllarca sürdürülen çabalardan geliyor.. biz inanıyoruz 3300 V derecesi, yüksek voltajlı jeneratör pazarı için önemli bir farklılaştırıcıdır, ve müşterilerimize önemli faydalar sağlayacak. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Schottky Redresörler bu çığır açan ürünü mümkün kılar” said Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor.

3300 V/0.3 A SiC Redresör Teknik Özellikleri

  • Devlet Üzerinden Düşürme 1.7 KDV 0.3 Bir
  • VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
  • Tjmax = 175ÖC
  • kapasitif şarj 52 nC (tipik).

All devices are 100% tested to full voltage/current ratings and housed in Halogen-Free, RoHS uyumlu endüstri standardı TO-220FP (Dolu paket) paketler. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütöründen hemen temin edilebilir., Digikey.

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. is a leading innovator in high-temperature, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) devices, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, transportation, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Army, DARPA, DTRA, and the Department of Homeland Security, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, lütfen www.genesicsemi.com adresini ziyaret edin

Yayınlanan

Silisyum Karbür Çıplak Kalıbı 8000 GeneSiC'den V Derecelendirmeleri

Eşsiz voltaj değerleri ve ultra yüksek hızlı anahtarlama sunan SiC çiplerinden faydalanmak için Yüksek Voltaj devreleri ve tertibatları

Dulles, Virginia., Nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of a broad range of Silicon Carbide (SiC) güç yarı iletkenleri, hemen kullanılabilirliğini duyurur 8000 V SiC PiN Doğrultucular; 8000 V SiC Schottky Doğrultucular, 3300 V SiC Schottky Doğrultucular ve 6500 Çıplak kalıp formatında V SiC Tristörler. Bu benzersiz ürünler, piyasadaki en yüksek voltajlı SiC cihazlarını temsil eder., ve özellikle petrol ve gaz enstrümantasyonuna yöneliktir, gerilim çarpan devreleri ve yüksek gerilim grupları.

Çağdaş ultra yüksek voltaj devreleri, düşük devre verimliliklerinden ve büyük boyutlardan muzdariptir, çünkü Silikon doğrultuculardan gelen ters kurtarma akımları paralel bağlı kapasitörleri boşaltır.. Daha yüksek doğrultucu bağlantı sıcaklıklarında, Silikon redresörlerde ters toparlanma akımı sıcaklıkla arttığı için bu durum daha da kötüleşir.. Termal kısıtlamalar ile yüksek gerilim grupları, Mütevazı akımlar geçildiğinde bile bağlantı sıcaklıkları oldukça kolay yükselir. Yüksek Gerilim SiC doğrultucular, yüksek gerilim tertibatlarında devrim yaratmayı vaat eden benzersiz özellikler sunar.. GeneSiC'ler 8000 V and 3300 V Schottky redresörleri, sıcaklıkla değişmeyen sıfır ters kurtarma akımına sahiptir. Tek bir cihazdaki bu nispeten yüksek voltaj, tipik yüksek voltaj üreteci devrelerinde gereken voltaj çarpma aşamalarında bir azalmaya izin verir., daha yüksek AC giriş voltajlarının kullanılmasıyla. İdeale yakın anahtarlama özellikleri, voltaj dengeleme ağlarının ve durdurma devrelerinin ortadan kaldırılmasına/önemli ölçüde azaltılmasına izin verir.. 8000 V PiN Doğrultucular daha yüksek akım seviyeleri ve daha yüksek çalışma sıcaklıkları sunar. 6500 R'yi hızlandırmak için V SiC Tristör çipleri de mevcuttur&D yeni sistemler.

"Bu ürünler, GeneSiC'nin çoklu kV derecelendirmelerinde SiC çiplerinin geliştirilmesindeki güçlü liderliğini sergiliyor.. biz inanıyoruz 8000 V derecesi, Silikon cihazların nominal sıcaklıklarda sunabileceklerinin ötesine geçer, ve müşterilerimize önemli faydalar sağlayacak. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Redresörler ve Tristörler, daha önce mümkün olmayan sistem düzeyinde faydalar sağlayacaktır” said Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Redresör Teknik Özellikleri

  • Tjmax = 210ÖC
  • Ters Kaçak Akımlar < 50 uA'da 175ÖC
  • Ters Kurtarma Ücreti 558 nC (tipik).

8000 V/50 mA SiC Çıplak Kalıp Schottky Doğrultucu Teknik Özellikler

  • Toplam Kapasite 25 pF (tipik, de -1 V, 25ÖC).
  • VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
  • Tjmax = 175ÖC

6500 V SiC Tristör Çıplak Kalıp Teknik Özellikler

  • Three offerings – 80 amper (GA080TH65-CAU); 60 amper (GA060TH65-KAPALI); ve 40 amper (GA040TH65-CAU)
  • Tjmax = 200ÖC

3300 V/0.3 A SiC Çıplak Kalıp Doğrultucu Teknik Özellikler

  • Devlet Üzerinden Düşürme 1.7 KDV 0.3 Bir
  • VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
  • Tjmax = 175ÖC
  • kapasitif şarj 52 nC (tipik).

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. is a leading innovator in high-temperature, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) devices, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, transportation, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Army, DARPA, DTRA, and the Department of Homeland Security, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, please visit http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie

Yayınlanan

GeneSiC'den Hibrit SiC Schottky Doğrultucu/Si IGBT Modülleri, 175 °C'de çalışma sağlar

Dulles, Virginia., Mart 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of a broad range of Silicon Carbide (SiC) güç yarı iletkenleri bugün, ikinci nesil hibrit mini modüllerinin hemen kullanılabilirliğini duyurdu. 1200 Sağlam Silikon IGBT'lere sahip V/100 Amper SiC Schottky Doğrultucular – GB100XCP12-227. Bu ürünün piyasaya sürüldüğü performans-fiyat noktası, birçok güç dönüştürme uygulamasının maliyet/boyut/ağırlık/hacimdeki azalmadan yararlanmasına olanak tanır ve ne Silikon IGBT/Silikon Doğrultucu çözümü, ne de Silikon Doğrultucu, ne de saf bir SiC Modülü sunabilir. Bu cihazlar, endüstriyel motorlar da dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., solar inverters, özel ekipman ve güç şebekesi uygulamaları.

SiC Schottky/Si IGBT mini modülleri (yardımcı paketler) GeneSiC tarafından sunulan, durum düşüşü pozitif sıcaklık katsayısı sergileyen Si IGBT'ler ile yapılır, sağlam delikli tasarım, ticari tarafından sürülebilen yüksek sıcaklıkta çalışma ve hızlı anahtarlama özellikleri, commonly available 15 V IGBT gate drivers. Bu Co-pack modüllerinde kullanılan SiC redresörleri, son derece düşük endüktans paketlerine izin verir, düşük durum voltajı düşüşü ve geri dönüş yok. SOT-227 paketi, izole edilmiş taban plakası sunar, 12Bağımsız bir devre elemanı olarak çok esnek bir şekilde kullanılabilen mm düşük profilli tasarım, yüksek akım paralel yapılandırma, Faz Bacağı (iki modül), veya bir kıyıcı devre elemanı olarak.

“Bu ürünün ilk sunumundan bu yana kilit müşterilerimizi neredeyse dinledik. 2 yıllar önce. Bu ikinci nesil 1200 V/100 A Co-pack ürünü, yüksek frekans için uygun olan düşük endüktans tasarımına sahiptir., yüksek sıcaklık uygulamaları. Silikon diyotların zayıf yüksek sıcaklık ve ters geri kazanım özellikleri, daha yüksek sıcaklıklarda IGBT'lerin kullanımını kritik bir şekilde sınırlar.. GeneSiC'nin düşük VF'si, düşük kapasitanslı SiC Schottky Diyotları bu çığır açan ürünü mümkün kılar” said Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor.

1200 V/100 A Si IGBT/SiC Doğrultucu Teknik Özellikleri

  • Devlet Üzerinden Düşürme 1.9 KDV 100 Bir
  • VF'de pozitif sıcaklık katsayısı
  • Tjmax = 175°C
  • Açılma Enerji Kayıpları 23 mikro Joule (tipik).

All devices are 100% tested to full voltage/current ratings and housed in Halogen-Free, RoHS uyumlu endüstri standardı SOT-227 paketleri. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. is a leading innovator in high-temperature, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) devices, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon doğrultucu ürünleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, aşağı ole petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, transportation, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. GeneSiC, ABD Devlet kurumlarından çok sayıda araştırma ve geliştirme sözleşmesi aldı, ARPA-E dahil, Enerji Bölümü, Donanma, Army, DARPA, DTRA, and the Department of Homeland Security, yanı sıra büyük hükümet ana yüklenicileri. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Yayınlanan

GeneSiC introduces Silicon Carbide Junction Transistors

DULES, Va., Feb. 25, 2013 /PRNewswire-iReach / — GeneSiC Semiconductor, a pioneer and global supplier of a broad range of Silicon Carbide (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors. Incorporating high voltage, high frequency and high-temperature capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including server, telecom and networking power supplies, uninterruptable power supplies, solar inverters, industrial motor control systems, and downhole applications.

Junction Transistors offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability, a square reverse biased safe operation area (RBSOA), as well as temperature-independent transient energy losses and switching times. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, and are capable of being driven by commercial, commonly available 15 V IGBT gate drivers, unlike other SiC switches. While offering compatibility with SiC JFET drivers, Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As power system designers continue to push the limits of operating frequency, while still demanding high circuit efficiencies, the need SiC switches which can offer a standard of performance and production uniformity. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve all that in a more robust solution,” said Dr. Ranbir Singh , President of GeneSiC Semiconductor.

1700 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Three offerings – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); ve 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanoseconds typical.

1200 V Junction Transistor Technical Highlights

  • Two offerings – 220 mOhms (GA06JT12-247); ve 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Turn On/Off Rise/Fall Times <50 nanoseconds typical

All devices are 100% tested to full voltage/current ratings and housed in Halogen-Free, RoHS compliant TO-247 packages. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributors.

Yayınlanan

Yeni Fizik, Tristörün Daha Yüksek Seviyeye Ulaşmasını Sağlıyor

ağustos 30, 2011 - Dulles, VA – Yeni Fizik, Tristörlerin Daha Yüksek Seviyeye Ulaşmasını Sağlıyor

Bir elektrik güç şebekesi, sorunsuz olmasını sağlayan elektronik cihazların yardımıyla güvenilir güç sağlar., güvenilir güç akışı. Şimdiye kadar, silikon bazlı düzeneklere güvenildi, ancak akıllı şebekenin gereksinimlerini karşılayamadılar. Silisyum karbür gibi geniş bant aralığına sahip malzemeler (SiC) daha yüksek anahtarlama hızlarına sahip oldukları için daha iyi bir alternatif sunar, daha yüksek arıza gerilimi, daha düşük anahtarlama kayıpları, ve geleneksel silikon bazlı anahtarlardan daha yüksek bağlantı sıcaklığı. Pazara ulaşan bu tür ilk SiC tabanlı cihaz, Ultra yüksek voltajlı Silisyum Karbür Tristördür. (SiC Tristör), GeneSiC Semiconductor Inc. tarafından geliştirilmiştir., Dulles, Va., Sandia Ulusal Laboratuvarlarının desteğiyle, Albuquerque, N.M., Birleşik Devletler. Enerji/Elektrik Dağıtım Dairesi Başkanlığı, ve ABD. Ordu/Silah Araştırması, Geliştirme ve Mühendislik Merkezi, Picatinny Arsenal, NJ.

Geliştiriciler bu cihaz için farklı bir çalışma fiziği benimsedi, azınlık taşıyıcı taşımacılığı ve entegre bir üçüncü terminal doğrultucu üzerinde çalışan, diğer ticari SiC cihazlarından bir tane daha. Geliştiriciler, yukarıdaki derecelendirmeleri destekleyen yeni bir üretim tekniği benimsedi 6,500 V, as well as a new gate-anode design for high-current devices. Capable of performing at temperatures up to 300 C and current at 80 Bir, the SiC Thyristor offers up to 10 times higher voltage, four times higher blocking voltages, ve 100 times faster switching frequency than silicon-based thyristors.

Yayınlanan

GeneSiC, prestijli R'yi kazandı&D100 Award for SiC Devices in Grid-connected Solar and Wind Energy Applications

DULES, VA, July 14, 2011 — r&D Magazine, GeneSiC Semiconductor Inc'i seçti. Dulles, prestijli bir alıcı olarak VA 2011 r&D 100 Award for the commercialization of Silicon Carbide devices with high voltage ratings.

GeneSiC Semiconductor Inc, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored last week with the announcement that it has been awarded the prestigious 2011 r&D 100 Ödül. Bu ödül, GeneSiC'yi en önemlilerinden birini tanıttığı için tanır., sırasında birden fazla disiplin arasında yeni tanıtılan araştırma ve geliştirme ilerlemeleri 2010. r&D Magazine recognized GeneSiC’s Ultra-High Voltage SiC Thyristor for its ability to achieve blocking voltages and frequencies never utilized before towards power electronics demonstrations. The voltage ratings of >6.5kV, on-state current rating of 80 A and operating frequencies of >5 kHz are much higher than those previously introduced in the marketplace. These capabilities achieved by GeneSiC’s Thyristors critically enable power electronics researchers to develop grid-tied inverters, Flexible

AC Transmission Systems (FACTS) and High Voltage DC Systems (HVDC). This will allow new inventions and product developments within renewable energy, solar inverters, wind power inverters, and energy storage industries. Dr.. Ranbir Singh, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC continues to develop its family of Silicon Carbide Thyristor products. R&D on early version for power conversion applications were developed through SBIR funding support from US Dept. of Energy. More advanced, Pulsed Power optimized SiC Thyristors are being developed under another SBIR contract with ARDEC, US Army. Using these technical developments, internal investment from GeneSiC and commercial orders from multiple customers, GeneSiC was able to offer these UHV Thyristors as commercial products.

The 49th annual technology competition run by R&D Magazine, çeşitli şirketlerden ve sektör oyuncularından gelen girdileri değerlendirdi, dünyadaki araştırma kuruluşları ve üniversiteler. Derginin editörleri ve dışarıdan uzmanlardan oluşan bir kurul hakim olarak görev yaptı, Her girişi bilim ve araştırma dünyası için önemi açısından değerlendirmek.

R'ye göre&D Dergisi, R kazanmak&D 100 Ödül, endüstri tarafından bilinen bir mükemmellik işareti sağlar, devlet, ve akademi, ürünün yılın en yenilikçi fikirlerinden biri olduğunun kanıtı olarak. Bu ödül, GeneSiC'i çalışma ve yaşama şeklimizde fark yaratan teknoloji tabanlı ürünlerin yaratılmasında küresel bir lider olarak tanır..

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (b) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve süreç tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında ek bilgi, GeneSiC numaralı telefondan aranarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederek www.genesicsemi.com.

Yayınlanan

GeneSiC Semiconductor Selected to Showcase Technology at 2011ARPA-E Energy Innovation Summit

Feb 28, 2011 - Dulles, VA – GeneSiC Semiconductor is excited to announce its selection for the prestigious Technology Showcase at the ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, Başkan, Dr.. Ranbir Singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – Mart 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında

GeneSiC Semiconductor Inc. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve süreç tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, Army, NASA, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, engineers, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Visit www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Visit www.ct-si.org for more information.

Yayınlanan

GeneSiC wins power management project from NASA in support of future Venus exploration missions

Dec 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (SiC) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” said Dr. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında ek bilgi, GeneSiC numaralı telefondan aranarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederek www.genesicsemi.com.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve süreç tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma.

Yayınlanan

Multi-kHz, Ultra-High Voltage Silicon Carbide Thyristors sampled to US Researchers

DULES, VA, Nov. 1, 2010 –In a first of its kind offering, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power electronics for Smart Grid applications. Revolutionary performance advantages of these power devices are expected to spur key innovations in utility-scale power electronics hardware to increase the accessibility and exploitation of Distributed Energy Resources (DER). “Until now, multi-kV Silicon Carbide (SiC) power devices were not openly available to US researchers to fully exploit the well-known advantages– namely 2-10kHz operating frequencies at 5-15kV ratings – of SiC-based power devices.” commented Dr. Ranbir Singh, President of GeneSiC. “GeneSiC has recently completed delivery of many 6.5kV/40A, 6.5kV/60A and 6.5kV/80A Thyristors to multiple customers conducting research in renewable energy, Army and Naval power system applications. SiC devices with these ratings are now being offered more widely.”

Silicon Carbide based Thyristors offer 10X higher voltage, 100X faster switching frequencies and higher temperature operation as compared to conventional Silicon-based Thyristors. Targeted applications research opportunities for these devices include general purpose medium voltage power conversion (MVDC), Grid-tied solar inverters, wind power inverters, pulsed power, weapon systems, ignition control, and trigger control. It is now well established that ultra-high voltage (>10kV) Silicon Carbide (SiC) device technology will play a revolutionary role in the next-generation utility grid. Thyristor-based SiC devices offer the highest on-state performance for >5 kV devices, and are widely applicable towards medium voltage power conversion circuits like Fault-Current Limiters, AC-DC converters, Static VAR compensators and Series Compensators. SiC based Thyristors also offer the best chance of early adoption due to their similarities to conventional power grid elements. Deploying these advanced power semiconductor technologies could provide as much as a 25-30 percent reduction in electricity consumption through increased efficiencies in delivery of electrical power.

Dr.. Singh continues “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” GeneSiC is a fast emerging innovator in the area of SiC power devices and has a strong commitment to the development of Silicon Carbide (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (b) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları.

Located near Washington, DC in Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. is a leading innovator in high-temperature, high-power and ultra high-voltage silicon carbide (SiC) devices. Current development projects include high-temperature rectifiers, SuperJunction Transistors (SJT) and a wide variety of Thyristor based devices. GeneSiC has or has had prime/sub-contracts from major US Government agencies, including the Department of Energy, Donanma, Army, DARPA, and the Department of Homeland Security. The company is currently experiencing substantial growth, and hiring qualified personnel in power-device and detector design, yapılışı, and testing. To find out more, please visit www.genesicsemi.com.