פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019High Power SiC PiN Rectifiers Dec, 2005 High Power SiC PiN Rectifiers
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019High power SiC PiN rectifiers Jun, 2007 High power SiC PiN rectifiers
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019Fast Neutron Detection With Silicon Carbide Semi-insulating Detectors Jun, 2008 Fast Neutron Detection With Silicon Carbide Semi-insulating Detectors
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019Development of Radiation Detectors Based on Semi-Insulating Silicon Carbide אוקטובר, 2008 Development of Radiation Detectors Based on Semi-Insulating Silicon Carbide
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019Correlation between carrier recombination lifetime and forward voltage drop in 4H-SiC PiN diodes Sept, 2010 Correlation between carrier recombination lifetime and forward voltage drop in 4H-SiC PiN diodes
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 2019Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers Sept, 2011 Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 201912.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes Sept, 2011 12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 20191200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance יולי, 2012 1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
פורסם ב יוני 10, 2019יוני 10, 201915 kV SiC PiN diodes achieve 95% of avalanche limit and stable long-term operation Mar, 2013 15 kV SiC PiN diodes achieve 95% of avalanche limit and stable long-term operation