GeneSiC a introduit GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 et GB50MPS17-247; les diodes SiC 1700V les plus performantes de l'industrie disponibles dans le populaire boîtier traversant TO-247-2. Ces diodes SiC 1700V remplacent les diodes à récupération ultra-rapide à base de silicium et autres JBS SiC 1700V d'ancienne génération, permettant aux ingénieurs de construire des circuits de commutation avec une plus grande efficacité et une densité de puissance plus élevée. Les applications devraient inclure les chargeurs rapides de véhicules électriques, entraînements moteurs, alimentations électriques de transport et énergies renouvelables.
GB50MPS17-247 est une diode PiN-schottky fusionnée SiC 1700V 50A, la diode de puissance SiC discrète à courant nominal le plus élevé de l'industrie. Ces diodes nouvellement lancées présentent une faible chute de tension directe, zéro récupération avant, zéro récupération inverse, faible capacité de jonction et sont conçus pour une température de fonctionnement maximale de 175 ° C. La technologie de diode SiC Schottky de troisième génération de GeneSiC offre une résistance aux avalanches et un courant de surtension de pointe (Ifsm) robustesse, combiné avec une fonderie de 6 pouces qualifiée pour l'automobile de haute qualité et une technologie d'assemblage discrète avancée de haute fiabilité.
Ces diodes SiC sont des remplacements directs compatibles avec les broches des autres diodes disponibles dans le boîtier TO-247-2. Bénéficier de leurs faibles pertes de puissance (fonctionnement plus frais) et capacité de commutation haute fréquence, les concepteurs peuvent désormais obtenir une plus grande efficacité de conversion et une plus grande densité de puissance dans les conceptions.
À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception de dispositifs et de processus pour développer les meilleurs dispositifs SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.
