GeneSiC Semiconductor Inc, a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Award. This award recognizes GeneSiC for introducing one of the most significant, newly introduced research and development advances among multiple disciplines during 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. Esses recursos alcançados pelo dispositivo da GeneSiC permitem que os pesquisadores de eletrônica de potência desenvolvam sistemas eletrônicos de potência de última geração, como inversores e conversores DC-DC. Isso permitirá o desenvolvimento de produtos dentro de veículos elétricos, infraestrutura de carregamento, indústrias de energia renovável e armazenamento de energia. A GeneSiC reservou pedidos de vários clientes para demonstração de hardware eletrônico de potência avançado usando esses dispositivos e continua a desenvolver sua família de produtos MOSFET de carboneto de silício. o R&D na versão inicial para aplicações de conversão de energia foram desenvolvidas pelo Departamento dos EUA. de Energia e colaboração com Sandia National Laboratories.
A competição anual de tecnologia dirigida por R&A D Magazine avaliou entradas de várias empresas e players do setor, organizações de pesquisa e universidades em todo o mundo. Os editores da revista e um painel de especialistas externos atuaram como juízes, avaliando cada entrada em termos de sua importância para o mundo da ciência e da pesquisa.
De acordo com R&Revista D, ganhar um R&D 100 Prêmio fornece uma marca de excelência conhecida pela indústria, governo, e academia como prova de que o produto é uma das ideias mais inovadoras do ano. Este prêmio reconhece a GeneSiC como líder global na criação de produtos baseados em tecnologia que fazem a diferença em como trabalhamos e vivemos.
Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve carboneto de silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação na Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandowww.genesicsemi.com.
