déc 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (SiC) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.
“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” dit le docteur. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.
GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitant www.genesicsemi.com.
À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception de dispositifs et de processus pour développer les meilleurs dispositifs SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense.
