ダレス, VA, 1月 7, 2019 — GeneSiCは、TO-247-2パッケージの第3世代1700VSiCショットキーMPS™ダイオードの包括的なポートフォリオをリリースします。
GeneSiCはGB05MPS17-247を導入しました, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247およびGB50MPS17-247; 人気のTO-247-2スルーホールパッケージで入手可能な業界最高のパフォーマンスの1700VSiCダイオード. これらの1700VSiCダイオードは、シリコンベースの超高速回復ダイオードやその他の旧世代の1700V SiCJBSに代わるものです。, エンジニアがより高い効率とより高い電力密度でスイッチング回路を構築できるようにします. アプリケーションには、電気自動車の急速充電器が含まれると予想されます, モータードライブ, 輸送用電源と再生可能エネルギー.
GB50MPS17-247は、1700V 50ASiCマージPiNショットキーダイオードです。, 業界最高の定格電流のディスクリートSiCパワーダイオード. これらの新しくリリースされたダイオードは、低い順方向電圧降下を特徴としています, ゼロフォワードリカバリ, ゼロ逆回復, 接合容量が低く、最大動作温度175°Cの定格です. GeneSiCの第3世代SiCショットキーダイオード技術は、業界をリードするアバランシェの耐久性とサージ電流を提供します (Ifsm) 堅牢性, 高品質の自動車認定6インチファウンドリと高度な高信頼性ディスクリートアセンブリ技術を組み合わせた.
これらのSiCダイオードは、TO-247-2パッケージで入手可能な他のダイオードのピン互換の直接交換品です。. 電力損失が少ないことによるメリット (クーラー操作) および高周波スイッチング機能, 設計者は、設計においてより高い変換効率とより高い電力密度を達成できるようになりました.
GeneSiC半導体について, 株式会社.
GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急成長しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています。 (SiC) のベースのデバイス: (A) 電力網用のHV-HFSiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機のアクチュエーターおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) 高温用のベースの半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには整流器の開発が含まれます, FET, バイポーラデバイスと粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、半導体設計の広範なスイートにアクセスできます, 製作, このようなデバイスの特性評価およびテスト施設. GeneSiCは、デバイスおよびプロセス設計のコアコンピタンスを活用して、顧客に最適なSiCデバイスを開発します。. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで他とは一線を画しています。. GeneSiCには、ARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトがあります。, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの機器と人員のインフラストラクチャを急速に強化し続けています, バージニアの施設. 同社は、化合物半導体デバイス製造の経験者を積極的に採用しています。, 半導体のテストと検出器の設計. 会社とその製品に関する追加情報は、次のGeneSiCに電話することで入手できます。 703-996-8200 または訪問することによってwww.genesicsemi.com.
