GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tilldela. Denna utmärkelse erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings- och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.
The annual technology competition run by R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje bidrag med avseende på dess betydelse för vetenskapens och forskningsvärlden.
Enligt R&D Magazine, vinna ett R&D 100 Utmärkelsen ger ett märke av excellens som är känt för industrin, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Denna utmärkelse erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknikbaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC är en snabbt växande innovatör inom området SiC kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulserande kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeprospektering. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar Silicon Carbide (Sic) baserade halvledarenheter för hög temperatur, strålning, och kraftnätsapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit av halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testmöjligheter för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har huvud-/underkontrakt från stora amerikanska myndigheter, inklusive ARPA-E, USA:s energidepartement, Marin, DARPA, Inst för hemvärnsskydd, Dept of Commerce och andra avdelningar inom USA Dept. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen på sina Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal med erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledarenheter, halvledartestning och detektorkonstruktioner. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.
