杜勒斯, 將, 一月 7, 2019 — GeneSiC推出採用TO-247-2封裝的第三代1700V SiC肖特基MPS™二極管的全面產品組合
GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和GB50MPS17-247; 流行的TO-247-2通孔封裝中提供了業界性能最佳的1700V SiC二極管. 這些1700V SiC二極管替代了矽基超快恢復二極管和其他舊式1700V SiC JBS, 使工程師能夠構建更高效率和更高功率密度的開關電路. 預計應用將包括電動汽車快速充電器, 馬達驅動, 運輸電源和可再生能源.
GB50MPS17-247是1700V 50A SiC合併式PiN肖特基二極管, 業界額定電流最高的分立SiC功率二極管. 這些新發布的二極管具有較低的正向壓降, 零前向恢復, 零反向恢復, 低結電容，額定最高工作溫度為175°C. GeneSiC的第三代SiC肖特基二極管技術可提供業界領先的雪崩強度和浪湧電流 (s) 健壯性, 結合高質量的汽車合格6英寸鑄造廠和先進的高可靠性分立裝配技術.
這些SiC二極管是引腳兼容的直接替代品，可替代TO-247-2封裝中提供的其他二極管. 受益於更低的功率損耗 (冷卻器運行) 和高頻切換能力, 設計人員現在可以在設計中實現更高的轉換效率和更高的功率密度.
關於GeneSiC半導體, 公司.
GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.
