GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix ​​D100 pour le commutateur redresseur-transistor monolithique à base de SiC

DULLES, Virginie, décembre 5, 2019 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2019 R&ré 100 Prix ​​pour le développement d'un commutateur transistor-redresseur monolithique à base de SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovateur clé dans les dispositifs d'alimentation à base de carbure de silicium a été honoré par l'annonce qu'il a reçu le prestigieux 2019 R&ré 100 Décerner. Ce prix récompense GeneSiC pour avoir introduit l'un des plus importants, les progrès de la recherche et du développement récemment introduits dans plusieurs disciplines au cours 2018. R&D Magazine a reconnu la technologie de dispositif d'alimentation SiC moyenne tension de GeneSiC pour sa capacité à intégrer de manière monolithique MOSFET et redresseur Schottky sur une seule puce. Ces capacités obtenues par le dispositif de GeneSiC permettent aux chercheurs en électronique de puissance de développer des systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération tels que des onduleurs et des convertisseurs DC-DC.. Cela permettra des développements de produits au sein des véhicules électriques, infrastructures de charge, industries des énergies renouvelables et du stockage de l'énergie. GeneSiC a enregistré des commandes de plusieurs clients pour la démonstration de matériel électronique de puissance avancé utilisant ces dispositifs et continue de développer sa famille de produits MOSFET en carbure de silicium. Le R&D sur la première version pour les applications de conversion de puissance ont été développées par le département américain. de l'Energie et collaboration avec Sandia National Laboratories.

Le concours technologique annuel organisé par R&D Magazine a évalué les entrées de diverses entreprises et acteurs de l'industrie, organismes de recherche et universités du monde entier. Les rédacteurs en chef du magazine et un panel d'experts extérieurs ont servi de juges, évaluer chaque entrée en fonction de son importance pour le monde de la science et de la recherche.

D'après R&Magazine D, gagner un R&ré 100 Le prix fournit une marque d'excellence connue de l'industrie, gouvernement, et le milieu universitaire comme preuve que le produit est l'une des idées les plus innovantes de l'année. Ce prix reconnaît GeneSiC en tant que leader mondial dans la création de produits basés sur la technologie qui font une différence dans notre façon de travailler et de vivre.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception de dispositifs et de processus pour développer les meilleurs dispositifs SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.

Capacité de courant élevé 650V, 1200Diodes V et 1700 V SiC Schottky MPS ™ dans un boîtier mini-module SOT-227

DULLES, Virginie, Peut 11, 2019 — GeneSiC devient un leader du marché des (100 A et 200 UNE) Diodes Schottky SiC dans le mini-module SOT-227

GeneSiC a introduit GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 et GC2X100MPS06-227; les diodes Schottky SiC 650 V et 1700 V les plus puissantes de l'industrie, s'ajoutant au portefeuille existant de mini-modules à diodes schottky SiC 1200 V - GB2X50MPS12-227 et GB2X100MPS12-227. Ces diodes SiC remplacent les diodes de récupération ultra-rapides à base de silicium, permettant aux ingénieurs de construire des circuits de commutation avec une plus grande efficacité et une densité de puissance plus élevée. Les applications devraient inclure les chargeurs rapides de véhicules électriques, entraînements moteurs, alimentations électriques de transport, redressement haute puissance et alimentations industrielles.

En plus de la plaque de base isolée du boîtier du mini-module SOT-227, ces diodes nouvellement publiées présentent une faible chute de tension directe, zéro récupération avant, zéro récupération inverse, faible capacité de jonction et sont conçus pour une température de fonctionnement maximale de 175 ° C. La technologie de diode SiC Schottky de troisième génération de GeneSiC offre une résistance aux avalanches et un courant de surtension de pointe (Ifsm) robustesse, combiné à une fabrication de 6 pouces qualifiée pour l'automobile de haute qualité et à une technologie d'assemblage discret de haute fiabilité.

Ces diodes SiC sont des remplacements directs compatibles avec les broches à d'autres diodes disponibles dans le SOT-227 (mini-module) paquet. Bénéficier de leurs faibles pertes de puissance (fonctionnement plus frais) et capacité de commutation haute fréquence, les concepteurs peuvent désormais obtenir une plus grande efficacité de conversion et une plus grande densité de puissance dans les conceptions.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception de dispositifs et de processus pour développer les meilleurs dispositifs SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.

GeneSiC lance le MPS SiC Schottky 1700 V le plus performant du secteur™ diodes

DULLES, Virginie, janvier 7, 2019 — GeneSiC lance un portefeuille complet de ses diodes Schottky MPS™ SiC 1700V de troisième génération en boîtier TO-247-2

GeneSiC a introduit GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 et GB50MPS17-247; les diodes SiC 1700V les plus performantes de l'industrie disponibles dans le populaire boîtier traversant TO-247-2. Ces diodes SiC 1700V remplacent les diodes à récupération ultra-rapide à base de silicium et autres JBS SiC 1700V d'ancienne génération, permettant aux ingénieurs de construire des circuits de commutation avec une plus grande efficacité et une densité de puissance plus élevée. Les applications devraient inclure les chargeurs rapides de véhicules électriques, entraînements moteurs, alimentations électriques de transport et énergies renouvelables.

GB50MPS17-247 est une diode PiN-schottky fusionnée SiC 1700V 50A, la diode de puissance SiC discrète à courant nominal le plus élevé de l'industrie. Ces diodes nouvellement lancées présentent une faible chute de tension directe, zéro récupération avant, zéro récupération inverse, faible capacité de jonction et sont conçus pour une température de fonctionnement maximale de 175 ° C. La technologie de diode SiC Schottky de troisième génération de GeneSiC offre une résistance aux avalanches et un courant de surtension de pointe (Ifsm) robustesse, combiné avec une fonderie de 6 pouces qualifiée pour l'automobile de haute qualité et une technologie d'assemblage discrète avancée de haute fiabilité.

Ces diodes SiC sont des remplacements directs compatibles avec les broches des autres diodes disponibles dans le boîtier TO-247-2. Bénéficier de leurs faibles pertes de puissance (fonctionnement plus frais) et capacité de commutation haute fréquence, les concepteurs peuvent désormais obtenir une plus grande efficacité de conversion et une plus grande densité de puissance dans les conceptions.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception de dispositifs et de processus pour développer les meilleurs dispositifs SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.