La carte de commande de porte optimisée pour les vitesses de commutation élevées et les modèles basés sur le comportement permettent aux ingénieurs en conception d'électronique de puissance de vérifier et de quantifier les avantages des SJT dans l'évaluation au niveau de la carte et la simulation de circuit
DULLES, VIRGINIE., Nov 19, 2014 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) power semiconductors annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de la carte d'évaluation Gate Driver et a étendu sa prise en charge de la conception des commutateurs à faible perte de l'industrie - le SiC Junction Transistor (SJT) – avec un modèle LTSPICE IV entièrement qualifié. Utilisation de la nouvelle Gate Driver Board, les concepteurs de circuits de conversion de puissance peuvent vérifier les avantages de moins de 15 nanosecondes, caractéristiques de commutation indépendantes de la température des transistors à jonction SiC, avec de faibles pertes de puissance du pilote. Intégration des nouveaux modèles SPICE, les concepteurs de circuits peuvent facilement évaluer les avantages que les SJT de GeneSiC offrent pour atteindre un niveau d'efficacité plus élevé que ce qui est possible avec les dispositifs de commutation de puissance au silicium conventionnels pour les dispositifs comparables.
Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 applicable aux SJT de GeneSiC
Les transistors à jonction SiC ont des caractéristiques très différentes de celles des autres technologies de transistors SiC, ainsi que des transistors au silicium. Des cartes de pilote de grille capables de fournir de faibles pertes de puissance tout en offrant des vitesses de commutation élevées étaient nécessaires pour fournir des solutions de commande permettant d'exploiter les avantages des transistors à jonction SiC.. GeneSiC entièrement isolé GA03IDDJT30-FR4 La carte de commande de porte prend 0/12 V et un signal TTL pour conditionner de manière optimale les formes d'onde de tension/courant nécessaires pour fournir de petits temps de montée/descente, tout en minimisant les besoins en courant continu pour maintenir le SJT normalement éteint pendant l'état passant. La configuration des broches et les facteurs de forme sont similaires à ceux des autres transistors SiC. GeneSiC a également publié des fichiers Gerber et des nomenclatures à l'utilisateur final pour leur permettre d'intégrer les avantages des innovations de conception de pilote réalisées.
Les SJT offrent des caractéristiques d'état passant et de commutation bien comportées, ce qui facilite la création de modèles SPICE basés sur le comportement qui s'accordent remarquablement bien avec les modèles basés sur la physique sous-jacents.. Utilisation de modèles basés sur la physique bien établis et compris, Les paramètres SPICE ont été publiés après des tests approfondis avec le comportement de l'appareil. Les modèles SPICE de GeneSiC sont comparés aux données mesurées expérimentalement sur toutes les fiches techniques des appareils et sont applicables à tous 1200 V et 1700 Lancement des transistors à jonction V SiC.
Les SJT de GeneSiC sont capables de fournir des fréquences de commutation supérieures à 15 fois supérieur aux solutions basées sur IGBT. Leurs fréquences de commutation plus élevées peuvent permettre des éléments magnétiques et capacitifs plus petits, réduisant ainsi la taille globale, poids et coût des systèmes d'électronique de puissance.
Ce modèle SPICE de transistor à jonction SiC s'ajoute à la suite complète d'outils d'aide à la conception de GeneSiC, documentation technique, et des informations sur la fiabilité pour fournir aux ingénieurs en électronique de puissance les ressources de conception nécessaires pour mettre en œuvre la gamme complète de transistors et redresseurs à jonction SiC de GeneSiC dans la prochaine génération de systèmes d'alimentation.
Les fiches techniques Gate Driver Board de GeneSiC et les modèles SJT SPICE peuvent être téléchargés à partir de http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
