GeneSiC Semiconductor Inc., חדשן מרכזי במכשירי הכוח מבוססי סיליקון קרביד זכה לכבוד בשבוע שעבר בהכרזה שהוא זכה בתואר היוקרתי 2011 ר&ד 100 פרס. פרס זה מכיר ב- GeneSiC על הצגת אחד המשמעותיים ביותר, התקדמות מחקר ופיתוח שהוצגו לאחרונה בקרב דיסציפלינות מרובות במהלך 2010. ר&מגזין D זיהה את התיריסטור SiC האולטרה-גבוה של GeneSiC על יכולתו להשיג מתחים ותדרים חסימה שלא נוצלו מעולם לקראת הדגמות של אלקטרוניקה כוח. דירוגי המתח של >6.5kV, דירוג נוכחי במדינה של 80 A ותדרי הפעלה של >5 kHz גבוהים בהרבה מאלה שהוצגו בעבר בשוק. היכולות הללו שהושגו על ידי התיריסטורים של GeneSiC מאפשרות באופן קריטי לחוקרי האלקטרוניקה הכוח לפתח ממירים הקשורים לרשת, גָמִישׁ
מערכות הילוכים AC (עובדות) ומערכות מתח גבוה DC (HVDC). זה יאפשר המצאות חדשות ופיתוחי מוצרים בתחום האנרגיה המתחדשת, ממירים סולאריים, ממירי כוח רוח, ותעשיות אחסון אנרגיה. ד"ר. רנביר סינג, President of GeneSiC Semiconductor comented “It is anticipated that large-scale markets in solid-state electrical substations and wind turbine generators will open up after researchers in the power conversion arena will fully realize the benefits of SiC Thyristors. These first generation SiC Thyristors utilize the lowest demonstrated on-state voltage drop and differential on-resistances ever achieved in SiC Thyristors. We intend to release future generations of SiC Thyristors optimized for Gate-controlled Turn Off capability and pulsed power capability and >10kV ratings. As we continue to develop high temperature ultra-high voltage packaging solutions, the present 6.5kV Thyristors are packaged in modules with fully soldered contacts, limited to 150oC junction temperatures.” Since this product was launched in October 2010, GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these Silicon Carbide Thyristors. GeneSiC continues to develop its family of Silicon Carbide Thyristor products. ה-R&D on early version for power conversion applications were developed through SBIR funding support from US Dept. of Energy. More advanced, Pulsed Power optimized SiC Thyristors are being developed under another SBIR contract with ARDEC, US Army. Using these technical developments, internal investment from GeneSiC and commercial orders from multiple customers, GeneSiC was able to offer these UHV Thyristors as commercial products.
The 49th annual technology competition run by R&מגזין D העריך ערכים מחברות ושחקנים שונים בתעשייה, ארגוני מחקר ואוניברסיטאות ברחבי העולם. עורכי המגזין ופאנל של מומחים חיצוניים שימשו כשופטים, הערכת כל ערך מבחינת חשיבותו לעולם המדע והמחקר.
לפי ר&מגזין D, זכייה ב-R&ד 100 הפרס מעניק ציון מצוינות המוכר לתעשייה, מֶמְשָׁלָה, והאקדמיה כהוכחה לכך שהמוצר הוא אחד הרעיונות החדשניים ביותר של השנה. פרס זה מכיר ב- GeneSiC כמובילה עולמית ביצירת מוצרים מבוססי טכנולוגיה שעושים את ההבדל באופן שבו אנו עובדים וחיים.
על GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC הוא חדשן מתפתח במהירות בתחום התקני כוח SiC ויש לו מחויבות חזקה לפיתוח של סיליקון קרביד (SiC) מכשירים מבוססים עבור: (א) התקני HV-HF SiC עבור רשת חשמל, כוח דופק ונשק אנרגיה מכוון; ו (ב) מכשירי כוח SiC בטמפרטורה גבוהה עבור מפעילי מטוסים וחיפושי נפט. GeneSiC Semiconductor Inc.. מפתחת סיליקון קרביד (SiC) התקני מוליכים למחצה מבוססי טמפרטורה גבוהה, קְרִינָה, ויישומי רשת חשמל. זה כולל פיתוח של מיישרים, FETs, התקנים דו קוטביים כמו גם חלקיקים & גלאים פוטוניים. ל- GeneSiC יש גישה לחבילה נרחבת של עיצוב מוליכים למחצה, זִיוּף, מתקני אפיון ובדיקה של מכשירים כאלה. GeneSiC מנצלת את יכולות הליבה שלה בתכנון מכשירים ותהליכים כדי לפתח את התקני SiC הטובים ביותר עבור לקוחותיה. החברה מייחדת את עצמה במתן מוצרים באיכות גבוהה המותאמים במיוחד לדרישות של כל לקוח. ל- GeneSiC יש חוזי ראש/משנה מסוכנויות ממשלתיות גדולות בארה"ב כולל ARPA-E, משרד האנרגיה האמריקאי, חיל הים, DARPA, המחלקה לביטחון פנים, מחלקת המסחר ומחלקות אחרות במחלקת ארה"ב. של ההגנה. GeneSiC ממשיכה לשפר במהירות את תשתיות הציוד והכוח אדם ב-Dulles שלה, מתקן וירג'יניה. החברה מגייסת באגרסיביות כוח אדם מנוסה בייצור התקני מוליכים למחצה מורכבים, בדיקות מוליכים למחצה ועיצובי גלאים. מידע נוסף על החברה ומוצריה ניתן לקבל על ידי התקשרות GeneSiC בטלפון 703-996-8200 או בביקור www.genesicsemi.com.
