פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019 על ידי עורך 0A 10-kV Large-Area 4H-SiC Power DMOSFET With Stable Subthreshold Behavior Independent of Temperature אוגוסט, 2008A 10-kV Large-Area 4H-SiC Power DMOSFET With Stable Subthreshold Behavior Independent of Temperature