מכלולי מתח גבוה כדי ליהנות ממיישרים בעלי קיבול נמוך אלה המציעים זרמי התאוששות אפס בלתי תלויים בטמפרטורה בחבילות מבודדות
מפל נהר הגנב/דאלס, וירג'יניה., מאי 28, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) מוליכים למחצה כוח מכריזים על זמינות מיידית של 3300 V/0.3 אמפר SiC Schottky מיישרי – ה-GAP3SLT33-220FP. מוצר ייחודי זה מייצג את מיישר SiC במתח הגבוה ביותר בשוק, והוא מכוון במיוחד למעגלי מכפיל מתח ומכלולי מתח גבוה המשמשים במגוון רחב של רנטגן, ספקי כוח לייזר וחלקיקים.
מעגלי מכפיל מתח עכשוויים סובלים מיעילות מעגל נמוכה ומגדלים גדולים מכיוון שזרמי ההתאוששות ההפוכה ממיישרי סיליקון פורקים את הקבלים המחוברים במקביל. בטמפרטורות צומת מיישר גבוהות יותר, מצב זה מחמיר מכיוון שזרם ההתאוששות ההפוך במיירי הסיליקון עולה עם הטמפרטורה. עם מגבלות תרמיות מכלולי מתח גבוה, טמפרטורות הצומת עולות די בקלות גם כאשר מועברים זרמים צנועים. מיישרי SiC במתח גבוה מציעים מאפיינים ייחודיים המבטיחים לחולל מהפכה במכלולי המתח הגבוה. GeneSiC 3300 מיישני Schottky V / 0.3 A כוללים זרם התאוששות הפוך אפס שאינו משתנה עם הטמפרטורה. מתח גבוה יחסית זה במכשיר בודד מאפשר הפחתה בשלבי הכפלת המתח הנדרשים במעגלי מחולל מתח גבוה טיפוסיים, באמצעות מתח כניסת AC גבוה יותר. מאפייני המיתוג כמעט האידיאליים מאפשרים חיסול / הפחתה דרמטית של רשתות איזון מתח ומעגלי סנובור. החבילה המבודדת TO-220 Full Pack יצוקה יתר על המידה כוללת גורם צורה סטנדרטי בתעשייה עם מרווח פינים מוגדל במכלולי חורים דרך.
"היצע המוצר הזה מגיע משנים של מאמצים מתמשכים ב- GeneSiC. אנו מאמינים ב 3300 דירוג V הוא גורם מבדל מרכזי עבור שוק מחולל המתח הגבוה, ויאפשר יתרונות משמעותיים ללקוחותינו. ה- VF הנמוך של GeneSiC, קיבול נמוך SiC Schottky Rectifiers מאפשרים מוצר פורץ דרך זה” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.
3300 דגשים טכניים של V/0.3 A SiC Rectifier
- On-State Drop of 1.7 מס ערך מוסף 0.3 א
- מקדם טמפרטורה חיובי ב-VF
- טjmax = 175אוג
- מטען קיבולי 52 nC (טיפוסי).
כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח / זרם מלא ושוכן ללא הלוגן, TO-220FP תואם RoHS (חבילה מלאה) חבילות. המכשירים זמינים מיד מהמפיץ המורשה של GeneSiC, Digikey.
אודות GeneSiC Semiconductor Inc..
GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, קרביד סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים, וספקית גלובלית של מגוון רחב של מוליכים למחצה חשמליים. תיק המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מוצרי מיישר סיליקון. GeneSiC פיתחה ידע קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות האחרונה במכשירי החשמל של SiC, עם מוצרים הממוקדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוחי שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אספקת חשמל ללא הפרעה. GeneSiC השיגה חוזי מחקר ופיתוח רבים מסוכנויות ממשלתיות בארה"ב, כולל ה- ARPA-E, משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, DTRA, והמשרד לביטחון פנים, כמו גם קבלנים ראשיים ממשלתיים גדולים. ב 2011, החברה זכתה ב- R היוקרתית&פרס D100 על מסחור תיריסטורי SiC במתח גבוה במיוחד.
למידע נוסף, אנא בקר בכתובת www.genesicsemi.com
