פורסם ב על ידי עורך 0

טמפרטורה גבוהה (210 ג) SiC Junction Transistors offered in hermetic packages

The promise of high temperature in SiC Transistors realized through compatible industry-standard packages will critically enhance downhole and aerospace actuators and power supplies

דאלס, וירג'יניה., Dec 10, 2013 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability through its distributors and directly a family high temperature packaged 600 טרנזיסטורי V SiC Junction (SJT) in the 3-50 Amperes current ratings in JEDEC industry-standard through hole and surface mount packages. Incorporating these high temperature, low on-resistance, high frequency SiC Transistors in hermetic packages, high temperature solders and encapsulation will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of high temperature power conversion applications.HiT_Schottky

Contemporary high temperature power supply, motor control and actuator circuits used in oil/gas/downhole and aerospace applications suffer from lack of availability of a viable high temperature Silicon Carbide solution. Silicon transistors suffer from low circuit efficiencies and large sizes because they suffer from high leakage currents and low poor switching characteristics. Both these parameters become worse at higher junction temperatures. With thermally constraint environments, טמפרטורות הצומת עולות די בקלות גם כאשר מועברים זרמים צנועים. Hermetically packaged SiC transistors offer unique characteristics that promise to revolutionize the capability of downhole and aerospace applications. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC Junction Transistors feature near zero switching times that does not change with temperature. ה 210אוC junction temperature-rated devices offer relatively large temperature margins for applications that are operating under extreme environments.

טרנזיסטורי צומת המוצעים על ידי GeneSiC מציגים יכולת מיתוג מהירה במיוחד, אזור פעולה בטוח מוטה הפוכה מרובע (RBSOA), כמו גם הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג בלתי תלויים בטמפרטורה. מתגים אלה הם ללא תחמוצת שער, בדרך כלל כבוי, מציגים טמפרטורה חיובית שיתופית של התנגדות, והם מסוגלים להיות מונעים על ידי מסחרי, זמין בדרך כלל 15 דרייברים לשער V IGBT, בניגוד למתגי SiC אחרים. תוך מתן תאימות עם מנהלי התקנים של SiC JFET, SiC Junction Transistors can be easily paralleled because of their matching transient characteristics.

“As downhole and aerospace application designers continue to push the limits of operating frequency, תוך שהוא דורש יעילות מעגל גבוהה, they need SiC switches which can offer a standard of performance, reliability and production uniformity. ניצול המכשיר הייחודי וחידושי הייצור, GeneSiC’s SJT products help designers achieve all that in a more robust solution. These products complement the hermetic packaged SiC rectifier released last year by GeneSiC, and the bare die products released earlier this year, while paving the way for us to offer high temperature, low-inductance, power modules in the near future ” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.

Isolated TO-257 with 600 V SJTs:

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7637-GA); ו 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
  • טjmax = 210אוג
  • הדלק / כבה; זמני עלייה / סתיו <50 ננו שניות אופייניות.
  • Corresponding Bare Die GA20JT06-CAL (in 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (in 2N7637-GA); and GA05JT06-CAL (in 2N7635-GA)

Non-Isolated TO-258 Prototype package with 600 SJTs

  • 25 mOhms/50 Amp (GA50JT06-258 prototype package)
  • טjmax = 210אוג
  • הדלק / כבה; זמני עלייה / סתיו <50 ננו שניות אופייניות.
  • Corresponding Bare Die GA50JT06-CAL (in GA50JT06-258)

Surface Mount TO-276 (SMD0.5) with 600 SJTs

  • 65 mOhms/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms/8 Amp (2N7638-GA); ו 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
  • טjmax = 210אוג
  • הדלק / כבה; זמני עלייה / סתיו <50 ננו שניות אופייניות.

כל המכשירים הם 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. מוצעים דגמי תמיכה טכנית ומעגלי SPICE. The devices are immediately available from GeneSiC Directly and/or through its Authorized Distributors.

אודות GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. הוא חדשני מוביל בטמפרטורה גבוהה, קרביד סיליקון בעל מתח גבוה ואולטרה מתח גבוה (SiC) מכשירים, וספקית גלובלית של מגוון רחב של מוליכים למחצה חשמליים. תיק המכשירים שלה כולל מיישר מבוסס SiC, טרָנזִיסטוֹר, ומוצרי תיריסטור, כמו גם מוצרי מיישר סיליקון. GeneSiC פיתחה ידע קניין רוחני נרחב וידע טכני המקיף את ההתקדמות האחרונה במכשירי החשמל של SiC, עם מוצרים הממוקדים לאנרגיה חלופית, רכב, קידוחי שמן למטה, שליטה מוטורית, ספק כוח, הוֹבָלָה, ויישומי אספקת חשמל ללא הפרעה. GeneSiC השיגה חוזי מחקר ופיתוח רבים מסוכנויות ממשלתיות בארה"ב, כולל ה- ARPA-E, משרד האנרגיה, חיל הים, צָבָא, DARPA, DTRA, והמשרד לביטחון פנים, כמו גם קבלנים ראשיים ממשלתיים גדולים. ב 2011, החברה זכתה ב- R היוקרתית&פרס D100 על מסחור תיריסטורי SiC במתח גבוה במיוחד.

למידע נוסף, בבקשה תבקר http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt