Combinaison transistor-diode SiC co-emballée dans un boîtier robuste, isolée, 4-Au plomb, l'emballage de mini-modules réduit les pertes d'énergie de démarrage et permet des conceptions de circuits flexibles pour les convertisseurs de puissance haute fréquence
DULLES, Virginie, Peut 13, 2015 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de 20 mOhm-1200 V SiC Jonction Transistor-Diodes dans un isolé, 4-Emballage de mini-module au plomb qui permet des pertes d'énergie de mise en marche extrêmement faibles tout en offrant une flexibilité, conceptions modulaires dans les convertisseurs de puissance à haute fréquence. L'utilisation de la haute fréquence, Les transistors et redresseurs SiC à haute tension et à faible résistance à l'état passant réduiront la taille/le poids/le volume des applications électroniques nécessitant une gestion de puissance plus élevée à des fréquences de fonctionnement élevées. Ces appareils sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les appareils de chauffage par induction, générateurs de plasma, chargeurs rapides, Convertisseurs DC-DC, et alimentations à découpage.
1200 Redresseur de transistor à jonction en carbure de silicium V/20 mOhm - Coconditionné dans un boîtier SOT-227 isolé offrant une capacité de source de porte et de puits séparée
Transistors à jonction SiC co-emballés (SJT)-Les redresseurs SiC proposés par GeneSiC sont uniquement applicables aux applications de commutation inductive car les SJT sont les seules offres de commutateurs à large bande >10 capacité de court-circuit répétitif microsec, même à 80% des tensions nominales (par exemple. 960 V pour un 1200 appareil V). En plus des temps de montée/descente inférieurs à 10 ns et d'une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSO), la borne Gate Return dans la nouvelle configuration améliore considérablement la capacité de réduire les énergies de commutation. Cette nouvelle classe de produits offre des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température de jonction. Les transistors à jonction SiC de GeneSiC sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présentent un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être entraînés à de faibles tensions de grille, contrairement aux autres commutateurs SiC.
Les redresseurs SiC Schottky utilisés dans ces mini-modules présentent de faibles chutes de tension à l'état passant, de bonnes valeurs de courant de surtension et les courants de fuite les plus bas de l'industrie à des températures élevées. Avec température indépendante, caractéristiques de commutation de récupération inverse proches de zéro, Les redresseurs SiC Schottky sont des candidats idéaux pour une utilisation dans des circuits à haut rendement.
“Les transistors et redresseurs SiC de GeneSiC sont conçus et fabriqués pour réaliser de faibles pertes à l'état passant et de commutation. Une combinaison de ces technologies dans un boîtier innovant promet des performances exemplaires dans les circuits de puissance exigeant des dispositifs à large bande interdite. L'emballage du mini-module offre une grande flexibilité de conception pour une utilisation dans une variété de circuits d'alimentation comme le H-Bridge, Onduleurs flyback et multiniveaux” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.
Le produit publié aujourd'hui comprend
20 mOhm/1200 V SiC Jonction Transistor/Redresseur Co-pack (GA50SICP12-227):
• Ensemble SOT-227/mini-bloc/Isotop isolé
• Gain de courant du transistor (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limité par l'emballage)
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <10 nanosecondes typique.
Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension / courant nominal. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès de GeneSiC Distributeurs autorisés.
Pour plus d'informations, veuillez visiter: http://192.168.88.14/sic-commercial/sic-modules-copack/
À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristors, ainsi que des modules à diodes au silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle et des connaissances techniques étendues qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs de puissance SiC, avec des produits ciblés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier de fond, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans interruption. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix D100 pour la commercialisation de thyristors SiC ultra haute tension.
