DULLES, Virginia, Septiembre 28, 2010 – Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada – Energía (ARPA-E) ha firmado un acuerdo de cooperación con el equipo liderado por GeneSiC Semiconductor para el desarrollo del novedoso carburo de silicio de voltaje ultra alto (Sic) Dispositivos basados en tiristores. Se espera que estos dispositivos sean facilitadores clave para la integración de plantas de energía eólica y solar a gran escala en la red inteligente de próxima generación..
“Esta adjudicación altamente competitiva a GeneSiC nos permitirá ampliar nuestra posición de liderazgo técnico en la tecnología de carburo de silicio multi-kV., así como nuestro compromiso con soluciones de energía alternativa a escala de red con soluciones de estado sólido," comentó el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC. “Los tiristores de SiC multikV que estamos desarrollando son la tecnología clave para la realización de sistemas de transmisión de CA flexibles. (HECHOS) Elementos y CC de alto voltaje. (HVDC) arquitecturas previstas hacia una integración, eficiente, Red inteligente del futuro. Los tiristores basados en SiC de GeneSiC ofrecen un voltaje 10 veces mayor, 100X frecuencias de conmutación más rápidas y operación a mayor temperatura en soluciones de procesamiento de energía FACTS y HVDC en comparación con los tiristores convencionales basados en silicio”.
En abril 2010, GeneSiC respondió a la entrega ágil de tecnología de energía eléctrica (ADEPTO) Solicitud de ARPA-E que buscaba invertir en materiales para avances fundamentales en interruptores de alto voltaje que tienen el potencial de superar el rendimiento de los convertidores de potencia existentes y al mismo tiempo ofrecer reducciones en los costos.. Se seleccionó la propuesta de la empresa titulada “Tiristor conmutado de ánodo de carburo de silicio para conversión de energía de media tensión” para proporcionar un peso ligero., de Estado sólido, Conversión de energía de media tensión para aplicaciones de alta potencia, como subestaciones eléctricas de estado sólido y generadores de turbinas eólicas.. El despliegue de estas tecnologías avanzadas de semiconductores de potencia podría proporcionar tanto como una 25-30 porcentaje de reducción en el consumo de electricidad a través de mayores eficiencias en el suministro de energía eléctrica. Las innovaciones seleccionadas fueron para apoyar y promover EE.UU.. negocios a través del liderazgo tecnológico, a través de un proceso altamente competitivo.
El carburo de silicio es un material semiconductor de próxima generación con propiedades muy superiores al silicio convencional., como la capacidad de manejar diez veces el voltaje (y cien veces la corriente) a temperaturas de hasta 300 ºC.. Estas características lo hacen ideal para aplicaciones de alta potencia, como vehículos híbridos y eléctricos., energía renovable (eólica y solar) instalaciones, y sistemas de control de redes eléctricas.
Ahora está bien establecido que el voltaje ultra alto (>10kV) Carburo de silicio (Sic) la tecnología de dispositivos desempeñará un papel revolucionario en la red eléctrica de próxima generación. Los dispositivos SiC basados en tiristores ofrecen el mayor rendimiento en estado activo para >5 dispositivos de kV, y son ampliamente aplicables a los circuitos de conversión de energía de voltaje medio como los limitadores de corriente de falla, Convertidores CA-CC, Compensadores estáticos VAR y compensadores en serie. Los tiristores basados en SiC también ofrecen la mejor oportunidad de adopción temprana debido a sus similitudes con los elementos de la red eléctrica convencional.. Otras aplicaciones y ventajas prometedoras para estos dispositivos incluyen:
- Sistemas de gestión y acondicionamiento de energía para la conversión de CC de media tensión buscados en Capacidad Naval Futura (FNC) de la marina estadounidense, Sistemas de lanzamiento electromagnéticos., sistemas de armas de alta energía e imágenes médicas. La capacidad de frecuencia operativa entre 10 y 100 veces mayor permite mejoras de tamaño sin precedentes, peso, volumen y finalmente, costo de tales sistemas.
- Una variedad de almacenamiento de energía., Aplicaciones de física de alta temperatura y alta energía.. Las aplicaciones de almacenamiento de energía y redes eléctricas están recibiendo cada vez más atención a medida que el mundo se centra en soluciones de gestión de energía más eficientes y rentables..
GeneSiC es un innovador que emerge rápidamente en el área de dispositivos de potencia de SiC y tiene un fuerte compromiso con el desarrollo de carburo de silicio. (Sic) dispositivos basados en: (un) Dispositivos HV-HF SiC para Power Grid, Armas de energía pulsada y dirigida; y (B) Dispositivos de alimentación de SiC de alta temperatura para actuadores de aeronaves y exploración de petróleo.
“Nos hemos convertido en líderes en tecnología de SiC de voltaje ultraalto al aprovechar nuestra competencia central en diseño de dispositivos y procesos con un amplio conjunto de soluciones de fabricación., caracterización, e instalaciones de prueba,” concluye el Dr.. singh. "La posición de GeneSiC ahora ha sido validada efectivamente por el DOE de EE. UU. con este importante premio de seguimiento".
Acerca de GeneSiC Semiconductor
Ubicado estratégicamente cerca de Washington, CC en Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos. Los proyectos de desarrollo actuales incluyen rectificadores de alta temperatura, Transistores de superunión (SJT) y una amplia variedad de dispositivos basados en tiristores. GeneSiC tiene o ha tenido contratos principales/subcontratados de las principales agencias gubernamentales de los EE. UU., incluyendo el Departamento de Energía, Armada, Ejército, DARPA, y el Departamento de Seguridad Nacional. La empresa está experimentando un crecimiento sustancial, y contratación de personal calificado en el diseño de dispositivos de potencia y detectores, fabricación, y pruebas. Para descubrir mas, por favor visita www.genesicsemi.com.
