Norimberga, Germania maggio 12, 2016 — Il presidente di GeneSiC Semiconductor è stato intervistato da Alix Paultre di Power Systems Design (http://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) alla fiera PCIM di Norimberga, Germania.
DULLI, VA, Maggio 13, 2015 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) semiconduttori di potenza annuncia oggi la disponibilità immediata di 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodi in un isolato, 4-Imballaggio mini-modulo con piombo che consente perdite di energia di accensione estremamente basse offrendo allo stesso tempo flessibilità, progettazioni modulari in convertitori di potenza ad alta frequenza. L'uso dell'alta frequenza, I transistor e i raddrizzatori SiC con capacità di alta tensione e bassa resistenza all'accensione ridurranno le dimensioni/peso/volume delle applicazioni elettroniche che richiedono una maggiore gestione della potenza ad alte frequenze operative. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, compresi i riscaldatori a induzione, generatori di plasma, caricatori veloci, Convertitori CC-CC, e alimentatori a modalità commutata.
1200 Raddrizzatore a transistor con giunzione al carburo di silicio V/20 mOhm, confezionato in un pacchetto SOT-227 isolato che fornisce capacità Gate Source e Sink separate
Transistori a giunzione SiC co-confezionati (SJT)-I raddrizzatori SiC offerti da GeneSiC sono applicabili esclusivamente alle applicazioni di commutazione induttiva perché gli SJT sono gli unici prodotti di commutazione a banda larga offerti >10 capacità di cortocircuito ripetitivo microsec, anche a 80% delle tensioni nominali (per esempio. 960 V per a 1200 Dispositivo V). Oltre ai tempi di salita/discesa inferiori a 10 nsec e un'area operativa sicura con polarizzazione inversa quadrata (RBSOA), il terminale Gate Return nella nuova configurazione migliora notevolmente la capacità di ridurre le energie di commutazione. Questa nuova classe di prodotti offre perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura di giunzione. I transistor a giunzione SiC di GeneSiC sono privi di ossido di gate, normalmente spento, mostrano un coefficiente di temperatura positivo della resistenza on, e sono in grado di essere pilotati a basse tensioni di Gate, a differenza di altri interruttori SiC.
I raddrizzatori Schottky SiC utilizzati in questi mini-moduli mostrano basse cadute di tensione nello stato di accensione, buone correnti nominali di picco e le correnti di dispersione più basse del settore a temperature elevate. Con temperatura indipendente, caratteristiche di commutazione del recupero inverso vicine allo zero, I raddrizzatori Schottky SiC sono candidati ideali per l'uso in circuiti ad alta efficienza.
“I prodotti SiC Transistor e Rectifier di GeneSiC sono progettati e realizzati per realizzare basse perdite di stato di accensione e di commutazione. Una combinazione di queste tecnologie in un pacchetto innovativo promette prestazioni esemplari nei circuiti di alimentazione che richiedono dispositivi basati su un'ampia banda proibita. La confezione del mini-modulo offre una grande flessibilità di progettazione per l'uso in una varietà di circuiti di alimentazione come H-Bridge, Inverter flyback e multilivello” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
Il prodotto rilasciato oggi include
20 mOhm/1200 V SiC Junction Transistor/Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• Pacchetto SOT-227/mini-blocco/Isotop isolato
• Guadagno di corrente del transistor (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitato dall'imballaggio)
• Accendi / spegni; Tempi di salita/discesa <10 nanosecondi tipici.
Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale. I dispositivi sono immediatamente disponibili da GeneSiC Distributori Autorizzati.
Per maggiori informazioni, per favore visita: http://192.168.88.14/commerciale-sic/sic-modules-copack/
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i moduli a diodi al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera a fondo pozzo, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
DULLI, VA, Marzo 9, 2015 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) power semiconductors annuncia oggi l'immediata disponibilità di una linea di compact, transistor a giunzione SiC per alte temperature, nonché una linea di raddrizzatori in contenitori di lattine metalliche TO-46. Questi componenti discreti sono progettati e realizzati per funzionare a temperature ambiente superiori a 215oC. L'uso di alta temperatura, I transistor e i raddrizzatori SiC con capacità di alta tensione e bassa resistenza all'accensione ridurranno le dimensioni/peso/volume delle applicazioni elettroniche che richiedono una maggiore gestione della potenza a temperature elevate. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, inclusa un'ampia varietà di circuiti di fondo pozzo, strumentazione geotermica, azionamento del solenoide, amplificazione per uso generale, e alimentatori a modalità commutata.
Transistori a giunzione SiC ad alta temperatura (SJT) offerti da GeneSiC esibiscono tempi di salita/discesa inferiori a 10 nsec >10 Commutazione MHz e area operativa sicura con polarizzazione inversa quadrata (RBSOA). Le perdite di energia transitoria ei tempi di commutazione sono indipendenti dalla temperatura di giunzione. Questi interruttori sono privi di ossido di gate, normalmente spento, mostrano un coefficiente di temperatura positivo della resistenza on, e sono capaci di essere guidati 0/+5 V TTL gate driver, a differenza di altri interruttori SiC. I vantaggi esclusivi dell'SJT rispetto ad altri interruttori SiC sono la sua maggiore affidabilità a lungo termine, >20 usec capacità di cortocircuito, e superiore capacità di valanghe. Questi dispositivi possono essere utilizzati come amplificatori efficienti in quanto promettono una linearità molto più elevata rispetto a qualsiasi altro interruttore SiC.
I raddrizzatori Schottky SiC per alte temperature offerti da GeneSiC mostrano basse cadute di tensione nello stato di accensione, e le correnti di dispersione più basse del settore a temperature elevate. Con temperatura indipendente, caratteristiche di commutazione del recupero inverso vicine allo zero, I raddrizzatori Schottky SiC sono candidati ideali per l'uso in alta efficienza, circuiti ad alta temperatura. Le confezioni di lattine di metallo TO-46 e i processi di confezionamento associati utilizzati per creare questi prodotti consentono un utilizzo a lungo termine in cui l'elevata affidabilità è fondamentale.
“I prodotti Transistor e Rectifier di GeneSiC sono progettati e realizzati da zero per consentire il funzionamento ad alta temperatura. Questi SJT compatti TO-46 confezionati offrono guadagni di corrente elevati (>110), 0/+5 Controllo TTL V, e prestazioni robuste. Questi dispositivi offrono basse perdite di conduzione ed elevata linearità. Progettiamo la nostra linea di raddrizzatori “SHT”., per offrire basse correnti di dispersione ad alte temperature. Questi prodotti confezionati in lattine di metallo aumentano i nostri prodotti TO-257 e SMD in metallo rilasciati lo scorso anno per offrire un fattore di forma ridotto, soluzioni resistenti alle vibrazioni” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
I prodotti rilasciati oggi includono:
240 Transistori a giunzione in mOhm SiC:
Fino a 4 Ampere diodi Schottky ad alta temperatura:
Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in contenitori TO-46 in lattina di metallo. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i Distributori Autorizzati GeneSiC.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i moduli a diodi al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera a fondo pozzo, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
Per maggiori informazioni, per favore visita http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; e http://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
DULLI, VA, nov 19, 2014 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) power semiconductors annuncia oggi la disponibilità immediata della scheda di valutazione Gate Driver e ha ampliato il supporto alla progettazione per gli switch con le perdite più basse del settore: il SiC Junction Transistor (SJT) – con un modello LTSPICE IV pienamente qualificato. Utilizzo della nuova scheda Gate Driver, i progettisti di circuiti di conversione di potenza possono verificare i vantaggi di meno di 15 nanosecondi, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura dei transistor a giunzione SiC, con basse perdite di potenza del driver. Incorporando i nuovi modelli SPICE, i progettisti di circuiti possono valutare facilmente i vantaggi offerti dagli SJT di GeneSiC per il raggiungimento di un livello di efficienza più elevato rispetto a quello possibile con i dispositivi di commutazione di potenza in silicio convenzionali per dispositivi di pari valore.
Scheda Gate Driver GA03IDDJT30-FR4 applicabile verso SJT da GeneSiC
I transistor a giunzione SiC hanno caratteristiche significativamente diverse rispetto ad altre tecnologie di transistor SiC, così come i transistor al silicio. Per fornire soluzioni di azionamento per sfruttare i vantaggi dei transistor a giunzione SiC erano necessarie schede gate driver in grado di fornire basse perdite di potenza pur offrendo elevate velocità di commutazione. GeneSiC è completamente isolato GA03IDDJT30-FR4 La scheda gate driver accetta 0/12 V e un segnale TTL per condizionare in modo ottimale le forme d'onda di tensione/corrente necessarie per fornire tempi di salita/discesa ridotti, riducendo al minimo la richiesta di corrente continua per mantenere la conduzione SJT normalmente spenta durante lo stato acceso. La configurazione dei pin e i fattori di forma sono mantenuti simili ad altri transistor SiC. GeneSiC ha anche rilasciato file Gerber e distinte base agli utenti finali per consentire loro di incorporare i vantaggi delle innovazioni di progettazione dei driver realizzate.
Gli SJT offrono caratteristiche di accensione e commutazione ben educate, semplificando la creazione di modelli SPICE basati sul comportamento che concordano notevolmente bene anche con i modelli basati sulla fisica sottostanti. Utilizzo di modelli basati sulla fisica consolidati e compresi, I parametri SPICE sono stati rilasciati dopo test approfonditi con il comportamento del dispositivo. I modelli SPICE di GeneSiC vengono confrontati con i dati misurati sperimentalmente su tutti i datasheet dei dispositivi e sono applicabili a tutti 1200 V e 1700 Rilasciati i transistor a giunzione V SiC.
Gli SJT di GeneSiC sono in grado di fornire frequenze di commutazione superiori 15 volte superiore alle soluzioni basate su IGBT. Le loro frequenze di commutazione più elevate possono consentire elementi magnetici e capacitivi più piccoli, riducendo così le dimensioni complessive, peso e costo dei sistemi elettronici di potenza.
Questo modello SPICE del transistor a giunzione SiC si aggiunge alla suite completa di strumenti di supporto alla progettazione di GeneSiC, documentazione tecnica, e informazioni sull'affidabilità per fornire agli ingegneri elettronici di potenza le risorse di progettazione necessarie per implementare la famiglia completa di transistor e raddrizzatori a giunzione SiC di GeneSiC nella prossima generazione di sistemi di alimentazione.
È possibile scaricare le schede tecniche della scheda Gate Driver di GeneSiC e i modelli SJT SPICE da http://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
Interruttori SiC che offrono perdite di conduzione più basse e capacità di cortocircuito superiori rilasciate per circuiti di alimentazione ad alta frequenza
Dulles, Virginia., ottobre 28, 2014 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) power semiconductors annuncia oggi la disponibilità immediata di una famiglia di 1700V a bassa resistenza e 1200 Transistori a giunzione V SiC in contenitori TO-247. L'uso dell'alta tensione, alta frequenza, I transistor di giunzione SiC con capacità di alta temperatura e bassa resistenza aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume delle applicazioni di elettronica di potenza che richiedono tensioni bus più elevate. Questi dispositivi sono destinati all'uso in un'ampia varietà di applicazioni, comprese le microgrid CC, Caricabatterie veloci per veicoli, server, alimentatori per telecomunicazioni e reti, gruppi di continuità, inverter solari, Sistemi eolici, e sistemi di controllo motori industriali.
Transistori a giunzione SiC (SJT) offerti da GeneSiC mostrano capacità di commutazione ultraveloci (simile a quello dei MOSFET SiC), un'area operativa sicura con polarizzazione inversa quadrata (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura. Questi interruttori sono privi di ossido di gate, normalmente spento, mostrano un coefficiente di temperatura positivo della resistenza on, e sono in grado di essere guidati da gate driver commerciali, a differenza di altri interruttori SiC. I vantaggi esclusivi dell'SJT rispetto ad altri interruttori SiC sono la sua maggiore affidabilità a lungo termine, >10 usec capacità di cortocircuito, e superiore capacità di valanghe
“Questi SJT migliorati offrono guadagni di corrente molto più elevati (>100), prestazioni altamente stabili e robuste rispetto ad altri switch SiC. Gli SJT di GeneSiC offrono perdite di conduzione estremamente basse alle correnti nominali come perdite di spegnimento superiori nei circuiti di alimentazione. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, I prodotti Transistor di GeneSiC aiutano i progettisti a ottenere una soluzione più robusta,” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
1700 Transistor a giunzione V SiC rilasciato
1200 Transistor a giunzione V SiC rilasciato
Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Pacchetti TO-247 conformi a RoHS. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i distributori autorizzati GeneSiC.
Per maggiori informazioni, si prega di visitare http://192.168.88.14/transistor-sic-sic/sic-junction/
GeneSiC ha un ampio portafoglio di prodotti disponibili in questo momento in tutto il mondo dai migliori distributori
Chip a dado nudo forma dei dispositivi SiC disponibili Direttamente dalla fabbrica (si prega di compilare il modulo sottostante)
Discreto SJT e Raddrizzatori nelle valutazioni di temperatura commerciali (175°C)
Discreto Ciao SJTsabbia Raddrizzatori HiT ad alta temperatura (fino a 250°C)
GeneSiC offre la più ampia varietà di prodotti SiC, sia in prodotti confezionati che in formato bare-die per consentire una maggiore flessibilità e innovazione di progettazione. GeneSiC si sforza continuamente di stare al passo con l'introduzione di nuovi, prodotti innovativi. Se non vedi il prodotto esatto che stai cercando oggi, potresti vederlo nel prossimo futuro.
La promessa dell'alta temperatura nei transistor SiC realizzata attraverso pacchetti compatibili standard del settore migliorerà in modo critico gli attuatori e gli alimentatori a fondo pozzo e aerospaziali
Dulles, Virginia., dic 10, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) power semiconductors annuncia oggi la disponibilità immediata attraverso i suoi distributori e direttamente una famiglia confezionata ad alta temperatura 600 Transistori a giunzione V SiC (SJT) nel 3-50 Ampere le correnti nominali nei pacchetti JEDEC con foro passante e montaggio superficiale standard del settore. Incorporando questi ad alta temperatura, bassa resistenza, Transistori SiC ad alta frequenza in contenitori ermetici, le saldature e l'incapsulamento ad alta temperatura aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume delle applicazioni di conversione di potenza ad alta temperatura.
Alimentatore contemporaneo ad alta temperatura, i circuiti di controllo del motore e attuatori utilizzati in applicazioni petrolifere/gas/di fondo pozzo e aerospaziali soffrono della mancanza di disponibilità di una valida soluzione di carburo di silicio ad alta temperatura. I transistor al silicio soffrono di basse efficienze del circuito e di grandi dimensioni perché soffrono di elevate correnti di dispersione e basse scarse caratteristiche di commutazione. Entrambi questi parametri peggiorano a temperature di giunzione più elevate. Con ambienti termicamente vincolati, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di correnti modeste. I transistor SiC sigillati ermeticamente offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare la capacità delle applicazioni aerospaziali e di fondo pozzo. GeneSiC 650 I transistor a giunzione SiC V/3-50 A presentano tempi di commutazione prossimi allo zero che non cambiano con la temperatura. IL 210oI dispositivi con giunzione a temperatura nominale offrono margini di temperatura relativamente ampi per le applicazioni che operano in ambienti estremi.
I transistor a giunzione offerti da GeneSiC mostrano capacità di commutazione ultraveloci, un'area operativa sicura con polarizzazione inversa quadrata (RBSOA), nonché perdite di energia transitorie e tempi di commutazione indipendenti dalla temperatura. Questi interruttori sono privi di ossido di gate, normalmente spento, mostrano un coefficiente di temperatura positivo della resistenza on, e sono in grado di essere guidati dal commerciale, comunemente disponibile 15 V Gate driver IGBT, a differenza di altri interruttori SiC. Pur offrendo compatibilità con i driver SiC JFET, I transistor a giunzione SiC possono essere facilmente messi in parallelo grazie alle loro caratteristiche transitorie corrispondenti.
“Mentre i progettisti di applicazioni downhole e aerospaziali continuano a spingere i limiti della frequenza operativa, pur richiedendo elevate efficienze del circuito, hanno bisogno di interruttori SiC in grado di offrire uno standard di prestazioni, affidabilità e uniformità di produzione. Utilizzando il dispositivo unico e le innovazioni di fabbricazione, I prodotti SJT di GeneSiC aiutano i progettisti a ottenere tutto ciò in una soluzione più robusta. Questi prodotti completano il raddrizzatore SiC confezionato ermetico rilasciato lo scorso anno da GeneSiC, e i prodotti bare die rilasciati all'inizio di quest'anno, mentre ci apre la strada per offrire alte temperature, bassa induttanza, moduli di potenza nel prossimo futuro ” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
Isolato TO-257 con 600 V SJT:
Pacchetto prototipo TO-258 non isolato con 600 SJT
Montaggio superficiale TO-276 (SMD0.5) insieme a 600 SJT
Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in contenitori ermetici. Supporto tecnico e modelli di circuito SPICE sono offerti. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso GeneSiC Direttamente e/o tramite i suoi Distributori Autorizzati.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi, compreso l'ARPA-E, Dipartimento di Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori principali del governo. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
Per maggiori informazioni, per favore visita http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
Dulles, Virginia., nov 19, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) power semiconductors annuncia oggi l'immediata disponibilità di una famiglia di SMB standard di settore (JEDEC DO-214AA) Raddrizzatori SiC confezionati in 650 – 3300 Gamma V. Incorporando questi ad alta tensione, recupero inverso senza recupero, I diodi SiC ad alta frequenza e alta temperatura aumenteranno l'efficienza di conversione e ridurranno le dimensioni/peso/volume dei gruppi multi-kV. Questi prodotti sono destinati agli inverter micro-solari e ai circuiti moltiplicatori di tensione utilizzati in un'ampia gamma di raggi X., Alimentatori laser e generatori di particelle.
Gli inverter micro-solari contemporanei e i circuiti moltiplicatori di tensione possono soffrire di basse efficienze del circuito e grandi dimensioni a causa delle correnti di recupero inverso dai raddrizzatori al silicio. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora perché la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di correnti modeste. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i micro-inverter solari e i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 650 V/1 A; 1200 V/2A e 3300 I raddrizzatori Schottky V/0,3 A sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa pari a zero che non cambia con la temperatura. IL 3300 I dispositivi V-rated offrono una tensione relativamente elevata in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei tipici circuiti dei generatori ad alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. La PMI (DO-214AA) il pacchetto sovrastampato presenta un fattore di forma standard del settore per i gruppi a montaggio superficiale.
“Queste offerte di prodotti derivano da anni di continui sforzi di sviluppo presso GeneSiC per offrire dispositivi e pacchetti interessanti. Riteniamo che il fattore di forma SMB sia un elemento chiave di differenziazione per il mercato dei micro inverter solari e dei moltiplicatori di tensione, e consentirà notevoli vantaggi ai nostri clienti. VF basso di GeneSiC, raddrizzatori Schottky SiC a bassa capacità e pacchetti SMB migliorati rendono possibile questo prodotto rivoluzionario” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
1200 V/2 A SMB SiC Diodo Schottky (GB02SLT12-214) Punti salienti tecnici
3300 Diodo Schottky SiC SMB V/0,3 A (GAP3SLT33-214) Punti salienti tecnici
650 V/1 A SMB SiC Diodo Schottky (GB01SLT06-214) Punti salienti tecnici
Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, PMI conforme a RoHS (DO-214AA) Pacchetti. Supporto tecnico e modelli di circuito SPICE sono offerti. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso i distributori autorizzati GeneSiC.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi, compreso l'ARPA-E, Dipartimento di Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori principali del governo. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
Per maggiori informazioni, si prega di visitare http://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky
Thief River Falls/Dulles, Virginia., Maggio 28, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) semiconduttori di potenza annunciano la disponibilità immediata di 3300 Raddrizzatori Schottky SiC V/0,3 Ampere – il GAP3SLT33-220FP. Questo prodotto unico rappresenta il raddrizzatore SiC con la tensione più alta sul mercato, ed è specificamente mirato ai circuiti moltiplicatori di tensione e ai gruppi ad alta tensione utilizzati in un'ampia gamma di raggi X, Alimentatori laser e generatori di particelle.
I circuiti moltiplicatori di tensione contemporanei soffrono di basse efficienze del circuito e di grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverse dai raddrizzatori al silicio scaricano i condensatori collegati in parallelo. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora perché la corrente di recupero inverso nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di correnti modeste. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 3300 I raddrizzatori Schottky V/0,3 A sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa pari a zero che non cambia con la temperatura. Questa tensione relativamente alta in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei tipici circuiti del generatore di alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. Il pacchetto isolato sovrastampato TO-220 Full Pack presenta un fattore di forma standard del settore con una maggiore spaziatura dei pin nei gruppi di fori passanti.
“Questa offerta di prodotti deriva da anni di sforzi sostenuti in GeneSiC. Crediamo il 3300 La classificazione V è un fattore chiave di differenziazione per il mercato dei generatori di alta tensione, e consentirà notevoli vantaggi ai nostri clienti. VF basso di GeneSiC, I raddrizzatori Schottky SiC a bassa capacità consentono questo prodotto rivoluzionario” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
3300 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore SiC V/0,3 A
Tutti i dispositivi lo sono 100% testato a piena tensione/corrente nominale e alloggiato in Halogen-Free, Standard di settore conforme a RoHS TO-220FP (Pacchetto completo) Pacchetti. I dispositivi sono immediatamente disponibili presso il Distributore Autorizzato GeneSiC, Digikey.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi, compreso l'ARPA-E, Dipartimento di Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori principali del governo. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
Per maggiori informazioni, si prega di visitare www.genesicsemi.com
Dulles, Virginia., nov 7, 2013 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di una vasta gamma di carburo di silicio (SiC) semiconduttori di potenza annunciano la disponibilità immediata di 8000 Raddrizzatori V SiC PiN; 8000 V SiC Schottky Raddrizzatori, 3300 V SiC Schottky Raddrizzatori e 6500 V Tiristori SiC in formato die nudo. Questi prodotti unici rappresentano i dispositivi SiC con la tensione più alta sul mercato, ed è specificamente mirato alla strumentazione per petrolio e gas, circuiti moltiplicatori di tensione e gruppi ad alta tensione.
I circuiti ad altissima tensione contemporanei soffrono di basse efficienze del circuito e di grandi dimensioni perché le correnti di recupero inverse dai raddrizzatori al silicio scaricano i condensatori collegati in parallelo. A temperature di giunzione del raddrizzatore più elevate, questa situazione peggiora ulteriormente poiché la corrente di recupero inversa nei raddrizzatori al silicio aumenta con la temperatura. Con vincoli termici gruppi ad alta tensione, le temperature di giunzione salgono abbastanza facilmente anche al passaggio di correnti modeste. I raddrizzatori SiC ad alta tensione offrono caratteristiche uniche che promettono di rivoluzionare i gruppi ad alta tensione. GeneSiC 8000 V e 3300 I raddrizzatori V Schottky sono caratterizzati da una corrente di recupero inversa pari a zero che non cambia con la temperatura. Questa tensione relativamente alta in un singolo dispositivo consente una riduzione degli stadi di moltiplicazione della tensione richiesti nei tipici circuiti del generatore di alta tensione, attraverso l'uso di tensioni di ingresso CA più elevate. Le caratteristiche di commutazione quasi ideali consentono l'eliminazione/riduzione drastica delle reti di bilanciamento della tensione e dei circuiti snubber. 8000 I raddrizzatori V PiN offrono livelli di corrente più elevati e temperature di esercizio più elevate. 6500 Sono disponibili anche chip V SiC Thyristor per accelerare R&D di nuovi sistemi.
“Questi prodotti mostrano il forte vantaggio di GeneSiC nello sviluppo di chip SiC nelle classificazioni multi-kV. Crediamo il 8000 La classificazione V va oltre ciò che i dispositivi Silicon possono offrire alle temperature nominali, e consentirà notevoli vantaggi ai nostri clienti. VF basso di GeneSiC, I raddrizzatori e i tiristori SiC a bassa capacità consentiranno vantaggi a livello di sistema non possibili prima” disse il Dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
8000 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore PiN nudo V/2 A SiC
8000 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore Schottky nudo V/50 mA SiC
6500 V SiC Thyristor Bare Die Caratteristiche tecniche
3300 Caratteristiche tecniche del raddrizzatore nudo V/0.3 A SiC
Informazioni su GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nell'alta temperatura, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi, e fornitore globale di un'ampia gamma di semiconduttori di potenza. Il suo portafoglio di dispositivi include un raddrizzatore basato su SiC, transistor, e prodotti a tiristori, così come i prodotti raddrizzatori al silicio. GeneSiC ha sviluppato una vasta proprietà intellettuale e conoscenze tecniche che comprendono gli ultimi progressi nei dispositivi di potenza SiC, con prodotti mirati all'energia alternativa, settore automobilistico, trivellazione petrolifera, controllo del motore, Alimentazione elettrica, trasporto, e applicazioni di alimentazione ininterrotta. GeneSiC ha ottenuto numerosi contratti di ricerca e sviluppo da agenzie governative statunitensi, compreso l'ARPA-E, Dipartimento di Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, DTRA, e il Dipartimento per la sicurezza interna, così come i principali appaltatori principali del governo. In 2011, l'azienda ha vinto il prestigioso R&Premio D100 per la commercializzazione di tiristori SiC ad altissima tensione.
Per maggiori informazioni, per favore visita http://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
