GeneSiC представила GB05MPS17-247, ГБ10MPS17-247, GB25MPS17-247 и GB50MPS17-247; Лучшие в отрасли диоды на 1700 В SiC, доступные в популярном сквозном корпусе TO-247-2. Эти SiC-диоды на 1700 В заменяют кремниевые сверхбыстрые восстанавливающиеся диоды и другие SiC-диоды на 1700 В старого поколения JBS., позволяет инженерам создавать схемы переключения с большей эффективностью и большей удельной мощностью. Ожидается, что приложения будут включать устройства быстрой зарядки электромобилей., моторные приводы, источники питания для транспорта и возобновляемые источники энергии.
GB50MPS17-247 - SiC-диод с объединенным PiN-шоттки, 1700 В, 50 А., дискретный силовой диод SiC с самым высоким в отрасли номинальным током. Эти недавно выпущенные диоды имеют низкое прямое падение напряжения., нулевое прямое восстановление, нулевое обратное восстановление, низкая емкость перехода и рассчитаны на максимальную рабочую температуру 175 ° C. Технология SiC диодов Шоттки третьего поколения от GeneSiC обеспечивает лучшую в отрасли устойчивость к лавинам и импульсным токам (Ifsm) надежность, в сочетании с высококачественным 6-дюймовым литейным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, и передовой высоконадежной технологией дискретной сборки.
Эти SiC-диоды являются прямой заменой других диодов, доступных в корпусе TO-247-2.. Выгода от более низких потерь мощности (работа кулера) и возможность переключения высокой частоты, Теперь дизайнеры могут достичь большей эффективности преобразования и большей удельной мощности в проектах.
О компании GeneSiC Semiconductor, ООО.
GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для приводов самолетов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания выделяется тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субконтракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие ведомства Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и кадровую инфраструктуру в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно набирает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.
