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GeneSiC 赢得久负盛名的 R&基于 SiC 的单片晶体管-整流器开关荣获 D100 奖

杜勒斯, VA, 十二月 5, 2019 — 电阻&D 杂志选择了 GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA 作为享有盛誉的获得者 2019 电阻&D 100 碳化硅基单片晶体管-整流器开关开发奖.

GeneSiC半导体公司, 一家基于碳化硅的功率器件的主要创新者荣幸地宣布它已被授予久负盛名的 2019 电阻&D 100 奖. 该奖项表彰 GeneSiC 引入了最重要的技术之一, 新引入的多学科研究和开发进展 2018. 电阻&D Magazine 认可 GeneSiC 的中压 SiC 功率器件技术，因为它能够将 MOSFET 和肖特基整流器单片集成在单个芯片上. GeneSiC 器件实现的这些功能使电力电子研究人员能够开发下一代电力电子系统，如逆变器和 DC-DC 转换器. 这将允许电动汽车内的产品开发, 充电基础设施, 可再生能源和储能行业. GeneSiC 已收到多个客户的订单，用于演示使用这些设备的先进电力电子硬件，并继续开发其碳化硅 MOSFET 产品系列. R&电源转换应用的早期版本 D 是通过美国部门开发的. 能源和与桑迪亚国家实验室的合作.

R 举办的年度技术竞赛&D Magazine 对来自不同公司和行业参与者的参赛作品进行了评估, 世界各地的研究机构和大学. 该杂志的编辑和外部专家小组担任评委, 评估每个条目对科学和研究世界的重要性.

根据 R&D 杂志, 赢得 R&D 100 奖项提供了行业知名的卓越标志, 政府, 和学术界证明该产品是年度最具创新性的想法之一. 该奖项表彰了 GeneSiC 作为创造基于技术的产品的全球领导者，这些产品对我们的工作和生活产生了影响.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.

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大电流能力 650V, 1200V 和 1700V SiC 肖特基 MPS™ 二极管采用迷你模块 SOT-227 封装

杜勒斯, VA, 可能 11, 2019 — GeneSiC 成为大电流能力的市场领导者 (100 一个和 200 一种) SOT-227 微型模块中的 SiC 肖特基二极管

GeneSiC推出GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 和 GC2X100MPS06-227; 业界最高额定电流的 650V 和 1700V SiC 肖特基二极管, 添加到现有的 1200V SiC 肖特基二极管微型模块产品组合 – GB2X50MPS12-227 和 GB2X100MPS12-227. 这些 SiC 二极管取代了硅基超快恢复二极管, 使工程师能够构建具有更高效率和更高功率密度的开关电路. 预计应用将包括电动汽车快速充电器, 马达驱动, 交通电源, 大功率整流和工业电源.

除了 SOT-227 微型模块封装的隔离基板, 这些新发布的二极管具有低正向压降, 零前向恢复, 零反向恢复, 低结电容，额定最高工作温度为 175°C. GeneSiC 的第三代 SiC 肖特基二极管技术提供行业领先的雪崩耐用性和浪涌电流 (伊斯马) 稳健性, 结合高质量的汽车合格 6 英寸制造和先进的高可靠性分立装配技术.

这些 SiC 二极管是引脚兼容的，可直接替代 SOT-227 中提供的其他二极管 (微型模块) 包裹. 受益于较低的功率损耗 (冷却器操作) 和高频开关能力, 设计人员现在可以在设计中实现更高的转换效率和更高的功率密度.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.

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GeneSiC 发布业界最佳性能 1700V SiC 肖特基 MPS™ 二极管

杜勒斯, VA, 一月 7, 2019 — GeneSiC 发布采用 TO-247-2 封装的第三代 1700V SiC 肖特基 MPS™ 二极管的全面产品组合

GeneSiC已推出GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 和 GB50MPS17-247; 采用流行的 TO-247-2 通孔封装的业界最佳性能 1700V SiC 二极管. 这些 1700V SiC 二极管取代了硅基超快恢复二极管和其他老一代 1700V SiC JBS, 使工程师能够构建具有更高效率和更高功率密度的开关电路. 预计应用将包括电动汽车快速充电器, 马达驱动, 交通电源和可再生能源.

GB50MPS17-247 是 1700V 50A SiC 合并 PiN-肖特基二极管, 业界最高额定电流的分立式 SiC 功率二极管. 这些新发布的二极管具有低正向压降, 零前向恢复, 零反向恢复, 低结电容，额定最高工作温度为 175°C. GeneSiC 的第三代 SiC 肖特基二极管技术提供行业领先的雪崩耐用性和浪涌电流 (伊斯马) 稳健性, 结合高品质汽车合格的6英寸代工厂和先进的高可靠性分立组装技术.

这些 SiC 二极管是 TO-247-2 封装中可用的其他二极管的引脚兼容直接替代品. 受益于较低的功率损耗 (冷却器操作) 和高频开关能力, 设计人员现在可以在设计中实现更高的转换效率和更高的功率密度.

关于 GeneSiC 半导体, 公司.

GeneSiC 是 SiC 功率器件领域快速崛起的创新者，并坚定地致力于碳化硅的发展 (碳化硅) 基于设备: (一种) 用于电网的 HV-HF SiC 器件, 脉冲功率和定向能武器; 和 (乙) 用于飞机执行器和石油勘探的高温 SiC 功率器件. GeneSiC半导体公司. 开发碳化硅 (碳化硅) 高温半导体器件, 辐射, 和电网应用. 这包括开发整流器, 场效应管, 双极器件以及粒子 & 光子探测器. GeneSiC 可以使用广泛的半导体设计套件, 制造, 此类设备的表征和测试设施. GeneSiC 利用其在器件和工艺设计方面的核心竞争力，为其客户开发尽可能最好的 SiC 器件. 该公司通过提供专门针对每个客户要求的高品质产品而脱颖而出. GeneSiC 拥有包括 ARPA-E 在内的美国主要政府机构的主要/分包合同, 美国能源部, 海军, DARPA, 国土安全部, 商务部和美国部内的其他部门. 国防. GeneSiC 继续迅速加强其杜勒斯大学的设备和人员基础设施, 弗吉尼亚工厂. 公司正在积极招聘在化合物半导体器件制造方面有经验的人员, 半导体测试和探测器设计. 有关公司及其产品的更多信息，请致电 GeneSiC，网址为 703-996-8200 或通过访问www.genesicsemi.com.