Gate Driver Board optimized for high switching speeds and behavior-based models enable power electronic design engineers to verify and quantify benefits of SJTs in board-level evaluation and circuit simulation
DULLES, V.A., novembro 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, pioneira e fornecedora global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of Gate Driver evaluation board and has expanded its design support for the industry’s lowest loss switches – the SiC Junction Transistor (SJT) – with a fully-qualified LTSPICE IV model. Using the new Gate Driver Board, power conversion circuit designers can verify the benefits of sub-15 nanosecond, temperature independent switching characteristics of SiC Junction Transistors, with low driver power losses. Incorporating the new SPICE models, circuit designers can easily evaluate the benefits GeneSiC’s SJTs provide for achieving a higher level of efficiency than is possible with conventional silicon power switching devices for comparably-rated devices.
Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 applicable towards SJTs from GeneSiC
SiC Junction Transistors have significantly different characteristics than other SiC Transistor technologies, as well as Silicon Transistors. Placas de driver de portão que podem fornecer baixas perdas de energia enquanto ainda oferecem altas velocidades de comutação foram necessárias para fornecer soluções de acionamento para utilizar os benefícios dos transistores de junção SiC. GeneSiC está totalmente isolado GA03IDDJT30-FR4 A placa do driver de porta recebe 0/12V e um sinal TTL para condicionar de maneira ideal as formas de onda de tensão/corrente necessárias para fornecer tempos de subida/descida pequenos, enquanto ainda minimiza o requisito de corrente contínua para manter o SJT normalmente desligado durante o estado ligado. A configuração dos pinos e os fatores de forma são mantidos semelhantes a outros transistores SiC. GeneSiC também lançou arquivos Gerber e BOMs para o usuário final para permitir que eles incorporem os benefícios das inovações de design de driver realizadas.
Os SJTs oferecem características de estado e comutação bem comportadas, facilitando a criação de modelos SPICE baseados em comportamento que concordam notavelmente bem com os modelos baseados em física subjacentes. Usando modelos baseados em física bem estabelecidos e compreendidos, Parâmetros SPICE foram liberados após testes extensivos com o comportamento do dispositivo. Os modelos SPICE da GeneSiC são comparados com os dados medidos experimentalmente em todas as folhas de dados do dispositivo e são aplicáveis a todos 1200 V e 1700 Transistores de Junção V SiC lançados.
Os SJTs da GeneSiC são capazes de fornecer frequências de comutação que são mais do que 15 vezes maior do que as soluções baseadas em IGBT. Suas frequências de comutação mais altas podem permitir elementos magnéticos e capacitivos menores, reduzindo assim o tamanho total, peso e custo de sistemas eletrônicos de potência.
This SiC Junction Transistor SPICE model adds to GeneSiC’s comprehensive suite of design support tools, technical documentation, and reliability information to provide power electronics engineers with the design resources necessary to implement GeneSiC’s comprehensive family of SiC Junction Transistors and Rectifiers into the next generation of power systems.
GeneSiC’s Gate Driver Board datasheets and SJT SPICE models can be downloaded from http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
