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GeneSiC贏得久負盛名的R&SiC基單片晶體管-整流器開關D100獎

杜勒斯, 將, 十二月 5, 2019 — [R&D Magazine選擇了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作為享有盛譽的接受者 2019 [R&d 100 SiC基單片晶體管-整流器開關開發獎.

GeneSiC半導體公司, 基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者因其已獲得久負盛名的獎項而感到榮幸 2019 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一。, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2018. [R&D Magazine認可GeneSiC的中壓SiC功率器件技術，因為它能夠將MOSFET和肖特基整流器單片集成在單個芯片上. GeneSiC的設備所具有的這些功能至關重要，使電力電子研究人員能夠開發下一代電力電子系統，例如逆變器和DC-DC轉換器. 這將允許電動汽車內的產品開發, 充電基礎設施, 可再生能源和儲能行業. GeneSiC已預訂了多個客戶的訂單，以演示使用這些設備的先進功率電子硬件，並繼續開發其碳化矽MOSFET產品系列. R&早期版本的D用於電源轉換應用程序是通過美國部開發的. 能源和與桑迪亞國家實驗室的合作.

R舉辦的年度技術競賽&《 D雜誌》對多家公司和行業參與者的作品進行了評估, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.

根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.

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高電流能力650V, 1200小型模塊SOT-227封裝的V和1700V SiC肖特基MPS™二極管

杜勒斯, 將, 可能 11, 2019 — GeneSiC成為高電流能力的市場領導者 (100 和 200 一種) SOT-227微型模塊中的SiC肖特基二極管

GeneSiC推出了GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227和GC2X100MPS06-227; 業界額定電流最高的650V和1700V SiC肖特基二極管, 添加到現有的1200V SiC肖特基二極管微型模塊組合– GB2X50MPS12-227和GB2X100MPS12-227. 這些SiC二極管替代了矽基超快恢復二極管, 使工程師能夠構建更高效率和更高功率密度的開關電路. 預計應用將包括電動汽車快速充電器, 馬達驅動, 運輸電源, 大功率整流和工業電源.

除了SOT-227迷你模塊封裝的隔離底板, 這些新發布的二極管具有低正向壓降, 零前向恢復, 零反向恢復, 低結電容，額定最高工作溫度為175°C. GeneSiC的第三代SiC肖特基二極管技術可提供業界領先的雪崩強度和浪湧電流 (s) 健壯性, 結合高質量的汽車級6英寸製造技術和先進的高可靠性分立裝配技術.

這些SiC二極管是引腳兼容的直接替代品，可替代SOT-227中提供的其他二極管 (迷你模塊) 包裹. 受益於更低的功率損耗 (冷卻器運行) 和高頻切換能力, 設計人員現在可以在設計中實現更高的轉換效率和更高的功率密度.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.

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GeneSiC發佈業界性能最佳的1700V SiC肖特基MPS™ 二極管

杜勒斯, 將, 一月 7, 2019 — GeneSiC推出採用TO-247-2封裝的第三代1700V SiC肖特基MPS™二極管的全面產品組合

GeneSiC推出了GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247和GB50MPS17-247; 流行的TO-247-2通孔封裝中提供了業界性能最佳的1700V SiC二極管. 這些1700V SiC二極管替代了矽基超快恢復二極管和其他舊式1700V SiC JBS, 使工程師能夠構建更高效率和更高功率密度的開關電路. 預計應用將包括電動汽車快速充電器, 馬達驅動, 運輸電源和可再生能源.

GB50MPS17-247是1700V 50A SiC合併式PiN肖特基二極管, 業界額定電流最高的分立SiC功率二極管. 這些新發布的二極管具有較低的正向壓降, 零前向恢復, 零反向恢復, 低結電容，額定最高工作溫度為175°C. GeneSiC的第三代SiC肖特基二極管技術可提供業界領先的雪崩強度和浪湧電流 (s) 健壯性, 結合高質量的汽車合格6英寸鑄造廠和先進的高可靠性分立裝配技術.

這些SiC二極管是引腳兼容的直接替代品，可替代TO-247-2封裝中提供的其他二極管. 受益於更低的功率損耗 (冷卻器運行) 和高頻切換能力, 設計人員現在可以在設計中實現更高的轉換效率和更高的功率密度.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，並堅定致力於碳化矽的發展 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發最佳的SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶要求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.