GeneSiC Semiconductor Inc, kluczowy innowator w urządzeniach zasilających na bazie węglika krzemu został uhonorowany ogłoszeniem, że otrzymał prestiżową 2019 r&D 100 Nagroda. Nagroda ta wyróżnia firmę GeneSiC za wprowadzenie jednego z najbardziej znaczących, nowo wprowadzone postępy badawczo-rozwojowe w wielu dyscyplinach podczas 2018. r&D Magazine docenił technologię urządzeń zasilających SiC średniego napięcia firmy GeneSiC za jej zdolność do monolitycznej integracji MOSFET i prostownika Schottky'ego na jednym chipie. Te możliwości osiągnięte przez urządzenie GeneSiC w krytyczny sposób umożliwiają badaczom energoelektroniki opracowywanie systemów energoelektronicznych nowej generacji, takich jak falowniki i konwertery DC-DC. Umożliwi to rozwój produktów w pojazdach elektrycznych, infrastruktura ładowania, przemysł energii odnawialnej i magazynowania energii. GeneSiC zarezerwował zamówienia od wielu klientów na demonstrację zaawansowanego sprzętu energoelektronicznego wykorzystującego te urządzenia i kontynuuje rozwój swojej rodziny produktów MOSFET z węglika krzemu. R&D we wczesnej wersji do zastosowań związanych z konwersją mocy zostały opracowane przez Departament USA. Energii i współpracy z Sandia National Laboratories.
Coroczny konkurs technologiczny prowadzony przez R&Magazyn D ocenił zgłoszenia różnych firm i graczy z branży, organizacje badawcze i uniwersytety na całym świecie. W roli sędziów zasiadali redaktorzy magazynu i panel ekspertów zewnętrznych, ocena każdego wpisu pod kątem jego znaczenia dla świata nauki i badań.
Według R&Magazyn D, wygrywając R&D 100 Nagroda jest znakiem doskonałości znanym branży, rząd, i środowiska akademickiego jako dowód, że produkt jest jednym z najbardziej innowacyjnych pomysłów roku. Nagroda ta uznaje GeneSiC za światowego lidera w tworzeniu produktów opartych na technologii, które mają wpływ na sposób, w jaki pracujemy i żyjemy.
Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.
GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń o mocy impulsowej i ukierunkowanej energii; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w zakresie projektowania urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, badania półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.
