DULLES, Va., Februar. 25, 2013 /PRNewswire-iReach / — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter gibt heute die sofortige Verfügbarkeit einer Familie von 1700V und 1200 V SiC-Übergangstransistoren. Integrieren von Hochspannung, Hochfrequenz- und hochtemperaturfähige SiC-Übergangstransistoren erhöhen die Umwandlungseffizienz und reduzieren Größe/Gewicht/Volumen der Leistungselektronik. Diese Geräte sind für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen vorgesehen, einschließlich Server, Telekommunikations- und Netzwerknetzteile, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Solarwechselrichter, industrielle Motorsteuerungssysteme, und Bohrlochanwendungen.
Die von GeneSiC angebotenen Sperrschichttransistoren weisen eine ultraschnelle Schaltfähigkeit auf, ein quadratischer, in Sperrrichtung vorgespannter sicherer Betriebsbereich (RBSOA), sowie temperaturunabhängige transiente Energieverluste und Schaltzeiten. Diese Schalter sind Gate-Oxid-frei, normal-aus, weisen einen positiven Temperaturkoeffizienten des Einschaltwiderstands auf, und sind in der Lage, von kommerziellen, allgemein verfügbar 15 V IGBT Gate-Treiber, im Gegensatz zu anderen SiC-Schaltern. Bei gleichzeitiger Kompatibilität mit SiC-JFET-Treibern, Sperrschichttransistoren können aufgrund ihrer passenden Transienteneigenschaften leicht parallel geschaltet werden.
“Während die Entwickler von Stromversorgungssystemen die Grenzen der Betriebsfrequenz weiter verschieben, und fordern trotzdem hohe Schaltungswirkungsgrade, die Notwendigkeit von SiC-Schaltern, die einen Standard an Leistung und Produktionseinheitlichkeit bieten können. Nutzung der einzigartigen Geräte- und Fertigungsinnovationen, Die Transistorprodukte von GeneSiC helfen Designern, all dies in einer robusteren Lösung zu erreichen,” sagte Dr.. Ranbir Singh , Präsident von GeneSiC Semiconductor.
1700 Technische Highlights des V-Übergangstransistors
- Drei Angebote – 110 mOhm (GA16JT17-247); 250 mOhm (GA08JT17-247); und 500 mOhm (GA04JT17-247)
- Tjmax = 175°C
- Anstiegs-/Abfallzeiten ein-/ausschalten <50 Nanosekunden typisch.
1200 Technische Highlights des V-Übergangstransistors
- Zwei Angebote – 220 mOhm (GA06JT12-247); und 460 mOhm (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175°C
- Anstiegs-/Abfallzeiten ein-/ausschalten <50 Nanosekunden typisch
Alle Geräte sind 100% getestet auf volle Spannungs- / Stromstärke und in Halogen-frei untergebracht, RoHS-konforme TO-247-Pakete. Die Geräte sind ab sofort bei den autorisierten GeneSiC-Händlern erhältlich.
