postet på juni 10, 2019juni 10, 2019 av Redaktør0200 V SiC "Super" Junction Transistorer som opererer kl 250 °C med ekstremt lave energitap for kraftkonverteringsapplikasjoner nov, 2011 1200 V SiC "Super" Junction Transistorer som opererer kl 250 °C med ekstremt lave energitap for kraftkonverteringsapplikasjoner