GeneSiC Semiconductor Inc, Silisyum Karbür bazlı güç cihazlarında önemli bir yenilikçi, prestijli ödüle layık görüldüğünü duyurarak onurlandırıldı. 2019 r&D 100 Ödül. Bu ödül, GeneSiC'yi en önemlilerinden birini tanıttığı için tanır., sırasında birden fazla disiplin arasında yeni tanıtılan araştırma ve geliştirme ilerlemeleri 2018. r&D Magazine, MOSFET ve Schottky doğrultucuyu tek bir çip üzerinde monolitik olarak entegre etme yeteneği nedeniyle GeneSiC'nin orta gerilim SiC güç cihazı teknolojisini tanıdı.. GeneSiC cihazı tarafından elde edilen bu yetenekler, güç elektroniği araştırmacılarının invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi yeni nesil güç elektroniği sistemleri geliştirmesine kritik bir şekilde olanak tanır.. Bu, elektrikli araçlarda ürün geliştirmelerine izin verecek, şarj altyapısı, yenilenebilir enerji ve enerji depolama endüstrileri. GeneSiC, bu cihazları kullanan gelişmiş güç elektroniği donanımının gösterilmesine yönelik birden fazla müşteriden sipariş aldı ve Silisyum Karbür MOSFET ürünleri ailesini geliştirmeye devam ediyor.. R&Güç dönüştürme uygulamaları için erken sürümde D, ABD Departmanı aracılığıyla geliştirildi. Enerji ve Sandia Ulusal Laboratuvarları ile işbirliği.
R tarafından yürütülen yıllık teknoloji yarışması&D Magazine, çeşitli şirketlerden ve sektör oyuncularından gelen girdileri değerlendirdi, dünyadaki araştırma kuruluşları ve üniversiteler. Derginin editörleri ve dışarıdan uzmanlardan oluşan bir kurul hakim olarak görev yaptı, Her girişi bilim ve araştırma dünyası için önemi açısından değerlendirmek.
R'ye göre&D Dergisi, R kazanmak&D 100 Ödül, endüstri tarafından bilinen bir mükemmellik işareti sağlar, devlet, ve akademi, ürünün yılın en yenilikçi fikirlerinden biri olduğunun kanıtı olarak. Bu ödül, GeneSiC'i çalışma ve yaşama şeklimizde fark yaratan teknoloji tabanlı ürünlerin yaratılmasında küresel bir lider olarak tanır..
GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.
GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (b) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve süreç tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında ek bilgi, GeneSiC numaralı telefondan aranarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederekwww.genesicsemi.com.
