SiC switches offering lowest conduction losses and superior short circuit capability released for High Frequency Power Circuits
דאלס, וירג'יניה., אוקטובר 28, 2014 — מוליך למחצה GeneSiC, חלוצה וספקית עולמית של מגוון רחב של סיליקון קרביד (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of a family of low on-resistance 1700V and 1200 V SiC Junction Transistors in TO-247 packages. The use of high voltage, high frequency, high temperature and low on-resistance capable SiC Junction Transistors will increase conversion efficiency and reduce the size/weight/volume of power electronics applications requiring higher bus voltages. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including DC microgrids, Vehicle Fast chargers, server, ספקי כוח טלקום ורשת, ספקי כוח בלתי פסיקים, ממירים סולאריים, Wind power systems, and industrial motor control systems.
SiC Junction Transistors (SJT) offered by GeneSiC exhibit ultra-fast switching capability (similar to that of SiC MOSFETs), אזור פעולה בטוח מוטה הפוכה מרובע (RBSOA), כמו גם הפסדי אנרגיה חולפים וזמני מיתוג בלתי תלויים בטמפרטורה. מתגים אלה הם ללא תחמוצת שער, בדרך כלל כבוי, מציגים טמפרטורה חיובית שיתופית של התנגדות, and are capable of being driven by commercially gate drivers, בניגוד למתגי SiC אחרים. היתרונות הייחודיים של ה- SJT בניגוד למתגי SiC אחרים הוא האמינות הגבוהה יותר לטווח הארוך, >10 יכולת קצר חשמלית, ויכולת מפולת שלגים מעולה
“These improved SJTs offer much higher current gains (>100), highly stable and robust performance as compared to other SiC switches. GeneSiC’s SJTs offer extremely low conduction losses at rated currents as superior turn-off losses in power circuits. ניצול המכשיר הייחודי וחידושי הייצור, GeneSiC’s Transistor products help designers achieve a more robust solution,” אמר ד"ר. רנביר סינג, נשיא GeneSiC Semiconductor.
1700 V SiC Junction Transistor released
- 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
- רווח נוכחי (חFE) >90
- טjmax = 175אוג
- הדלק / כבה; זמני עלייה / סתיו <30 ננו שניות אופייניות.
1200 V SiC Junction Transistor released
- 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
- רווח נוכחי (חFE) >90
- טjmax = 175אוג
- הדלק / כבה; זמני עלייה / סתיו <30 ננו שניות אופייניות.
כל המכשירים הם 100% נבדק לדירוג מתח / זרם מלא ושוכן ללא הלוגן, חבילות TO-247 תואמות RoHS. המכשירים זמינים באופן מיידי מהמפיצים המורשים של GeneSiC.
למידע נוסף, אנא בקר בכתובת http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
