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ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019さまざまな温度での長期DCおよびパルス動作下でのSiC「スーパー」接合トランジスタの電気的特性の安定性 五月, 2012 さまざまな温度での長期DCおよびパルス動作下でのSiC「スーパー」接合トランジスタの電気的特性の安定性
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019超高速のSiC「スーパー」接合トランジスタ (< 15 ns) スイッチング能力 五月, 2012 超高速のSiC「スーパー」接合トランジスタ (< 15 ns) スイッチング能力
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 20194H-SiC BJT の電流利得とアバランシェ モード動作の安定性の特性評価 10月, 2012 4H-SiC BJT の電流利得とアバランシェ モード動作の安定性の特性評価
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 201910 kV SiC BJT – 静的, スイッチング特性と信頼性特性 五月, 2013 10 kV SiC BJT – 静的, スイッチング特性と信頼性特性
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019電流利得を備えた急速に成熟した SiC 接合トランジスタ (b) > 130, 最大阻止電圧 2700 Vと長期安定稼働 10月, 2013 電流利得を備えた急速に成熟した SiC 接合トランジスタ (b) > 130, 最大阻止電圧 2700 Vと長期安定稼働
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019250℃動作向けに最適化された炭化ケイ素接合トランジスタとショットキー整流器 4月, 2014 250℃動作向けに最適化された炭化ケイ素接合トランジスタとショットキー整流器
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers ジュン, 2014 Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
ポストする 六月 10, 2019六月 10, 2019AN-10A Driving SiC Junction Transistors (SJT) with Off-the-Shelf Silicon IGBT Gate Drivers: Single-Level Drive Concept 五月 2013 AN-10A Driving SiC Junction Transistors (SJT) with Off-the-Shelf Silicon IGBT Gate Drivers: Single-Level Drive Concept