GeneSiC wprowadził GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 i GB50MPS17-247; najbardziej wydajne w branży diody SiC 1700 V dostępne w popularnym zestawie przewlekanym TO-247-2. Te diody SiC 1700 V zastępują ultraszybkie diody odzyskiwania na bazie krzemu i inne starej generacji 1700 V SiC JBS, umożliwiając inżynierom budowanie obwodów przełączających o większej wydajności i wyższej gęstości mocy. Oczekuje się, że aplikacje będą obejmować szybkie ładowarki do pojazdów elektrycznych, napędy silnikowe, zasilacze transportowe i energia odnawialna.
GB50MPS17-247 to dioda scalona PiN-Schottky'ego 1700V 50A SiC, dyskretna dioda mocy SiC o najwyższym prądzie znamionowym w branży. Te nowo uwolnione diody charakteryzują się niskim spadkiem napięcia przewodzenia, zerowe odzyskiwanie do przodu, zero odzysku wstecznego, niska pojemność złącza i są przystosowane do maksymalnej temperatury pracy 175°C. Technologia diody Schottky'ego SiC trzeciej generacji firmy GeneSiC zapewnia wiodącą w branży odporność lawinową i prąd udarowy (Ifsm) krzepkość, w połączeniu z wysokiej jakości 6-calową odlewnią motoryzacyjną i zaawansowaną technologią montażu dyskretnego o wysokiej niezawodności,.
Te diody SiC są kompatybilnymi pinami bezpośrednimi zamiennikami innych diod dostępnych w pakiecie TO-247-2. Korzystając z ich niższych strat mocy (chłodniejsza praca) i możliwość przełączania wysokiej częstotliwości, projektanci mogą teraz osiągnąć większą wydajność konwersji i większą gęstość mocy w projektach.
Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.
GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń o mocy impulsowej i ukierunkowanej energii; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w zakresie projektowania urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, badania półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.
