Нюрнберг, Германия май 12, 2016 — Президент GeneSiC Semiconductor дал интервью Аликс Полтре из Power Systems Design. (http://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) на выставке PCIM в Нюрнберге, Германия.
DULLES, VA, май 13, 2015 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors сегодня объявляет о немедленной доступности 20 мОм-1200 В SiC переход транзистор-диоды в изолированном, 4-Свинцовая упаковка мини-модуля, которая обеспечивает чрезвычайно низкие потери энергии при включении, предлагая гибкую, модульная конструкция высокочастотных преобразователей мощности. Использование высоких частот, Транзисторы и выпрямители SiC с высоким напряжением и низким сопротивлением во включенном состоянии уменьшат размер/вес/объем электронных приложений, требующих более высокой мощности при высоких рабочих частотах.. Эти устройства предназначены для использования в самых разных областях, включая индукционные нагреватели., генераторы плазмы, быстрые зарядные устройства, Преобразователи постоянного тока, и импульсные блоки питания.
1200 Транзисторный выпрямитель с карбид-кремниевым переходом V/20 мОм, упакованный в изолированный корпус SOT-227, обеспечивающий отдельные возможности источника и стока затвора
Совместно упакованные транзисторы SiC Junction (ТСД)-Выпрямители SiC, предлагаемые GeneSiC, уникально применимы для приложений с индуктивной коммутацией, поскольку SJT являются единственным предложением широкополосных переключателей. >10 возможность повторного короткого замыкания в микросекундах, даже в 80% номинальных напряжений (например. 960 V для 1200 V-устройство). В дополнение к времени нарастания/спада менее 10 нс и квадратичной области безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), клемма Gate Return в новой конфигурации значительно улучшает возможность снижения энергии переключения. Этот новый класс продуктов обеспечивает переходные потери энергии и время переключения, которые не зависят от температуры перехода.. Транзисторы SiC Junction от GeneSiC не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут работать при низком напряжении затвора, в отличие от других переключателей SiC.
Выпрямители SiC Schottky, используемые в этих мини-модулях, демонстрируют низкое падение напряжения во включенном состоянии., хорошие значения импульсного тока и самые низкие в отрасли токи утечки при повышенных температурах. С независимым от температуры, характеристика переключения с обратным восстановлением, близкая к нулю, SiC-выпрямители Шоттки идеально подходят для использования в высокоэффективных цепях..
“Транзисторы и выпрямители GeneSiC SiC разработаны и изготовлены для обеспечения низких потерь в открытом состоянии и коммутационных потерь.. Сочетание этих технологий в инновационном пакете обещает образцовую производительность в силовых цепях, требующих широкополосных устройств.. Корпус мини-модуля обеспечивает большую гибкость конструкции для использования в различных силовых цепях, таких как H-Bridge., Обратноходовые и многоуровневые инверторы” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
Продукт, выпущенный сегодня, включает
20 мОм/1200 В SiC Junction Транзистор/Выпрямитель Упаковка (GA50SICP12-227):
• Изолированный корпус СОТ-227/мини-блок/изотоп
• Коэффициент усиления по току транзистора (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (ограничено упаковкой)
• Включить / выключить; Время подъема/спада <10 наносекунды типичные.
Все устройства 100% испытано на полное напряжение/ток. Устройства сразу доступны в GeneSiC. Авторизованные дистрибьюторы.
Чтобы получить больше информации, пожалуйста, посетите: http://192.168.88.14/коммерческий sic/sic-modules-copack/
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые диодные модули. GeneSiC разработала обширную интеллектуальную собственность и технические знания, которые охватывают последние достижения в силовых устройствах SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, скважинное бурение нефтяных скважин, блок управления двигателем, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
DULLES, VA, Маршировать 9, 2015 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о поступлении в продажу линейки компактных, высокотемпературные транзисторы SiC Junction, а также линейка выпрямителей в металлических корпусах ТО-46. Эти дискретные компоненты спроектированы и изготовлены для работы при температуре окружающей среды выше 215оC. Применение высокой температуры, Транзисторы и выпрямители SiC с высоким напряжением и низким сопротивлением во включенном состоянии уменьшат размер/вес/объем электронных приложений, требующих более высокой мощности при повышенных температурах.. Эти устройства предназначены для использования в самых разных областях, включая широкий спектр скважинных контуров., геотермальные приборы, электромагнитное срабатывание, усиление общего назначения, и импульсные блоки питания.
Транзисторы с высокотемпературным соединением SiC (ТСД) предлагаемые GeneSiC, демонстрируют время нарастания/спада менее 10 нс, что позволяет >10 Переключение МГц, а также квадратная область безопасной работы с обратным смещением (РБСОА). Переходные потери энергии и время переключения не зависят от температуры перехода.. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и способны управляться 0/+5 Драйверы затвора V TTL, в отличие от других переключателей SiC. Уникальными преимуществами SJT по сравнению с другими коммутаторами SiC является более высокая надежность в долгосрочной перспективе., >20 возможность короткого замыкания usec, и превосходная лавинная способность. Эти устройства можно использовать в качестве эффективных усилителей, поскольку они обещают гораздо более высокую линейность, чем любой другой переключатель SiC..
Высокотемпературные выпрямители SiC Schottky, предлагаемые GeneSiC, демонстрируют низкое падение напряжения во включенном состоянии., и самые низкие в отрасли токи утечки при повышенных температурах. С независимым от температуры, характеристика переключения с обратным восстановлением, близкая к нулю, SiC-выпрямители Шоттки идеально подходят для использования в высокоэффективных системах., высокотемпературные контуры. Упаковка металлических банок TO-46, а также связанные с ней процессы упаковки, используемые для создания этих продуктов, позволяют использовать их в течение длительного времени, когда важна высокая надежность..
“Транзисторы и выпрямители GeneSiC разрабатываются и производятся с нуля для обеспечения работы при высоких температурах.. Эти компактные SJT в корпусе TO-46 обеспечивают высокий коэффициент усиления по току. (>110), 0/+5 V ТТЛ-управление, и надежная производительность. Эти устройства обеспечивают низкие потери проводимости и высокую линейность.. Мы разрабатываем нашу линейку выпрямителей «SHT», обеспечивать низкие токи утечки при высоких температурах. Эти продукты в металлической упаковке дополняют наши продукты TO-257 и металлические SMD, выпущенные в прошлом году, предлагая компактный форм-фактор., вибростойкие решения” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
Продукты, выпущенные сегодня, включают:
240 мОм SiC переходные транзисторы:
Вплоть до 4 Ампер высокотемпературные диоды Шоттки:
Все устройства 100% испытаны на полное напряжение/ток и размещены в металлических корпусах TO-46. Устройства сразу доступны у авторизованных дистрибьюторов GeneSiC..
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые диодные модули. GeneSiC разработала обширную интеллектуальную собственность и технические знания, которые охватывают последние достижения в силовых устройствах SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, скважинное бурение нефтяных скважин, блок управления двигателем, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
Чтобы получить больше информации, пожалуйста, посетите http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; и http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
DULLES, В.А., ноябрь 19, 2014 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о поступлении в продажу оценочной платы драйвера затвора и расширяет проектную поддержку коммутаторов с наименьшими потерями в отрасли — SiC Junction Transistor. (ТСД) – с полностью квалифицированной моделью LTSPICE IV. Использование новой платы драйвера затвора, Разработчики схем преобразования энергии могут убедиться в преимуществах менее 15 наносекунд., Температурно-независимые характеристики переключения SiC Junction Transistors, с низкими потерями мощности драйвера. Включение новых моделей SPICE, разработчики схем могут легко оценить преимущества SJT от GeneSiC для достижения более высокого уровня эффективности, чем это возможно с обычными кремниевыми силовыми переключателями для устройств с сопоставимыми характеристиками..
Плата драйвера затвора GA03IDDJT30-FR4 применима к SJT от GeneSiC
Транзисторы SiC Junction имеют значительно отличные характеристики от других технологий SiC Transistor., а также кремниевые транзисторы. Платы драйверов затворов, которые могут обеспечить низкие потери мощности, но при этом предлагают высокие скорости переключения, были необходимы для создания приводных решений для использования преимуществ переходных транзисторов SiC.. GeneSiC полностью изолирован GA03IDDJT30-FR4 Плата драйвера затвора принимает 0/12 В и сигнал ТТЛ для оптимальной обработки форм сигналов напряжения/тока, необходимых для обеспечения малого времени нарастания/спада., при этом минимизируя требования к постоянному току для поддержания нормально выключенного SJT в проводящем состоянии во включенном состоянии. Конфигурация выводов и форм-факторы аналогичны другим транзисторам SiC.. GeneSiC также выпустила файлы Gerber и спецификации для конечных пользователей, чтобы они могли использовать преимущества реализованных инноваций в дизайне драйверов..
SJT предлагают хорошие характеристики включения и переключения, упрощает создание моделей SPICE, основанных на поведении, которые также замечательно согласуются с базовыми моделями, основанными на физике.. Использование хорошо зарекомендовавших себя и понятных моделей, основанных на физике, Параметры SPICE были опубликованы после тщательного тестирования поведения устройства.. SPICE-модели GeneSiC сравниваются с экспериментально измеренными данными по всем описаниям устройств и применимы ко всем 1200 В и 1700 Выпущены переходные транзисторы V SiC.
SJT от GeneSiC способны обеспечивать частоты переключения, превышающие 15 раз выше, чем решения на основе IGBT. Их более высокие частоты переключения позволяют использовать магнитные и емкостные элементы меньшего размера., тем самым уменьшая общий размер, вес и стоимость систем силовой электроники.
Эта модель транзистора SiC Junction Transistor SPICE дополняет комплексный набор инструментов GeneSiC для поддержки проектирования., техническая документация, и информацию о надежности, чтобы предоставить инженерам по силовой электронике ресурсы для проектирования, необходимые для внедрения обширного семейства транзисторов и выпрямителей GeneSiC Junction Transistors и Rectifier в следующее поколение систем питания..
Таблицы данных GeneSiC Gate Driver Board и модели SJT SPICE можно загрузить с веб-сайта http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
Переключатели SiC с самыми низкими потерями проводимости и превосходной устойчивостью к короткому замыканию, предназначенные для высокочастотных силовых цепей
Даллес, Вирджиния., Октябрь 28, 2014 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors сегодня объявляет о поступлении в продажу семейства преобразователей с низким сопротивлением 1700 В и 1200 Транзисторы V SiC Junction в корпусах TO-247. Использование высокого напряжения, высокая частота, Транзисторы SiC Junction, способные работать при высоких температурах и с низким сопротивлением во включенном состоянии, повысят эффективность преобразования и уменьшат размер/вес/объем приложений силовой электроники, требующих более высокого напряжения на шине. Эти устройства предназначены для использования в самых разных приложениях, включая микросети постоянного тока., Быстрые зарядные устройства для автомобилей, сервер, телекоммуникационные и сетевые блоки питания, источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, Ветроэнергетические системы, и промышленные системы управления двигателями.
SiC переходные транзисторы (ТСД) предлагаемые GeneSiC демонстрируют возможность сверхбыстрого переключения (аналогичен SiC MOSFET), квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также независимые от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут управляться коммерческими драйверами ворот, в отличие от других переключателей SiC. Уникальными преимуществами SJT по сравнению с другими коммутаторами SiC является более высокая надежность в долгосрочной перспективе., >10 возможность короткого замыкания usec, и превосходная лавинная способность
“Эти улучшенные SJT обеспечивают гораздо более высокий коэффициент усиления по току. (>100), очень стабильная и надежная работа по сравнению с другими переключателями SiC. SJT GeneSiC обеспечивают чрезвычайно низкие потери проводимости при номинальных токах, а также превосходные потери при отключении в силовых цепях.. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC Transistor помогают разработчикам найти более надежное решение,” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
1700 Выпущен транзистор V SiC Junction
1200 Выпущен транзистор V SiC Junction
Все устройства 100% протестированы на полное напряжение/ток и размещены в безгалогенном корпусе, Комплекты TO-247, соответствующие RoHS. Устройства сразу доступны у авторизованных дистрибьюторов GeneSiC..
Чтобы получить больше информации, пожалуйста, посетите http://192.168.88.14/коммерческие-sic/sic-переход-транзисторы/
GeneSiC имеет широкий портфель продуктов, доступных прямо сейчас по всему миру от ведущих дистрибьюторов.
Голый кристалл форма устройств SiC доступна непосредственно с завода (Пожалуйста, заполните форму ниже)
Дискретный SJT и Выпрямители в коммерческих температурных рейтингах (175°С)
Дискретный HiT SJTпесок Выпрямители HiT при высокой температуре (до 250°С)
GeneSiC предлагает широчайший ассортимент изделий из карбида кремния — в упакованном виде, а также в формате «голого кристалла», что обеспечивает большую гибкость конструкции и инновации.. GeneSiC постоянно стремится оставаться впереди, внедряя новые, инновационные продукты. Если вы не видите именно тот продукт, который вы ищете сегодня, вы можете увидеть это в ближайшем будущем.
Обещание высокой температуры в SiC-транзисторах, реализованное с помощью совместимых корпусов отраслевых стандартов, значительно улучшит скважинные и аэрокосмические приводы и источники питания.
Даллес, Вирджиния., декабрь 10, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors сегодня объявляет о немедленной поставке через своих дистрибьюторов и напрямую семейству высокотемпературных корпусов. 600 Переходные транзисторы V SiC (ТСД) в 3-50 Номинальные значения тока в амперах в отраслевых стандартах JEDEC для сквозного и поверхностного монтажа. Включение этих высоких температур, низкое сопротивление во включенном состоянии, высокочастотные SiC-транзисторы в герметичных корпусах, высокотемпературные припои и герметизация повысят эффективность преобразования и уменьшат размер/вес/объем высокотемпературных преобразователей энергии.
Современный высокотемпературный блок питания, Схемы управления двигателем и привода, используемые в нефтяной/газовой/скважинной и аэрокосмической промышленности, страдают от отсутствия жизнеспособного высокотемпературного решения на основе карбида кремния.. Кремниевые транзисторы имеют низкую эффективность схемы и большие размеры из-за высоких токов утечки и низких характеристик переключения.. Оба эти параметра ухудшаются при более высоких температурах перехода.. С термически ограниченными средами, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольших токов. SiC-транзисторы в герметичном корпусе обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в скважинных и аэрокосмических приложениях.. GeneSiC 650 Транзисторы V/3-50 A SiC Junction имеют почти нулевое время переключения, которое не изменяется при изменении температуры.. The 210оУстройства с температурным диапазоном C-перехода обеспечивают относительно большой температурный запас для приложений, работающих в экстремальных условиях..
Переходные транзисторы, предлагаемые GeneSiC, обладают сверхбыстрой коммутационной способностью., квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также независимые от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и способны управляться коммерческими, общедоступный 15 Драйверы затвора V IGBT, в отличие от других переключателей SiC. Предлагая совместимость с драйверами SiC JFET, Транзисторы SiC Junction могут быть легко подключены параллельно из-за их соответствующих переходных характеристик..
“Поскольку разработчики скважинных и аэрокосмических приложений продолжают раздвигать границы рабочей частоты, при этом по-прежнему требуется высокая эффективность схемы, им нужны переключатели SiC, которые могут предложить стандарт производительности, надежность и однородность производства. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC SJT помогают разработчикам достичь всего этого в более надежном решении.. Эти продукты дополняют выпрямитель SiC в герметичном корпусе, выпущенный в прошлом году компанией GeneSiC., и продукты с голыми кристаллами, выпущенные ранее в этом году, прокладывая путь для нас, чтобы предложить высокую температуру, малоиндуктивный, силовые модули в ближайшем будущем ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
Изолированный ТО-257 с 600 V SJT:
Неизолированный пакет прототипа ТО-258 с 600 SJT
Поверхностный монтаж TO-276 (СМД0.5) с 600 SJT
Все устройства 100% испытаны на полное номинальное напряжение/ток и размещены в герметичных корпусах. Предлагаются модели схем технической поддержки и SPICE. Устройства доступны непосредственно у GeneSiC напрямую и/или через ее авторизованных дистрибьюторов..
О компании GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также продукты кремния выпрямителя. GeneSiC разработала обширную интеллектуальную собственность и технические знания, которые охватывают последние достижения в силовых устройствах SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, бурение нефтяных скважин вниз, блок управления двигателем, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от государственных учреждений США., в том числе АРПА-Э, Министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, ДТРА, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генподрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
Чтобы получить больше информации, пожалуйста, посетите http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
Даллес, Вирджиния., ноябрь 19, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors сегодня объявляет о выпуске семейства промышленных SMB (ДЖЕДЕК ДО-214АА) упакованные выпрямители SiC в 650 – 3300 диапазон В. Включая эти высоковольтные, обратное восстановление без, Высокочастотные и высокотемпературные SiC-диоды повысят эффективность преобразования и уменьшат размер/вес/объем многокиловольтных сборок. Эти продукты ориентированы на микросолнечные инверторы, а также схемы умножителей напряжения, используемые в широком спектре рентгеновских аппаратов., Блоки питания лазеров и генераторов частиц.
Современные микросолнечные инверторы и схемы умножителей напряжения могут страдать от низкой эффективности схемы и больших размеров из-за обратных токов восстановления от кремниевых выпрямителей.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, эта ситуация усугубляется тем, что обратный ток восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с температурой.. Высоковольтные сборки с термическими ограничениями, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольших токов. SiC-выпрямители высокого напряжения обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в микросолнечных инверторах и высоковольтных сборках.. GeneSiC 650 В/1 А; 1200 В/2 А и 3300 Выпрямители Шоттки V/0,3 А имеют нулевой обратный ток восстановления, который не изменяется при изменении температуры.. The 3300 Устройства с номинальным напряжением V предлагают относительно высокое напряжение в одном устройстве, что позволяет уменьшить количество ступеней умножения напряжения, необходимых в типичных схемах генератора высокого напряжения., за счет использования более высокого входного напряжения переменного тока. Почти идеальные характеристики переключения позволяют исключить/значительно уменьшить схемы балансировки напряжения и демпфирующие цепи.. малый и средний бизнес (ДО-214АА) Форм-фактор форм-фактора промышленного стандарта для сборок с поверхностным монтажом.
«Эти предложения продуктов являются результатом многолетних непрерывных усилий GeneSiC по разработке привлекательных устройств и пакетов.. Мы считаем, что форм-фактор SMB является ключевым отличием рынка микросолнечных инверторов и умножителей напряжения., и позволит получить значительные преимущества для наших клиентов. Низкий VF GeneSiC, SiC-выпрямители Шоттки с малой емкостью и усовершенствованные корпуса SMB позволяют использовать этот революционный продукт” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
1200 Диод Шоттки V/2 A SMB SiC (ГБ02СЛТ12-214) Технические особенности
3300 V/0,3 A SMB SiC Диод Шоттки (GAP3SLT33-214) Технические особенности
650 Диод Шоттки V/1 A SMB SiC (ГБ01СЛТ06-214) Технические особенности
Все устройства 100% протестированы на полное напряжение/ток и размещены в безгалогенном корпусе, SMB, соответствующий RoHS (ДО-214АА) пакеты. Предлагаются модели схем технической поддержки и SPICE. Устройства сразу доступны у авторизованных дистрибьюторов GeneSiC..
О компании GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также продукты кремния выпрямителя. GeneSiC разработала обширную интеллектуальную собственность и технические знания, которые охватывают последние достижения в силовых устройствах SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, бурение нефтяных скважин вниз, блок управления двигателем, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от государственных учреждений США., в том числе АРПА-Э, Министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, ДТРА, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генподрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
Чтобы получить больше информации, пожалуйста, посетите http://192.168.88.14/index.php/sic-products/шоттки
Водопад Тиф-Ривер / Даллес, Вирджиния., май 28, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) силовые полупроводники объявляют о немедленной доступности 3300 Выпрямители Шоттки SiC V/0,3 А – GAP3SLT33-220FP. Этот уникальный продукт представляет собой выпрямитель SiC с самым высоким напряжением на рынке., и специально предназначен для цепей умножителей напряжения и высоковольтных сборок, используемых в широком диапазоне рентгеновских аппаратов., Блоки питания лазеров и генераторов частиц.
Современные схемы умножителей напряжения имеют низкую эффективность и большие размеры, поскольку обратные токи восстановления от кремниевых выпрямителей разряжают параллельно подключенные конденсаторы.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, эта ситуация усугубляется тем, что обратный ток восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с температурой.. Высоковольтные сборки с термическими ограничениями, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольших токов. SiC-выпрямители высокого напряжения обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в высоковольтных сборках.. GeneSiC 3300 Выпрямители Шоттки V/0,3 А имеют нулевой обратный ток восстановления, который не изменяется при изменении температуры.. Это относительно высокое напряжение в одном устройстве позволяет уменьшить количество каскадов умножения напряжения, необходимых в типичных схемах генератора высокого напряжения., за счет использования более высокого входного напряжения переменного тока. Почти идеальные характеристики переключения позволяют исключить/значительно уменьшить схемы балансировки напряжения и демпфирующие цепи.. Литой изолированный корпус TO-220 Full Pack имеет форм-фактор отраслевого стандарта с увеличенным расстоянием между штырями в сборках со сквозными отверстиями..
«Предложение этого продукта появилось благодаря многолетней неустанной работе GeneSiC.. Мы считаем, 3300 Номинальное напряжение является ключевым отличием на рынке высоковольтных генераторов., и позволит получить значительные преимущества для наших клиентов. Низкий VF GeneSiC, Выпрямители SiC Schottky с малой емкостью позволяют использовать этот революционный продукт” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
3300 Технические характеристики выпрямителя SiC V/0,3 A
Все устройства 100% протестированы на полное напряжение/ток и размещены в безгалогенном корпусе, Отраслевой стандарт TO-220FP, соответствующий RoHS (Полный пакет) пакеты. Устройства можно сразу же приобрести у авторизованного дистрибьютора GeneSiC., Дигикей.
О компании GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также продукты кремния выпрямителя. GeneSiC разработала обширную интеллектуальную собственность и технические знания, которые охватывают последние достижения в силовых устройствах SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, бурение нефтяных скважин вниз, блок управления двигателем, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от государственных учреждений США., в том числе АРПА-Э, Министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, ДТРА, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генподрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
Чтобы получить больше информации, пожалуйста, посетите www.genesicsemi.com
Даллес, Вирджиния., ноябрь 7, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) силовые полупроводники объявляют о немедленной доступности 8000 Выпрямители V SiC Pin; 8000 Выпрямители Шоттки V SiC, 3300 Выпрямители Шоттки V SiC и 6500 Тиристоры V SiC без кристалла. Эти уникальные продукты представляют собой устройства SiC с самым высоким напряжением на рынке., и специально предназначен для нефтегазового оборудования, схемы умножителей напряжения и высоковольтные сборки.
Современные схемы сверхвысокого напряжения страдают от низкой эффективности схемы и больших размеров, потому что обратные токи восстановления от кремниевых выпрямителей разряжают параллельно подключенные конденсаторы.. При более высоких температурах перехода выпрямителя, эта ситуация еще больше ухудшается, поскольку обратный ток восстановления в кремниевых выпрямителях увеличивается с температурой.. Высоковольтные сборки с термическими ограничениями, температура перехода довольно легко повышается даже при пропускании небольших токов. SiC-выпрямители высокого напряжения обладают уникальными характеристиками, которые обещают произвести революцию в высоковольтных сборках.. GeneSiC 8000 В и 3300 Выпрямители Шоттки V имеют нулевой обратный ток восстановления, который не изменяется при изменении температуры.. Это относительно высокое напряжение в одном устройстве позволяет уменьшить количество каскадов умножения напряжения, необходимых в типичных схемах генератора высокого напряжения., за счет использования более высокого входного напряжения переменного тока. Почти идеальные характеристики переключения позволяют исключить/значительно уменьшить схемы балансировки напряжения и демпфирующие цепи.. 8000 Выпрямители V PiN обеспечивают более высокие уровни тока и более высокие рабочие температуры.. 6500 Тиристорные чипы V SiC также доступны для ускорения R&D новых систем.
«Эти продукты демонстрируют сильное лидерство GeneSiC в разработке чипов SiC в рейтингах нескольких кВ.. Мы считаем, 8000 Рейтинг V выходит за рамки того, что могут предложить кремниевые устройства при номинальных температурах., и позволит получить значительные преимущества для наших клиентов. Низкий VF GeneSiC, SiC-выпрямители и тиристоры с малой емкостью обеспечат преимущества системного уровня, недоступные ранее.” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
8000 Основные технические характеристики выпрямителя V/2 A SiC с неизолированными выводами
8000 Технические особенности выпрямителя Шоттки из карбида кремния, В/50 мА
6500 Технические особенности тиристоров V SiC без кристаллов
3300 Основные технические характеристики выпрямителя SiC V/0,3 A без кристалла
О компании GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также продукты кремния выпрямителя. GeneSiC разработала обширную интеллектуальную собственность и технические знания, которые охватывают последние достижения в силовых устройствах SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, бурение нефтяных скважин вниз, блок управления двигателем, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от государственных учреждений США., в том числе АРПА-Э, Министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, ДТРА, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генподрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.
Чтобы получить больше информации, пожалуйста, посетите http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
