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High Temperature (210 C) SiC Junction Transistors offered in hermetic packages

The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies

Dulles, Virgínia., Dec 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability through its distributors and directly a family high temperature packaged 600 V SiC Junction Transistors (SJT) in the 3-50 Amperes current ratings in JEDEC industry-standard through hole and surface mount packages. Incorporating these high temperature, low on-resistance, high frequency SiC Transistors in hermetic packages, high temperature solders and encapsulation will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of high temperature power conversion applications.HiT_Schottky

Contemporary high temperature power supply, motor control and actuator circuits used in oil/gas/downhole and aerospace applications suffer from lack of availability of a viable high temperature Silicon Carbide solution. Silicon transistors suffer from low circuit efficiencies and large sizes because they suffer from high leakage currents and low poor switching characteristics. Both these parameters become worse at higher junction temperatures. With thermally constraint environments, as temperaturas das junções aumentam facilmente mesmo quando correntes modestas são passadas. Os transistores SiC hermeticamente embalados oferecem características únicas que prometem revolucionar a capacidade de aplicações aeroespaciais e de fundo de poço. GeneSiC's 650 Os transistores de junção SiC V/3-50 A apresentam tempos de comutação quase zero que não mudam com a temperatura. O 210óOs dispositivos com classificação de temperatura de junção C oferecem margens de temperatura relativamente grandes para aplicações que operam em ambientes extremos.

Os transistores de junção oferecidos pela GeneSiC exibem capacidade de comutação ultrarrápida, uma área de operação segura com polarização reversa quadrada (RBSOA), bem como perdas de energia transitória independentes de temperatura e tempos de comutação. These switches are gate-oxide free, normally-off, exhibit positive temperature co-efficient of on-resistance, e são capazes de serem conduzidos por empresas, comumente disponível 15 Drivers de portão V IGBT, unlike other SiC switches. Ao oferecer compatibilidade com drivers SiC JFET, Os transistores de junção SiC podem ser facilmente colocados em paralelo por causa de suas características transitórias correspondentes.

“As downhole and aerospace application designers continue to push the limits of operating frequency, while still demanding high circuit efficiencies, they need SiC switches which can offer a standard of performance, reliability and production uniformity. Utilizing the unique device and fabrication innovations, GeneSiC’s SJT products help designers achieve all that in a more robust solution. These products complement the hermetic packaged SiC rectifier released last year by GeneSiC, and the bare die products released earlier this year, while paving the way for us to offer high temperature, low-inductance, power modules in the near future ” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Isolated TO-257 with 600 V SJTs:

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7637-GA); e 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
  • Tjmax = 210óC
  • Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <50 nanossegundos típico.
  • Corresponding Bare Die GA20JT06-CAL (in 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (in 2N7637-GA); and GA05JT06-CAL (in 2N7635-GA)

Non-Isolated TO-258 Prototype package with 600 SJTs

  • 25 mOhms/50 Amp (GA50JT06-258 prototype package)
  • Tjmax = 210óC
  • Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <50 nanossegundos típico.
  • Corresponding Bare Die GA50JT06-CAL (in GA50JT06-258)

Surface Mount TO-276 (SMD0.5) with 600 SJTs

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7638-GA); e 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
  • Tjmax = 210óC
  • Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <50 nanossegundos típico.

Todos os dispositivos são 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. Suporte técnico e modelos de circuito SPICE são oferecidos. The devices are immediately available from GeneSiC Directly and/or through its Authorized Distributors.

Sobre a GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um líder inovador em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo ole, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências governamentais dos EUA, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Exército, DARPA, DTRA, e o Departamento de Segurança Interna, bem como os principais empreiteiros governamentais. Em 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, por favor visite http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt