GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.
The annual technology competition run by R&D Magazine vurderte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, research organizations and universities around the world. The magazine’s editors and a panel of outside experts served as judges, evaluating each entry in terms of its importance to the world of science and research.
According to R&D Magazine, winning an R&D 100 Award provides a mark of excellence known to industry, government, and academia as proof that the product is one of the most innovative ideas of the year. This award recognizes GeneSiC as a global leader in the creation of technology-based products that make a difference in how we work and live.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utviklingen av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (Portene til Spania) HV-HF SiC enheter for Power Grid, Pulserende kraft og rettet energivåpen; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederenheter for høy temperatur, stråling, og strømnettapplikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikler & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakterisering og testing av slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet utmerker seg ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesifikt tilpasset hver kundes krav. GeneSiC har hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, USAs energidepartement, marinen, DARPA, Avdeling for Heimevernet, Dept of Commerce og andre avdelinger i US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen på sine Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring i fremstilling av sammensatte halvlederenheter, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.
