Posté sur juin 10, 2019juin 10, 2019 par Éditeur012.9 Diodes kV SiC PiN avec faibles chutes à l'état passant et durée de vie élevée des porteurs Sept, 2011 12.9 Diodes kV SiC PiN avec faibles chutes à l'état passant et durée de vie élevée des porteurs